添加收藏夹  设为首页  深圳服务热线:13692101218  13751165337
51电子网联系电话:13692101218
位置:首页 > IC型号导航 > 首字符S型号页 > 首字符S的型号第1040页 > S71PL032J04-0K
S71PL -J基于MCP的
堆叠式多芯片产品( MCP )闪存和
内存256M / 128 /三十二分之六十四兆位(16 /8/4 / 2M ×16位) CMOS 3.0
伏只同时操作页面模式闪存
内存和64/32/16/8/4兆位( 4M / 2M / 1M / 512K / 256K X
16位),静态RAM /伪静态RAM
数据表
ADVANCE
信息
请注意,以读者:
进展情况的信息表明,该
文档包含正在开发一个或多个产品信息
在Spansion公司。该信息旨在帮助您评估该产品。
本产品无需联系厂家不要设计。 Spansion公司
保留对本建议的产品修改权利或停止工作
恕不另行通知。
公开号
S71PL-J_00
调整
B
修订
3
发行日期
2006年3月17日
A D V A N权证
我N· R M一T I O 4 N
请注意在数据表牌号
Spansion公司发布的数据表具有超前信息或初步指示来提醒
产品信息在整个产品生命周期的读者或意图规范,在 -
cluding开发,认证,初期生产,满负荷生产。在所有的情况下,但是,
我们鼓励读者以验证它们是否有最新的信息,最终确定自己的DE-前
签收。 Spansion的数据表名称的下面说明在此呈现给高亮
点燃他们的存在和定义。
超前信息
事前信息认证表明Spansion公司正在开发一个或更有针对性
cific产品,但并没有承诺任何设计到生产。在doc-提供的信息
输稿带,该名称是可能发生变化,并且在某些情况下,开发产品上
可能会中止。因此, Spansion公司在推进信息放置在下列条件
化的内容:
“本文件包含有关正在开发的Spansion LLC的一个或多个产品的信息。该
信息旨在帮助您评估该产品。本产品不CON-不要设计
tacting工厂。 Spansion公司保留对本建议修改权利或停止工作
产品,恕不另行通知。 “
初步
预指定表示该产品的开发已取得进展,使得一
致力于生产已经发生。此指定涵盖在本产品的几个方面
UCT生命周期,包括产品合格,初始生产,并在随后的阶段
满负荷生产达到之前发生的制造工艺。更改技术
在初步号文件提出要规范,同时保持这些AS-预期
生产正在考虑pects 。飞索款规定Prelimi-下列条件
进制内容:
“这份文件指出目前的技术规范关于Spansion公司产品(第)描述
在本文中。本文件的初步情况显示,产品合格已经完成,
而且最初的生产已经开始。由于在制造过程中,需要相
保持效率和质量,这个文件可以通过后续的版本或modifica-修改
由于系统蒸发散变化的技术规范“。
组合
有些数据表包含的产品具有不同的名称(组合提前在 -
形成初步或全部生产) 。这种类型的文件将区分这些产品
和它们的名称在必要时,通常在第一页,订货信息
页面,并与DC特性表和AC擦除和编程表页(表
注释) 。在第一页的免责声明是指读者在此页上的通知。
满负荷生产(在文件没有指定)
当产品已经生产了一段时间,使得不改变或仅标称
改变预期,初步指定从数据表中删除。公称
变化可以包括那些影响订货可用的部件号,如数量
另外的一个速度的选择,温度范围,包类型,或V或缺失
IO
范围内。变化
也包括那些需要澄清说明或纠正拼写错误或新断路器
RECT规范。 Spansion公司采用下列条件这一类的文件:
“这份文件指出目前的技术规范关于Spansion公司产品(第)描述
在本文中。 Spansion公司认为该产品已经在足够的生产量,这样子
本文档的序贯版本预计不会改变。但是,印刷或者规格
更正或修改提供可能发生的有效组合。 “
有关这些文件名称的问题,可向当地的AMD或富士通
销售网络的CE 。
ii
S71PL -J基于MCP的
2006年S71PL - J_00_B3 3月17日,
S71PL -J基于MCP的
堆叠式多芯片产品( MCP )闪存和
内存256M / 128 /三十二分之六十四兆位(16 /8/4 / 2M ×16位) CMOS 3.0
伏只同时操作页面模式闪存
内存和64/32/16/8/4兆位( 4M / 2M / 1M / 512K / 256K X
16位),静态RAM /伪静态RAM
数据表
ADVANCE
信息
特色鲜明
MCP特点
2.7 V至3.1 V电源电压
高性能
- 65纳秒( 65 ns的闪存, 70纳秒PSRAM )
套餐
- 7 ×9× 1.2毫米56球FBGA
- 8 X 11.6 X 1.2毫米64球FBGA
- 8 X 11.6 X 1.4毫米84球FBGA
工作温度
- -25 ° C至+ 85°C
= -40 ° C至+ 85°C
概述
该S71PL系列是堆叠式多芯片产品( MCP )封装产品线,由
中:
一个或多个S29PL (同步读/写)闪存存储器芯片
PSRAM和SRAM (见第2页上的“引用的数据表” )
256MB的闪存由两个S29PL127J设备。在这种情况下, CE# f2的用于
访问第二个闪存并没有多余的地址线是必需的。
包括在本文档中的产品列于下表:
闪存密度
32Mb
4兆
8兆
PSRAM的密度
16兆
32 MB
64 MB
S71PL032J40
S71PL032J80
S71PL032JA0
S71PL064J80
S71PL064JA0
S71PL064JB0
S71PL127JB0
S71PL127JC0
闪存密度
32Mb
4兆
SRAM密度(注1 )
8兆
16兆
S71PL032J04
S71PL032J08
S71PL064J08
S71PL064J0A
64Mb
S71PL254JC0
64Mb
128Mb的(注2)
256Mb的(注2)
注意事项:
1.不建议用于新设计;使用基于PSRAM的MCP代替。
2.不建议用于新设计:使用S71PL127N和S71PL256N代替。
公开号
S71PL-J_00
调整
B
修订
3
发行日期
2006年3月17日
本文件包含有关正在开发的Spansion LLC的一个或多个产品的信息。该信息旨在帮助您进行评价,
审视你们这个产品。本产品无需联系厂家不要设计。 Spansion公司保留变更权或停止工作
在此提出的产品,恕不另行通知。
A D V A N权证
我N· R M一T I O 4 N
有关详细规格,请参考下表中列出的各个数据表。
引用的数据表
文件
S29PL-J
PSRAM类型1
PSRAM类型2
8 Mb的PSRAM类型3
16Mb的PSRAM类型3
PSRAM类型4
PSRAM类型5
PSRAM类型6
PSRAM类型7
4兆/ 8 Mb的SRAM类型1
16 Mb的SRAM类型1
SRAM类型4
出版物识别码( PID)的
S29PL-J_M0
psram_12
psram_15
psram_25
psram_06
psram_18
psram_21
psram_14
psram_13
sram_02
sram_06
sram_07
2
S71PL -J基于MCP的
2006年S71PL - J_00_B3 3月17日,
A D V A N权证
我N· R M一T I O 4 N
产品选择指南
32MB闪存
