ST72321J
工作条件
（续）
12.3.2工作条件与低电压检测（ LVD ）
除一般的工作条件V
DD
, f
中央处理器
和叔
A
.
符号
V
IT + （ LVD ）
参数
复位释放门槛
(V
DD
升）
复位门限代
(V
DD
秋天）
LVD电压阈值迟滞
1)
V
DD
上升时间
1)2)
条件
VD =水平高的选项字节
VD水平=医学。在选项字节
VD水平=低的选项字节
VD =水平高的选项字节
VD水平=医学。在选项字节
VD水平=低的选项字节
V
IT + （ LVD ）
-V
IT- （ LVD ）
民
4.0
1)
典型值
4.2
最大
4.5
单位
不适用
3.8
4.0
4.25
1)
V
V
IT- （ LVD ）
V
HYS （ LVD ）
Vt
POR
不适用
150
6
200
250
mV
∝
40
微秒/ V
ns
t
克（VDD）的
V
DD
毛刺过滤（未检测到）
通过LVD
1)
注意事项：
根据表征结果1.数据，而不是在生产测试。
2.当佛蒙特州
POR
快于100
μS/ V，
最大的一个延迟之后，复位信号被释放。 V后42μs
DD
穿越
V
IT + （ LVD ）
门槛。
图69. LVD启动行为
5V
V
IT +
LVD复位
V
D
1.5V
0.8V
D
窗口
t
注意：
当LVD使能， MCU达到从复位状态及其授权的工作电压。
然而，在一些器件中，复位状态被解除当V
DD
大约是0.8V和1.5V之间。
其结果是，在I / O数量可能切换当V
DD
是这个窗口内。
这可能对应用的MCU驱动功率元件是特别的问题。
由于Flash的写访问是不可能的这个窗口中，将闪存存储器的内容不会cor-
rupted 。
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