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当状态寄存器指示擦除是
完成后，状态比特位，它指示是否
擦除操作是成功的，应该
检查。如果擦除操作不成功，
位状态寄存器的5将被设置为（在1.5毫秒）
为“1 ”，表示一个擦除失败。如果V
PP
不在
在暂停期间， WSM可以接受的
不执行擦除序列;代替，第5位
的状态寄存器被设置为“1”，以指示
擦除失败，和第3位被设置为“1”，以表示
该V
PP
电源电压是超出了可接受的
极限。
状态寄存器前应清除
在尝试下一次操作。任何崔指令
可以按照擦除完成后，不过，
从存储器阵列读出不能
完成直到崔给出读阵列
命令。图8中详细介绍了自动阻止
擦除流程图。
3.3.4.1
暂停和恢复擦除
E
28F002BC 2兆位BOOT BLOCK FLASH MEMORY
擦除序列，并完成擦除块。如
用一个标准的擦除操作的结束时，
状态寄存器必须被读出，清除和下一
指令，以便继续发出。图9
凸显擦除挂起/恢复流程。
3.3.5
扩展骑行
英特尔已经设计了扩展循环能力成
其四， ETOX闪存技术。该
28F002BC闪速存储器被设计为10万
编程/擦除周期在每个5块。在
10% V
PP
中，参数块是能够
万编程/擦除周期。的组合
低电场，清洁氧化物处理和
每进行存储单元最小化氧化区
隧道电场产生非常高的
循环能力。
3.4
由于擦除操作可能需要几秒钟
来完成，一个擦除挂起命令
提供的。这使得擦除序列中断
为了从该另一块中读取数据
存储器阵列。一旦擦除序列开始，
写入擦除挂起命令崔
要求该WSM暂停擦除序列
在预定点中的擦除算法。该
状态寄存器必须被读出，以确定是否
擦除操作已被暂停。以V
PP
低于V
PPLK
锁存V
PP
地位低和中止
操作正在进行中。 V
PP
应当准备
即使在擦除挂起tained在有效的水平。
在这一点上，一个读阵列命令可以写成
向以读取块的其它数据在CUI
比被删除。唯一的其他有效
此时命令删除恢复和
读状态寄存器。
在擦除暂停模式下，芯片可以进入一个
伪待机采取CE＃为V模式
IH
，这
主动降低电流消耗。
要恢复擦除操作，芯片必须是
通过采取CE＃到V启用
IL
，然后发出
删除恢复命令。当擦除恢复
命令下达后， WSM将继续与
引导块锁定
引导块存储架构具有一个
硬件上锁的引导块，这样内核
为系统码，可以保持安全而
参数及主要模块进行编程和
独立地被擦除的必要。只有启动
块可独立于其它被锁定
块。
3.4.1
V
PP
= V
IL
有关完整
保护
所有块中的完整的写保护
闪光装置中，V
PP
编程电压可以是
保持低电平。当V
PP
低于V
PPLK
任何程序或
擦除操作将导致器件来设置一个错误
在状态寄存器位。
3.4.2
RP ＃ = V
HH
为引导块
解锁
在引导块修改的情况下（写入和
擦除） ， RP ＃和V
PP
被设定为V
HH
(12V).
然而，如果RP ＃不是在V
HH
当一个程序或
引导块的擦除操作试验，但是
相应的状态寄存器位（位4的程序
和位5为擦除，参照表5，用于状态
寄存器的定义）被设置为指示失败
完成指定的操作。
初步
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