飞利浦半导体
产品speci fi cation
低电容ESD翻两番
保护阵列
电气特性
T
j
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
每二极管
V
F
V
RWM
正向电压
相反的立场-O FF电压
PESD3V3L4UW
PESD5V0L4UW
I
RM
反向漏电流
PESD3V3L4UW
PESD5V0L4UW
V
（CL ）R
钳位电压
PESD3V3L4UW
PESD5V0L4UW
V
BR
击穿电压
PESD3V3L4UW
PESD5V0L4UW
r
差异
微分电阻
PESD3V3L4UW
PESD5V0L4UW
C
d
二极管电容
PESD3V3L4UW
PESD5V0L4UW
F = 1兆赫; V
R
= 0 V
F = 1兆赫; V
R
= 5 V
F = 1兆赫; V
R
= 0 V
F = 1兆赫; V
R
= 5 V
笔记
1.引脚1 ， 3 ， 4或5引脚2 。
I
R
= 1毫安
I
pp
= 1 ;注1
I
pp
= 3 A;注1
I
pp
= 1 ;注1
I
pp
= 2.5 A;注1
I
Z
= 1毫安
5.32
6.46
V
RWM
= 3.3 V
V
RWM
= 5 V
I
F
= 200毫安
参数
条件
PESDxL4UW系列
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
1
75
5
5.6
6.8
22
12
16
8
1.2
3.3
5
300
25
8
12
10
13
5.88
7.14
200
100
28
17
19
11
V
V
V
nA
nA
V
V
V
V
V
V
pF
pF
pF
pF
2004年4月06
4
