【Ennnn初步28F002BC 2兆位（ 256K ×8 ）BOOT BLOCK FLASH MEM】,IC型号P28F002BC-T120,P28F002BC-T120 PDF资料,P28F002BC-T120经销商,ic,电子元器件-51电子网

初步

28F002BC 2兆位（ 256K ×8 ）

BOOT BLOCK FLASH MEMORY

扩展循环能力

100000块擦除周期

自动字节写和块擦除

工业标准命令用户

接口

状态寄存器

擦除挂起功能

SRAM兼容写接口

复位/深度掉电输入

0.2 μA我

典型

提供复位的启动操作

行业标准的表面贴装

包装

40引脚TSOP

44引脚PSOP

40引脚PDIP

ETOX IV闪存技术

5V阅读

12V写入和块擦除

= 12V ±5％的标准

= 12V ± 10％的选

独立软件供应商支持

高性能读

80/120 ns的最大访问时间

40 ns（最大值）。输出使能时间

低功耗

20毫安典型读取电流

X8仅输入/输出架构

空间有限的8位

应用

优化阵列无阻塞架构

一个16 KB的保护引导块

两个8 KB参数块

一个96 KB的主座

一个128 KB的主座

顶级位置启动

硬件数据保护功能

擦除/电源中写入锁定

TRANSITIONS

绝对的硬件保护

BOOT BLOCK

软件EEPROM仿真与

参数块

英特尔的2兆位闪存引导块架构的扩展，其中包括块选择性

擦除，自动写入和擦除操作，和一个标准的微处理器接口。在2兆位闪存

存储器增强了引导块的体系结构通过添加更多的密度和块， x8的输入/输出控制，

超高速，低功耗，以及行业标准的ROM兼容的引脚排列和表面贴装封装。

英特尔28F002BC是一个8位宽的闪存产品。这种高密度闪存提供了用户自

可选的总线操作的8位应用程序。该28F002BC是2,097,152位非易失性存储器

组织为262,144字节的信息。它是在44引脚PSOP提供， 40-引脚PDIP和40引脚TSOP

包，这是非常适合空间受限的便携式系统或电路板空间的任何应用程序

局限性。

本装置采用一体化指挥用户界面（CUI ）和写状态机（ WSM ）的简化

字节写和块擦除。该28F002BC提供了与英特尔的MCS - 186兼容模块的位置

家庭， 80286 ， 90860CA ，以及英特尔386 ， 486 ，奔腾和Pentium Pro的微处理器。

引导块包括数据保护功能，以保护引导代码中的关键应用。有

80 ns（最大值）的存取时间，这种高性能的2兆位闪存的零等待状态到接口

多种微处理器和微控制器。深掉电模式降低了总V

动力

消耗1 μW典型。这节省功耗是手持式电池供电系统中的关键。对于非常

采用3.3V电源供电的低功耗应用，请参考英特尔28F002BV -T / B

2兆位SmartVoltage BOOT BLOCK

FL灰内存

数据表。英特尔0.6微米ETOX IV处理技术， 28F002BC制造

快闪记忆体提供了世界一流的质量，可靠性和成本效益在2兆位密度。

1996年10月

订单号： 290578-003

本文档中的信息均与英特尔产品相关。没有许可证，明示或暗示，禁止反言或

否则，任何知识产权授予本文件。除英特尔的条款和条件提供

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侵犯任何专利，版权或其他知识产权。英特尔产品并非设计用于医疗，生活中使用

