飞利浦半导体
产品speci fi cation
低电容ESD翻两番
保护阵列
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
I
pp
参数
峰值脉冲电流
PESD3V3L4UW
PESD5V0L4UW
P
pp
I
FSM
I
ZSM
峰值脉冲功率
非重复性峰值正向
当前
非重复性峰值反向
当前
PESD3V3L4UW
PESD5V0L4UW
P
合计
P
ZSM
T
英镑
T
j
ESD
总功耗
非重复性峰值反向
功耗
储存温度
结温
静电放电
T
AMB
= 25
°C;
注3
t
p
= 1毫秒;方波脉冲;见图4
8/20
s;
注1和2
t
p
= 1毫秒;方波脉冲
t
p
= 1毫秒;方波脉冲
条件
8/20
s;
注1和2
PESDxL4UW系列
分钟。
3
马克斯。
单位
A
A
W
A
2.5
30
3.5
65
IEC 61000-4-2 （接触放电）
HBM MIL -STD 883
20
10
0.9
0.8
250
6
+150
150
A
A
mW
W
°C
°C
kV
kV
笔记
1.非重复性电流脉冲8/20
s
指数衰减波形见图5 。
2.引脚1 ， 3 ， 4或5引脚2 。
3.装置安装在标准的印刷电路板。
ESD标准符合性
IEC 61000-4-2第4级（ ESD ）
HBM MIL -STD 883 ，第3类
热特性
符号
R
号（j -a）的
R
日（J -SP ）
参数
从结点到环境的热阻
从结热阻到焊点
条件
所有的二极管装
一个二极管装;注1
所有的二极管装;注1
笔记
1.焊接点共阳极（ 2脚）的。
价值
370
135
125
单位
K / W
K / W
K / W
>15千伏（空气） ; >8千伏（接触）
>4千伏
2004年4月06
3
