飞利浦半导体
产品speci fi cation
低电容ESD翻两番
保护阵列
PESDxL4UW系列
手册， halfpage
10
MDB602
26
手册， halfpage
Cd
（PF ）
22
MDB601
IZSM
(A)
PESD3V3L4UW
1
18
PESD3V3L4UW
PESD5V0L4UW
14
10
PESD5V0L4UW
10
1
10
2
10
1
1
TP（ ms）的
10
6
0
1
2
3
4
VR （ V）
5
T
j
= 25
°C;
F = 1兆赫。
Fig.2
非反向重复峰值电流为
函数的脉冲时间（矩形脉冲） 。
Fig.3
二极管电容反向的函数
电压;典型值。
10
2
手册， halfpage
PZSM
(W)
MDB603
手册， halfpage
120
MLE218
IPP
(%)
100 ％伊普; 8
s
80
PESD3V3L4UW
10
PESD5V0L4UW
40
e
t
50 ％伊普; 20
s
1
10
2
10
1
1
TP（ ms）的
10
0
0
10
20
30
T（微秒）
40
P
ZSM
= V
ZSM
X我
ZSM
.
V
ZSM
是我的非重复性峰值反向电压
ZSM
.
Fig.4
最大非重复性峰值反向
功耗为脉冲的函数
持续时间（矩形脉冲） 。
Fig.5
8/20
s
根据脉冲波形
IEC 61000-4-5 。
2004年4月06
5