拯救或延长生命的应用。

英特尔可能随时更改规格和产品说明，在任何时候，恕不另行通知。

该28F002BC可能包含设计缺陷或勘误表错误。最新的勘误表备索。

*第三方品牌和名称均为其各自所有者的财产。

请联系您当地的英特尔销售办事处或分销商，以获取最新的规格和订购产品之前。

哪个有顺序编号的文档或其他英特尔文献中提及的文件副本，可能是

从获得的：

英特尔公司

P.O.箱7641

山展望， IL 60056-7641

或致电1-800-879- 4683

CG-041493

28F002BC 2兆位BOOT BLOCK FLASH MEMORY

页面

1.0简介............................................. 5

1.1设计的密度可升级............ 5

1.2主要特点.............................................. 5

1.3应用................................................ ..6

1.4引脚分配................................................ ......... 7

1.5引脚说明......................................... 10

2.0产品说明............................ 11

2.1存储器组织................................. 12

2.1.1阻止.............................................. 0.12

2.1.2 28F002BC -T模块内存映射......... 12

操作3.0原理..................... 12

3.1总线操作.......................................... 13

3.2读操作........................................ 13

3.2.1读阵列.......................................... 13

3.2.2智能标识符............................ 14

3.3写操作........................................ 14

3.3.1命令的用户界面（ CUI） ........... 14

3.3.2状态寄存器.................................... 17

3.3.3编程模式..................................... 17

3.3.4擦除模式......................................... 18

3.3.5扩展自行车................................ 19

页面

3.4引导块锁定..................................... 19

3.4.1 V

= V

为完整的保护........ 19

3.4.2 RP ＃ = V

为引导块解锁.... 19

3.5功耗................................... 23

3.5.1有功功率....................................... 23

3.5.2备用电源.................................... 23

3.5.3深度掉电............................... 23

3.6电/缩小操作......................... 23

3.6.1 RP ＃连接到系统复位........ 23

3.6.2 V

, V

和RP ＃转换............. 23

3.7电源去耦.......................... 24

3.7.1 V

跟踪印刷电路板.... 24

4.0电气特性.................. 25

4.1绝对最大额定值........................ 25

4.2工作条件.................................. 25

4.2.1电容......................................... 26

4.2.2输入/输出测试条件............... 26

4.2.3直流特性............................... 27

4.2.4交流特性............................... 29

附录A ：订购信息................. 35

附录B ： WSM转换表................. 36

附录C ：其他信息............... 37

初步

28F002BC 2兆位BOOT BLOCK FLASH MEMORY

项

修订历史

数

-001

-002

蓝本

44引脚PSOP销2从杜改为NC

除去备用程序命令（ 10H ）

WSM转换表添加

加40引脚PDIP封装

-003

初步

1.0

1.1

28F002BC 2兆位BOOT BLOCK FLASH MEMORY

介绍

1.2

主要特点

该数据表包括规范

该28F002BC 2兆位闪存。第1节

提供2兆位闪存存储器的概况，

INCLUDING

应用程序，

引脚，

和

针

说明。第2节介绍的内存

组织中的细节。第3节定义

的记忆的原理介绍

操作。最后，第4节详细介绍了存储的

操作规范。

该28F002BC引导块闪存是一种高

性能， 2兆位（ 2,097,152位）快闪记忆体

组织为256字节的8位（ 262,144字节）

每一个。

该28F002BC有单独擦除块，

包括硬件，可锁定引导块（ 16,384

字节），两个参数块（每8,192字节）

的98,304字节，两大块（1块

与131,072字节1块）。擦除

操作通常擦除的主要模块1

2.4秒，在开机或参数块

1.0秒。每个块可独立

擦除和编程100,000次。

引导块位于所述地址的顶部

映射，以匹配许多系统的协议，

其中包括英特尔的MCS- 186系列， 80960CA ， 1860

微处理器以及奔腾和奔腾

亲微处理器。在硬件上锁启动

块提供了最安全的代码存储。该

引导块是用于存储内核代码

需要引导式的系统。当RP ＃

脚是11.4V与12.6V之间时，引导块

解锁和编程和擦除操作即可

来执行。当RP ＃引脚处于或低于

6.5V ，引导块被锁定，程序和

擦除操作来引导块将被忽略。

命令用户界面（CUI ）作为

微处理器之间或接口

微控制器和的内部运作

28F002BC.

编程和擦除的自动化程序允许

和擦除使用一个被执行的操作

工业标准的双写的命令序列，以

崔。数据写操作的字节进行

增量。在闪速存储器中的每个字节可以是

独立于其他存储器编程

位置，但与所有同时擦除

块内的其它位置。

状态寄存器（ SR ）表示的状态

内部写状态机（ WSM ），其中报告

对程序和/或擦除关键信息

序列。

80 ns的最大访问时间（t

加

）是

保证在商用温度

范围（ 0℃ + 70℃ ），10 ％的V

电源电压

范围（ 4.5V至5.5V ）和100 pF的输出负载。

设计的密度

升级

该28F002BC进行了优化，以满足

市场要求。目前正在使用的应用程序

在28F001BX和28F002BX可以迁移到该

产品。当然，无论是28F001BX和

28F002BX设备使用一个8位宽的总线。那些

应用程序需要一个16位宽的总线或低级

电压转换为智能5

SmartVoltage系列闪存产品。

SmartVoltage也是自然的迁移路径

的4兆位密度。无论是28F002BC和

4兆位SmartVoltage均提供相同的

包进行无缝升级。几个

简单的考虑，可以平滑迁移

路径显著：

连接28F002BC到GND的NC引脚

（这将保留引导块锁定时，

4兆位SmartVoltage插入）。

设计一个开关V

趁

在5V V

在SmartVoltage设备选项。

如果预计使用5V V

OPTION ，

开关管V

至GND为完整的写

保护。

以往的设计与英特尔的28F002BX设备

有时不得不用NOR门（或一些

其他方案），以防止漂浮的问题

地址锁存不正确的数据。该28F002BC

已纠正这一问题，并且不需要在

或非门。当使用迁移设计

28F002BX到28F002BC ， NOR门可以是

删除。当考虑升级，包装

是非常重要的。当前和未来

市场趋势表明， TSOP和PSOP作为

包，使设计进入下一

世纪。

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