设备型号#
S71PL032J04-0B
S71PL032J04-0K
S71PL032J40-0K
S71PL032J08-0B
S71PL032J80-0F
S71PL032J80-Q7
S71PL032J80-QF
S71PL032JA0-0K
S71PL032JA0-QF
S71PL032JA0-0Z
闪存存取时间(纳秒)
65
65
65
65
65
65
65
65
65
65
( P) SRAM密度
4M SRAM
4M SRAM
4M PSRAM
8M SRAM
8M PSRAM
8M PSRAM
8M PSRAM
16MB PSRAM
16MB PSRAM
16M PSRAM
( P) SRAM的访问时间(纳秒) PSRAM类型
70
70
70
70
70
70
70
70
70
70
SRAM1
SRAM4
pSRAM4
SRAM1
pSRAM5
pSRAM1
pSRAM3
pSRAM1
pSRAM3
pSRAM7
TSC056
TSC056
TLC056
TSC056
TSC056
TSC056
TSC056
TSC056
TSC056
TLC056
64MB闪存
设备型号#
S71PL064J08-0B
S71PL064J80-0K
S71PL064J0A-0S
S71PL064JA0-0Z
S71PL064JA0-0B
S71PL064JA0-07
S71PL064JA0-0P
S71PL064JB0-QB
S71PL064JB0-0U
闪存存取时间(纳秒)
65
65
65
65
65
65
65
65
65
( P) SRAM密度
8M SRAM
8M PSRAM
16M SRAM
16M PSRAM
16M PSRAM
16M PSRAM
16M PSRAM
32M PSRAM
32M PSRAM
( P) SRAM的访问时间(纳秒)
70
70
70
70
70
70
70
70
70
( P) SRAM型
SRAM1
pSRAM1
SRAM1
pSRAM7
pSRAM3
pSRAM1
pSRAM7
pSRAM2
pSRAM6
TLC056
TSC056
TLC056
TLC056
TLC056
TLC056
TLC056
TLC056
TLC056
2006年3月17日S71PL , J_00_B3
S71PL -J基于MCP的
3
S71PL254 / 127 / 064 / 032J基于MCP的
堆叠式多芯片产品( MCP )闪存和RAM
256M / 128 /三十二分之六十四兆位(16 /8/4 / 2M ×16位) CMOS 3.0伏只
同时操作页面模式闪存和
64/32/16/8/4兆位( 4M / 2M / 1M / 512K / 256K ×16位)静态
RAM /伪静态RAM
数据表
特色鲜明
MCP特点
2.7至3.1伏的电源电压
高性能
= 55 ns的
- 65纳秒( 65 ns的闪存, PSRAM为70ns )
套餐
- 7 ×9× 1.2毫米56球FBGA
- 8 X 11.6 X 1.2毫米64球FBGA
- 8 X 11.6 X 1.4毫米84球FBGA
工作温度
- -25 ° C至+ 85°C
= -40 ° C至+ 85°C
ADVANCE
概述
该S71PL系列是堆叠式多芯片产品( MCP )封装产品线
和由以下组成:
一个或多个S29PL (同步读/写)闪存存储器芯片
PSRAM和SRAM
256MB的闪存由两个S29PL127J设备。在这种情况下, CE# f2的
用于访问所述第二闪存和没有额外的地址线是必需的。
包括在本文档中的产品列于下表:
闪存密度
32Mb
4Mb
8Mb
PSRAM
密度
16Mb
32Mb
64Mb
S71PL032J40
S71PL032J80
S71PL032JA0
S71PL064J80
S71PL064JA0
S71PL064JB0
S71PL127JA0
S71PL127JB0
S71PL127JC0
S71PL254JB0
S71PL254JC0
64Mb
128Mb
256Mb
闪存密度
32Mb
SRAM的密度(注)
4Mb
8Mb
S71PL032J04
S71PL032J08
S71PL064J08
64Mb
注意:
不建议用于新设计;使用基于PSRAM的MCP代替。
公开号
S71PL254/127/064/032J_00
调整
A
修订
6
发行日期
2004年11月22日
P L I M I N A R
产品选择指南
32MB闪存
设备型号#
S71PL032J04-0B
S71PL032J04-0F
S71PL032J04-0K
S71PL032J40-0K
S71PL032J40-07
S71PL032J08-0B
S71PL032J80-0P
S71PL032J80-07
S71PL032JA0-0K
S71PL032JA0-0F
S71PL032JA0-0Z
闪存存取时间(纳秒)
65
65
65
65
65
65
65
65
65
65
65
( P) SRAM密度
4M SRAM
4M SRAM
4M SRAM
4M PSRAM
4M PSRAM
8M SRAM
8M PSRAM
8M PSRAM
16MB PSRAM
16MB PSRAM
32M PSRAM
( P) SRAM的访问时间(纳秒) PSRAM类型
70
70
70
70
70
70
70
70
70
70
70
SRAM2
SRAM3
SRAM4
pSRAM4
pSRAM1
SRAM2
pSRAM5
pSRAM1
pSRAM1
pSRAM3
pSRAM7
TSC056
TSC056
TSC056
TLC056
TSC056
TSC056
TSC056
TSC056
TSC056
TSC056
TLC056
64MB闪存
设备型号#
S71PL064J08-0B
S71PL064J08-0U
S71PL064J80-0K
S71PL064J80-07
S71PL064J80-0P
S71PL064JA0-0Z
S71PL064JA0-0B
S71PL064JA0-07
S71PL064JA0-0P
S71PL064JB0-07
S71PL064JB0-0B
S71PL064JB0-0U
闪存存取时间(纳秒)
65
65
65
65
65
65
65
65
65
65
65
65
( P) SRAM密度
8M SRAM
8M SRAM
8M PSRAM
8M PSRAM
8M PSRAM
16M PSRAM
16M PSRAM
16M PSRAM
16M PSRAM
32M PSRAM
32M PSRAM
32M PSRAM
( P) SRAM的访问时间(纳秒)
70
70
70
70
70
70
70
70
70
70
70
70
( P) SRAM型
SRAM2
SRAM4
pSRAM1
pSRAM1
pSRAM5
pSRAM7
SRAM3
pSRAM1
pSRAM7
pSRAM1
pSRAM2
pSRAM6
TLC056
TLC056
TSC056
TLC056
TSC056
TLC056
TLC056
TLC056
TLC056
TLC056
TLC056
TLC056
2
S71PL254 / 127 / 064 / 032J基于MCP的
2004 S71PL254 / 127 / 064 / 032J_00_A6 11月22日,
