NTB125N02R ， NTP125N02R
功率MOSFET
125 A， 24 V的N沟道
的TO-220 ，D
2
PAK
特点
平面HD3e工艺的快速开关性能
体二极管的低吨
rr
和Q
rr
并优化同步
手术
低C
国际空间站
以最小化驱动程序丢失
优化Q
gd
和R
DS （ ON）
为贯通保护
低栅电荷
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压 - 连续
热电阻 - 结到外壳
总功率耗散@ T
C
= 25°C
漏电流 -
连续@ T
C
= 25 ℃，芯片
连续@ T
C
= 25 ℃，包装有限公司
连续@ T
A
= 25 ℃，电线有限公司
单脉冲（T
p
= 10
女士）
热电阻 -
结到环境（注1 ）
总功率耗散@ T
A
= 25°C
漏电流 - 连续@ T
A
= 25°C
热电阻 -
结到环境（注2 ）
总功率耗散@ T
A
= 25°C
漏电流 - 连续@ T
A
= 25°C
工作和存储温度范围
单脉冲Drain - to-Source雪崩
能源 - 起始物为
J
= 25°C
(V
DD
= 50 V
dc
, V
GS
= 10 V
dc
, I
L
= 15.5 A
pk
,
L = 1 mH的，R
G
= 25
W)
最大无铅焊接温度的
目的， 1/8“案件从10秒
符号
V
DSS
V
GS
R
QJC
P
D
I
D
I
D
I
D
I
D
R
qJA
P
D
I
D
R
qJA
P
D
I
D
T
J
, T
英镑
E
AS
价值
24
±20
1.1
113.6
125
120.5
95
250
46
2.72
18.6
63
1.98
15.9
-55
150
120
单位
V
dc
V
dc
° C / W
W
A
A
A
A
° C / W
W
A
° C / W
W
A
°C
mJ
2
1 3
T
L
260
°C
http://onsemi.com
125安培， 24伏
R
DS （ ON）
= 3.7毫瓦（典型值）
D
G
S
记号
图表
TO220AB
CASE 221A
风格5
4
125N2R
YWW
1
2
3
4
D
2
PAK
CASE 418AA
方式2
125N2
YWW
1.当表面安装用1英寸的焊盘尺寸的FR4板，
在（铜面积1.127
2
).
2.表面安装的FR4板采用最小建议垫
大小（铜面积在0.412
2
).
125N2
Y
WW
=具体设备守则
=年
=工作周
订购信息
设备
包
D
2
PAK
D
2
PAK
TO220AB
航运
50单位/铁
800 /磁带&卷轴
50单位/铁
引脚分配
针
1
2
3
4
功能
门
漏
来源
漏
NTB125N02R
NTB125N02RT4
NTP125N02R
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2003
1
2003年10月 - 第4版
出版订单号：
NTB125N02R/D
