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A D V A N权证
我N· R M一T I O 4 N
直流特性（ 32Mb的PSRAM页面模式）
页模式
VERSION
性能等级
密度
符号
V
CC
参数
动力
供应
输入高
水平
输入低
水平
输入
泄漏
当前
产量
泄漏
当前
VIN = 0 V
CC
条件
C
-65
32MB PSRAM
民
2.7
最大
3.6
V
CC
+
0.2
0.4
单位
V
-60
32MB PSRAM
民
2.7
最大
3.3
V
CC
+ 0.2
0.2
VCCQ
1
单位
V
E
-65
32MB PSRAM
民
2.7
最大
3.3
V
CC
+ 0.2
0.2
VCCQ
1
单位
V
-70
32MB PSRAM
民
2.7
0.8
VCCQ
-0.2
最大
3.3
V
CC
+
0.2
0.2
VCCQ
1
单位
V
V
IH
1.4
V
0.8 VCCQ
V
0.8 VCCQ
V
V
V
IL
-0.2
V
-0.2
V
-0.2
V
V
I
IL
0.5
A
A
A
A
I
LO
OE = V
IH
or
芯片已禁用
I
OH
= -1.0毫安
0.5
A
1
A
1
A
1
A
V
OH
输出高
电压
I
OH
= -0.2毫安
I
OH
= -0.5毫安
I
OL
= 2.0毫安
0.8
VCCQ
V
0.8 VCCQ
V
0.8 VCCQ
V
0.8
VCCQ
V
V
OL
输出低
电压
I
OL
- 0.2毫安
I
OL
- 0.5毫安
0.2
V
0.2
VCCQ
V
0.2
VCCQ
mA
25
V
0.2
VCCQ
mA
25
V
I
活跃
操作
当前
待机
当前
深层动力
下
当前
1/4阵列
PAR电流
1/2阵列
PAR电流
V
CC
= 3.3 V
V
CC
= 3.0 V
V
CC
= 3.3 V
25
mA
25
mA
I
待机
100
10
A
120
10
A
120
10
A
100
10
A
I
深
睡觉
A
A
A
A
I
PAR 1/4
I
PAR 1/2
65
80
A
A
75
90
A
A
75
90
A
A
65
80
A
A
2004年6月8日pSRAM_Type01_12_A0
PSRAM类型1
169
