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28F002BC 2兆位BOOT BLOCK FLASH MEMORY
E
数据
有效
待机
t
EHQZ
t
GHQZ
t
OH
高Z
V
IH
地址（ A）
V
IL
CE＃ （ E）
V
IH
V
IL
V
IH
OE ＃ （ G）
V
IL
V
IH
WE＃ （ W）
V
IL
V
OH
DATA （D / Q）
V
OL
RP ＃ （ P）
V
IH
V
IL
高Z
设备和
地址选择
解决稳定
t
AVAV
t
GLQX
t
ELQX
t
AVQV
t
PHQV
t
GLQV
t
ELQV
有效的输出
0578_11
图12. AC波形进行读操作
表9. AC特点： WE＃ -Controlled写操作
(1)
28F002BC-80
符号
参数
笔记
V
CC
= 5V ± 10%
100 pF的
民
t
AVAV
t
PHWL
t
ELWL
t
PHHWH
t
VPWH
t
AVWH
t
DVWH
t
WLWH
t
WHDX
t
WHAX
t
WHEH
写周期时间
RP ＃安装到WE＃去低
CE＃安装到WE＃去低
引导块锁安装到WE＃
去高
V
PP
安装到WE＃变高
地址设置到WE＃变高
数据建立到WE＃变高
WE＃脉冲宽度
数据保持时间从WE＃高
地址保持时间从WE＃高
CE＃保持时间从WE＃高
4
3
6, 8
5, 8
3
4
80
215
0
100
100
50
50
50
0
0
0
最大
28F002BC-120
V
CC
= 5V ± 10%
100 pF的
民
120
215
0
100
100
50
50
50
0
0
0
最大
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
单位
30
初步