P L I M I N A R
128MB闪存
设备型号#
S71PL127JA0-9P
S71PL127JA0-9Z
S71PL127JA0-97
S71PL127JB0-97
S71PL127JB0-9Z
S71PL127JB0-9U
S71PL127JB0-9B
S71PL127JC0-97
S71PL127JC0-9Z
S71PL127JC0-9U
闪存存取时间(纳秒)
65
65
65
65
65
65
65
65
65
65
PSRAM的密度
16M PSRAM
16M PSRAM
16M PSRAM
32M PSRAM
32M PSRAM
32M PSRAM
32M PSRAM
64M PSRAM
64M PSRAM
64M PSRAM
PSRAM的访问时间(纳秒)
70
70
70
70
70
70
70
70
70
70
PSRAM类型
pSRAM7
pSRAM7
pSRAM1
pSRAM1
pSRAM7
pSRAM6
pSRAM2
pSRAM1
pSRAM7
pSRAM6
TLA064
TLA064
TLA064
TLA064
TLA064
TLA064
TLA064
TLA064
TLA064
TLA064
256MB闪存( 2xS29PL127J )
设备型号#
S71PL254JB0-T7
S71PL254JB0-TB
S71PL254JB0-TU
S71PL254JC0-TB
S71PL254JC0-TZ
闪存存取时间(纳秒)
65
65
65
65
65
PSRAM的密度
32M PSRAM
32M PSRAM
32M PSRAM
64M PSRAM
64M PSRAM
PSRAM的访问时间(纳秒)
70
70
70
70
70
PSRAM类型
pSRAM1
pSRAM2
pSRAM6
pSRAM2
pSRAM7
FTA084
FTA084
FTA084
FTA084
FTA084
2004年11月22日S71PL254 / 127 / 064 / 032J_00_A6
S71PL254 / 127 / 064 / 032J基于MCP的
3
A D V A N权证
我N· R M一T I O 4 N
S71PL254 / 127 / 064 / 032J基于MCP的
特色鲜明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1
MCP特点........................................................................................................ 1
概述。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1
产品选择指南。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.2
32MB闪存............................................... .............................................. 2
64MB闪存............................................... .............................................. 2
128MB闪存............................................... ............................................ 3
256MB闪存( 2xS29PL127J ) ............................................ ................... 3
表8.自动选择代码(高压法) .................. 49
表9.为保护PL127J引导扇区/扇区块地址/
解除保护................................................. .................... 50
表10. PL064J引导扇区/扇区块的地址
保护/ unprotection的............................................... ....... 51
表11. PL032J引导扇区/扇区块的地址
保护/ unprotection的............................................... ....... 52
选择一个扇区保护模式............................................. ................ 52
表12.扇区保护计划................................... 53
连接图( S71PL032J )
连接图( S71PL064J )
连接图( S71PL127J )
连接图( S71PL254J )
. . . . . . . . . . . . . .9
. . . . . . . . . . . . . 10
. . . . . . . . . . . . . 11
. . . . . . . . . . . . . 12
扇区保护。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 53
扇区保护计划。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 53
密码扇区保护............................................... ............................ 53
WP #硬件保护.............................................. ............................... 53
选择一个扇区保护模式............................................. ................ 53
特殊处理说明对于FBGA封装................................. 12
持久扇区保护。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 54
持久保护位( PPB ) ............................................ .......................... 54
持久保护位锁定( PPB锁) .......................................... ....... 54
持久扇区保护模式锁定位....................................... 56
引脚说明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13
逻辑符号。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13
