飞利浦半导体
BUK9Y19-55B
N沟道的TrenchMOS 逻辑电平FET
120
标签是VGS （V）的
ID
(A)
80
10
6
5
4.6
4.4
4.2
4
3.8
40
3.6
3.4
3.2
3
2.8
2.6
0
2
4
6
8
03np29
30
RDSON
(m)
25
03np28
20
15
0
10
10
VDS （ V）
3
7
11
VGS （ V）
15
T
j
= 25
°C;
t
p
= 300
s
T
j
= 25
°C;
I
D
= 20 A
图5.输出特性：漏极电流为
漏极 - 源极电压的函数;典型值。
图6.漏源导通电阻的函数
的栅极 - 源极电压;典型值。
50
RDSON
(m)
40
03np30
2.4
a
03nb25
3.2 3.4 3.6 3.8
4
5
10
1.6
30
20
标签是VGS （V）的
10
0.8
0
0
40
80
ID （ A）
120
0
-60
0
60
120 T（ ℃） 180
j
T
j
= 25
°C
R
DSON
a
=
----------------------------
-
R
DSON
(
25
°
C
)
图8.归漏源导通电阻
因子作为结温的函数。
图7.漏源导通电阻的函数
漏电流;典型值。
9397 750 13188
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产品数据
版本01 - 2004年5月28日
6 12
