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复合晶体管
XN4130
PNP硅外延平面晶体管
单位:mm
对于低频输出的放大
0.65±0.15
6
0.95
2.8
–0.3
+0.2
+0.25
1.5
–0.05
0.65±0.15
1
0.3
–0.05
0.5
–0.05
2.9
–0.05
q
q
两个元素合并到一个包中。
(晶体管具有内置电阻)
由一个半减少安装面积和装配成本。
1.9±0.1
+0.2
s
特点
5
2
0.95
4
3
s
元素的基本型号
q
1.1
–0.1
0.4±0.2
s
绝对最大额定值
(Ta=25C)
参数
集电极 - 基极电压
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
P
T
T
j
T
英镑
评级
–15
–15
–7
– 0.5
–1
300
150
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
mW
C
C
1 :收藏家( Tr1的)
2 :基地( TR2)
3 :发射器( TR2)
4 :收藏家( TR2)
5 :基地( Tr1的)
6 :发射器( Tr1的)
EIAJ : SC- 74
迷你型包装( 6针)
集电极到发射极电压
等级
发射器基极电压
of
元集电极电流
峰值集电极电流
总功耗
总体结温
储存温度
标记符号:
OF
内部连接
6
5
4
Tr1
1
2
3
Tr2
s
电气特性
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
收藏家Cuto FF电流
正向电流传输比
集电极到发射极饱和电压
基地发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
基极 - 射极电阻
(Ta=25C)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CBO
h
FE1
h
FE2
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
f
T
C
ob
R
BE
条件
I
C
= -10μA ,我
E
= 0
I
C
= -1mA ,我
B
= 0
I
E
= -1mA ,我
C
= 0
V
CB
= -10V ,我
E
= 0
V
CE
= -2V ,我
C
= -500mA *
V
CE
= -2V ,我
C
= –1A*
I
C
= -300mA ,我
B
= -6mA
I
C
= -300mA ,我
B
= -6mA
V
CB
= -10V ,我
E
= 50mA时F = 200MHz的
V
CB
= -10V ,我
E
= 0中,f = 1MHz的
–30%
80
50
– 0.2
– 0.9
130
22
10
+30%
– 0.3
–1.3
V
V
兆赫
pF
k
–15
–15
–7
– 0.1
280
典型值
最大
单位
V
V
V
A
0 0.05
UN1130
×
2元
为0.1 0.3
0.8
*脉冲测量
0.16
–0.06
+0.2
+0.1
1.45±0.1
+0.1
+0.1
1
复合晶体管
P
T
- TA
500
300
XN4130
h
FE
— I
C
集电极到发射极饱和电压V
CE ( SAT )
(V)
V
CE
= –10V
–10
V
CE ( SAT )
— I
C
I
C
/I
B
=10
总功耗P
T
( mW)的
正向电流传输比H
FE
400
250
Ta=75C
200
25C
–1
300
150
–25C
200
100
–0.1
Ta=75C
–25C
–0.01
–1
25C
100
50
0
0
20
40
60
80 100 120 140 160
0
–1
–10
–100
–1000
–10
–100
–1000
环境温度Ta (C )
集电极电流I
C
(MA )
集电极电流I
C
(MA )
I
C
— V
CE
–100
Ta=25C
–87.5
I
B
=–1.0mA
–0.9mA
–0.8mA
–0.7mA
–0.6mA
–0.5mA
–0.4mA
–50
–37.5
–25
–0.1mA
–12.5
0
0
–2
–4
–6
–8
–10
–12
–0.3mA
–0.2mA
I
O
— V
IN
–10000
V
O
=–5V
Ta=25C
–100
V
IN
— I
O
V
O
= –0.2V
Ta=25C
集电极电流I
C
(MA )
输出电流I
O
(
A
)
–62.5
输入电压V
IN
(V)
–75
–1000
–10
–100
–1
–10
–0.1
–1
–0.4
–0.6
–0.8
–1.0
–1.2
–1.4
–0.01
–0.1
–1
–10
–100
集电极到发射极电压V
CE
(V)
输入电压V
IN
(V)
输出电流I
O
(MA )
C
ob
— V
CB
60
集电极输出电容C
ob
(PF )
50
f=1MHz
I
E
=0
Ta=25C
40
30
20
10
0
–1
–10
–100
集电极基极电压V
CB
(V)
2
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