订购信息。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 14
物理尺寸。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.20
TLC056-56球细间距球栅阵列( FBGA )
9× 7毫米包.............................................. .................................................. 20
TSC056-56球细间距球栅阵列( FBGA )
9× 7毫米包.............................................. .................................................. 21
TLA064-64球细间距球栅阵列( FBGA )
8× 11.6毫米包............................................. ............................................... 22
TSB064-64球细间距球栅阵列( FBGA )
8× 11.6毫米包装............................................. .............................................. 23
FTA084-84球细间距球栅阵列( FBGA )
8× 11.6毫米............................................................................................................ 24
密码保护模式。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 56
密码和密码模式锁定位............................................ .... 56
64位密码.............................................. .................................................. .. 57
写保护( WP # ) ............................................ ........................................... 57
持久保护位锁定.............................................. ..................... 57
高压扇区保护.............................................. ....................... 58
图1.在系统扇区保护/ unprotection的部门
算法................................................. ....................... 59
临时机构撤消............................................... ......................... 60
图2.临时机构撤消操作................... 60
S29PL127J / S29PL064J / S29PL032J的MCP
概述。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 27
零延迟...................... 27同步读/写操作
页面模式功能............................................... ............................................ 27
标准闪存产品特点.............................................. ..................... 27
安全硅扇区闪存地区........................................... 60
工厂锁定的区域( 64个字) .......................................... ..................... 61
客户可锁定区域( 64个字) .......................................... ............. 61
安全硅扇区保护位............................................. ........ 61
图3.安全硅部门保护验证...................... 62
产品选择指南。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.29
框图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。三十
同时读/写框图。 。 。 。 。 。 31
引脚说明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 32
逻辑符号。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 32
设备总线操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 33
表1. PL127J设备总线操作................................ 33
硬件数据保护............................................... .............................. 62
低VCC写禁止.............................................. .................................. 62
写脉冲“毛刺”保护............................................ ................... 62
逻辑禁止...................................................................................................62
上电写禁止............................................. .................................. 62
通用闪存接口( CFI ) 。 。 。 。 。 。 63
表13. CFI查询标识字符串.............................. 63
表14.系统接口字符串........................................ 64
表15.设备几何定义................................... 64
