复合晶体管
XN4130
PNP硅外延平面晶体管
单位：mm
对于低频输出的放大
0.65±0.15
6
0.95
2.8
–0.3
+0.2
+0.25
1.5
–0.05
0.65±0.15
1
0.3
–0.05
0.5
–0.05
2.9
–0.05
q
q
两个元素合并到一个包中。
（晶体管具有内置电阻）
由一个半减少安装面积和装配成本。
1.9±0.1
+0.2
s
特点
5
2
0.95
4
3
s
元素的基本型号
q
1.1
–0.1
0.4±0.2
s
绝对最大额定值
(Ta=25C)
参数
集电极 - 基极电压
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
P
T
T
j
T
英镑
评级
–15
–15
–7
– 0.5
–1
300
150
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
mW
C
C
1 ：收藏家（ Tr1的）
2 ：基地（ TR2）
3 ：发射器（ TR2）
4 ：收藏家（ TR2）
5 ：基地（ Tr1的）
6 ：发射器（ Tr1的）
EIAJ ： SC- 74
迷你型包装（ 6针）
集电极到发射极电压
等级
发射器基极电压
of
元集电极电流
峰值集电极电流
总功耗
总体结温
储存温度
标记符号：
OF
内部连接
6
5
4
Tr1
1
2
3
Tr2
s
电气特性
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
收藏家Cuto FF电流
正向电流传输比
集电极到发射极饱和电压
基地发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
基极 - 射极电阻
(Ta=25C)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CBO
h
FE1
h
FE2
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
f
T
C
ob
R
BE
条件
I
C
= -10μA ，我
E
= 0
I
C
= -1mA ，我
B
= 0
I
E
= -1mA ，我
C
= 0
V
CB
= -10V ，我
E
= 0
V
CE
= -2V ，我
C
= -500mA *
V
CE
= -2V ，我
C
= –1A*
I
C
= -300mA ，我
B
= -6mA
I
C
= -300mA ，我
B
= -6mA
V
CB
= -10V ，我
E
= 50mA时F = 200MHz的
V
CB
= -10V ，我
E
= 0中，f = 1MHz的
–30%
80
50
– 0.2
– 0.9
130
22
10
+30%
– 0.3
–1.3
V
V
兆赫
pF
k
民
–15
–15
–7
– 0.1
280
典型值
最大
单位
V
V
V
A
0 0.05
UN1130
×
2元
为0.1 0.3
0.8
*脉冲测量
0.16
–0.06
+0.2
+0.1
1.45±0.1
+0.1
+0.1
1
