飞利浦半导体
BUK9Y19-55B
N沟道的TrenchMOS 逻辑电平FET
5.热特性
表4：
R
日（ J- MB ）
热特性
条件
图4
民
-
典型值
-
最大
2
单位
K / W
热阻结到
安装底座
符号参数
5.1瞬态热阻抗
10
第Z （ J- MB ）
（K / W）
δ
= 0.5
1
0.2
0.1
0.05
10-1
0.02
P
03nm01
δ
=
tp
T
tp
单发
10-2
10-6
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
T
TP （多个）
t
1
图4.瞬态从结的热阻抗，以安装基座的脉冲持续时间的函数。
9397 750 13188
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产品数据
版本01 - 2004年5月28日
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