表16.主要供应商特定的扩展查询................ 65
命令定义。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 66
读阵列数据............................................... ............................................ 66
复位命令................................................ ................................................. 66
自选命令序列............................................... ..................... 67
进入安全硅行业/退出安全硅扇区命令硒
quence .................................................................................................................... 67
Word程序命令序列.............................................. ............. 67
解锁绕道命令序列.............................................. .......... 68
图4.程序运行............................................. .. 69
对于读阵列数据要求............................................. ............ 33
随机读取(非页读) .......................................... ...................... 33
页面模式读取............................................... ............................................... 34
表2页选择............................................. ............. 34
同时读/写操作............................................. .............. 34
表3.银行选择............................................. ............. 34
写命令/命令序列............................................. .... 35
加快程序运行............................................... ................ 35
自选功能................................................ ..................................... 35
待机模式.......................................................................................................35
自动休眠模式............................................... ....................................... 36
RESET # :硬件复位引脚............................................ ............................. 36
表4. PL127J部门架构..................................... 37
表5. PL064J部门架构..................................... 44
表6. PL032J部门架构..................................... 47
表7.安全硅扇区地址............................ 48
芯片擦除命令序列.............................................. ..................... 69
扇区擦除命令序列.............................................. .................. 70
图5.擦除操作............................................. ...... 71
擦除暂停/删除恢复命令............................................ ....... 71
命令定义表............................................... .......................... 72
表17.内存阵列命令定义...................... 72
表18.扇区保护命令定义.................. 73
写操作状态。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 74
DQ7 :数据#投票............................................. ............................................... 75
自选模式................................................ ................................................ 49
4
2004 S71PL254 / 127 / 064 / 032J_00_A6 11月22日,
A D V A N权证
我N· R M一T I O 4 N
图6.数据#投票算法......................................... 76
RY / BY # :就绪/忙# ......................................... .............................................. 76
DQ6 :切换位I ............................................. .................................................. 0.76
图7.切换位算法............................................ .. 78
时序图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 99
