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E
符号
t
AVAV
t
PHEL
t
WLEL
t
PHHEH
t
VPEH
t
AVEH
t
DVEH
t
ELEH
t
EHDX
t
EHAX
t
EHWH
t
EHEL
t
EHQV1
t
EHQV2
t
EHQV3
t
EHQV4
t
QVVL
t
QVPH
t
PHBR
28F002BC 2兆位BOOT BLOCK FLASH MEMORY
表10. AC特点： CE ＃ -Controlled写操作
(1,9)
28F002BC-80
参数
笔记
V
CC
= 5V ± 10%
100 pF的
民
最大
28F002BC-120
V
CC
= 5V ± 10%
100 pF的
民
120
215
0
100
100
50
50
50
0
0
0
30
6
0.3
0.3
0.6
0
0
100
100
最大
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
s
s
s
s
ns
ns
ns
单位
写周期时间
RP ＃高价回收到CE＃去
低
WE＃安装程序CE＃走向低
引导块锁安装到CE＃去
高
V
PP
安装程序CE＃变高
地址设置到CE＃变高
数据建立到CE＃变高
CE＃脉冲宽度
数据保持时间从CE＃高
从CE ＃高地址保持时间
WE＃保持时间从CE＃高
CE＃脉冲宽高
编程操作的持续时间
擦除操作（启动）的持续时间
擦除操作的时间
（参数）
擦除操作的持续时间（主）
V
PP
从有效SRD举行
RP ＃ V
HH
从有效SRD举行
引导块锁定延迟
2, 5
2, 5, 6
2, 5
2, 5
5, 8
6, 8
7, 8
4
3
6, 8
5, 8
3
4
80
215
0
100
100
50
50
50
0
0
0
30
6
0.3
0.3
0.6
0
0
注意事项：
看到WE＃控制的写操作的注意事项1到8 。
9.芯片使能控制的写操作：写操作都通过CE＃有效组合驱动和WE ＃在系统中
CE＃定义写脉冲宽度（长WE＃时序波形内） ，全部建立，保持和非活动WE＃时间应
来测量相对于所述的CE ＃波形。
初步
33
