
NTB125N02R , NTP125N02R
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编)
特征
开关特性
漏极至源极击穿电压(注3 )
(V
GS
= 0 V
dc
, I
D
= 250
mA
dc
)
温度系数(正)
零栅极电压漏极电流
(V
DS
= 20 V
dc
, V
GS
= 0 V
dc
)
(V
DS
= 20 V
dc
, V
GS
= 0 V
dc
, T
J
= 125°C)
门体漏电流
(V
GS
=
±20
V
dc
, V
DS
= 0 V
dc
)
基本特征
(注3)
栅极阈值电压(注3 )
(V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
dc
)
阈值温度系数(负)
静态漏 - 源极导通电阻(注3 )
(V
GS
= 10 V
dc
, I
D
= 110 A
dc
)
(V
GS
= 4.5 V
dc
, I
D
= 55 A
dc
)
(V
GS
= 10 V
dc
, I
D
= 20 A
dc
)
(V
GS
= 4.5 V
dc
, I
D
= 20 A
dc
)
正向跨导(注3 )
(V
DS
= 10 V
dc
, I
D
= 15 A
dc
)
动态特性
输入电容
输出电容
传输电容
开关特性
(注4 )
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
栅极电荷
(V
GS
= 4.5 V
dc
, I
D
= 40 A
dc
,
V
DS
= 10 V
dc
) (注3)
源极 - 漏极二极管的特性
在正向电压
(I
S
= 20 A
dc
, V
GS
= 0 V
dc
) (注3)
(I
S
= 55 A
dc
, V
GS
= 0 V
dc
)
(
(I
S
= 20 A
dc
, V
GS
= 0 V
dc
, T
J
= 125°C)
V
SD
0.82
0.99
0 65
0.65
36.5
17.7
18.8
0.024
1.2
mC
V
dc
(V
GS
= 10 V
dc
, V
DD
= 10 V
dc
,
I
D
= 40 A
dc
, R
G
= 3
W)
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
tf
Q
T
Q
1
Q
2
11
39
27
21
23.6
5.1
11
22
80
40
40
28
nC
ns
(
(V
DS
= 20 V
dc
, V
GS
= 0 V , F = 1兆赫)
,
)
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
2710
1105
227
3440
1670
640
pF
V
GS ( TH)
1.0
R
DS ( ON)
g
FS
44
3.7
4.9
3.7
4.7
4.6
6.2
姆欧
1.5
5.0
2.0
V
dc
毫伏/°C的
mW
V
( BR ) DSS
25
I
DSS
I
GSS
1.5
10
±100
nA
dc
28
15
V
dc
毫伏/°C的
mA
dc
符号
民
典型值
最大
单位
反向恢复时间
(I
S
= 30 A
dc
, V
GS
= 0 V
dc
,
dI
S
/ DT = 100 A / MS)(注3 )
反向恢复电荷存储
3.脉冲测试:脉冲宽度
v
300
女士,
占空比
v
2%.
4.开关的特点是独立的工作结点温度。
t
rr
t
a
t
b
Q
RR
ns
http://onsemi.com
2