上电..............................................................................................................99
图23.上电1 ( CS1 #控制) ............................. 99
图24.上电2 ( CS2控制) ................................ 99
DQ2 :触发位II ............................................. ................................................. 78
阅读切换位DQ6 / DQ2 ............................................ ......................... 78
DQ5 :超过时序限制............................................. ........................... 79
DQ3 :扇区擦除定时器............................................. .................................... 79
表19.写操作状态......................................... 80
功能描述。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 100
绝对最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 100
DC推荐工作条件。 。 。 。 。 100
DC和工作特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 101
常见...............................................................................................................101
16M PSRAM ..........................................................................................................102
32M PSRAM .........................................................................................................102
64M PSRAM .........................................................................................................103
绝对最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 81
图8.最大过冲波形............................. 81
工作范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.82
工业级(I )设备............................................. ............................................ 82
无线设备................................................ ............................................... 82
电源电压................................................ .................................................. 。 82
交流工作条件。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 103
测试条件(测试负载和测试输入/输出参考) ........ 103
图25.输出负载............................................. ....... 103
直流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.83
表20. CMOS兼容............................................. ... 83
AC特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.84
测试条件................................................ .................................................. 84
图9.测试设置............................................. ............ 84
表21.测试规范............................................. .. 84
时序图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 105
读时序.......................................................................................................105
图26.时序读周期的波形( 1 ) ..................... 105
图27.时序读周期的波形( 2 ) ..................... 105
图28.时序读周期的波形( 2 ) ..................... 105
ACC特性(Ta = -40 ° C至85°C ,V
CC
= 2.7 3.1 V) ........ 104
开关波形................................................ ....................................... 85
表22.钥匙开关波形................................. 85
图10.输入波形和测量水平............. 85
写时序.....................................................................................................106
图29.写周期# 1 ( WE#控制) ........................
( CS1 #控制)图30.写周期# 2 ......................
