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E
3.1
28F002BC 2兆位BOOT BLOCK FLASH MEMORY
3.2.1
读阵列
以改变存储器的内容都可以通过访问
崔。
该写状态机的目的（WSM ）是
自动化设备的写入和擦除
彻底。该WSM将开始运行后，
接收到来自CUI和一个信号将报告
状态返回通过状态寄存器。崔会
处理在WE ＃接口的数据和地址
锁存器，以及用于系统软件的请求
状态而WSM正在运行中。
当从V RP ＃转换
IL
（重置）至V
IH
中，
设备将在读出的阵列模式和将响应
给读控制输入端（ CE＃ ，OE ＃和地址
输入），而没有任何指令被写入到
崔。
当该装置处于读阵列模式中，四个控制
信号必须被控制，以读出的数据
输出。
WE＃必须为逻辑高电平（V
IH
)
CE ＃必须为逻辑低电平（V
IL
)
OE ＃为逻辑低电平（V
IL
)
RP ＃必须是逻辑高电平（V
IH
)
巴士业务
快闪记忆体读取，擦除和在系统写入
通过本地CPU 。所有的总线周期来或从闪速
内存符合标准的微处理器总线
周期。这些总线的操作概括在
表2和表4 。
此外，所期望的存储单元的地址要
施加给地址引线。请参见AC
特色的确切顺序和时间安排
这些信号。
如果该设备不是在读阵列模式中，将
一个程序或擦除操作后的情况下，该
阅读模式命令（ FFH ）必须被写入到
前阵崔读才能进行。
3.2
读操作
该28F002BC有三个用户读取模式：阅读
阵列，读取智能识别和读取状态
注册。
在上电期间的条件下，它最多需要
从当V 600纳秒
CC
是在4.5V时有效数据
可在输出端。
表2. 28F002BC公交运营
模式
读
输出禁用
待机
深度掉电
智能标识符（制造商）
智能标识（设备）
写
8
4
4
5,6,7
笔记
1,2,3
RP ＃
V
IH
V
IH
V
IH
V
IL
V
IH
V
IH
V
IH
CE＃
V
IL
V
IL
V
IH
X
V
IL
V
IL
V
IL
OE ＃
V
IL
V
IH
X
X
V
IL
V
IL
V
IH
WE＃
V
IH
V
IH
X
X
V
IH
V
IH
V
IL
A
9
X
X
X
X
V
ID
V
ID
X
A
0
X
X
X
X
V
IL
V
IH
X
V
PP
X
X
X
X
X
X
V
PPH
DQ
0–7
D
OUT
高Z
高Z
高Z
89H
7CH
D
IN
注意事项：
1.参考直流特性。
2. X可以是V
IL
, V
IH
为控制引脚和地址，V
PPLK
或V
PPH
对于V
PP
.
3.见DC特性V
PPLK
, V
PPH
, V
HH
, V
ID
电压。
4.制造商和设备代码，也可以通过崔写序列中，A访问
1
-A
17
= X.
5.请参阅表3为有效D
IN
在写操作。
6.命令写入的程序或块擦除只执行时V
PP
= V
PPH
.
7.写或擦除引导块，抱RP ＃在V
HH
.
8 RP ＃必须在GND
±
0.2V ，以满足规定的最大深度掉电电流。
初步
13