图31.定时写周期的波形( 3 )
( CS2控制) .............................................. ...............
图32.定时写周期的波形( 4 ) ( UB # , LB #
控制) ................................................ .....................
106
106
107
107
VCC变化斜率................................................ .................................................. 85
读操作................................................ ................................................ 86
表23.只读操作.......................................... 86
图11.读操作时序....................................... 86
图12.页读操作时序............................... 87
重置...................................................................................................................... 87
表24.硬件复位( RESET # ) .................................... 87
图13.复位时序............................................. ........ 88
PSRAM类型3
特色: 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 108
说明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 108
引脚说明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 108
操作模式。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 109
直流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 109
表30. DC推荐工作条件............... 109
表31.直流特性(T
A
= -25 ° C至85°C , VDD = 2.6
3.3V) ............................................................................. 110
擦除/编程操作.............................................. ............................... 89
表25.擦除和编程操作.............................. 89
时序图................................................ ................................................. 90
图14.编程操作时序.................................. 90
图15.加速程序时序图.................... 90
图16.芯片/扇区擦除操作时序..................... 91
图17.返回到后端的读/写周期时序................. 91
图18.数据#投票计时
(在嵌入式算法) ............................................ 92
图19.触发位计时(在嵌入式算法) .. 92
图20. DQ2与DQ6 ........................................... ........... 93
交流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 110
表32. AC特性和工作条件(T
A
= -25°C
至85℃ ,V
DD
= 2.6 3.3V ) ............................................ 110 ..
表33. AC测试条件............................................ 。 111
图33. AC测试负载............................................ ...... 111
图34.状态图............................................. 112 ....
表34.待机模式特性.............................. 112
保护/取消保护。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 93
表26.临时机构撤消................................. 93
图21.临时机构撤消时序图.......... 93
图22.行业/部门块保护和撤消时序
图................................................. ........................... 94
控制擦除操作............................................... ........................... 95
表27.备用CE #控制擦除和
方案业务................................................ ........... 95
表28.备用CE #控制的写入(擦除/编程)
操作时序................................................ ............. 96
表29.擦除和编程性能.................... 97
时序图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 112
图35.读周期1寻址控制...................
图36.读周期2 -CS1 #控制..........................
图37.写周期1 - WE#控制..........................
图38.写周期2 -CS1 #控制.........................
图39.写Cycle3 - UB # , LB #控制....................
图40.深度掉电模式....................................
图41.上电模式........................................... .....
图42.时序异常............................................. 。
112
113
113
114
114
115
115
115
BGA引脚电容。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 97
2型PSRAM
特色: 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
产品信息。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
引脚说明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
上电顺序。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
98
98
98
99
PSRAM类型4
特色: 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 116
功能描述。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 116
产品组合................................................ ................................................ 116
最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 117
5
2004年11月22日S71PL254 / 127 / 064 / 032J_00_A6
S71PL254 / 127 / 064 / 032J基于MCP的
堆叠式多芯片产品( MCP )闪存和RAM
256M / 128 /三十二分之六十四兆位(16 /8/4 / 2M ×16位) CMOS 3.0伏只
同时操作页面模式闪存和
64/32/16/8/4兆位( 4M / 2M / 1M / 512K / 256K ×16位)静态
RAM /伪静态RAM
数据表
特色鲜明
MCP特点
2.7至3.1伏的电源电压
高性能
= 55 ns的
- 65纳秒( 65 ns的闪存, PSRAM为70ns )
套餐
- 7 ×9× 1.2毫米56球FBGA
- 8 X 11.6 X 1.2毫米64球FBGA
- 8 X 11.6 X 1.4毫米84球FBGA
工作温度
- -25 ° C至+ 85°C
= -40 ° C至+ 85°C
ADVANCE
概述
该S71PL系列是堆叠式多芯片产品( MCP )封装产品线
和由以下组成:
一个或多个S29PL (同步读/写)闪存存储器芯片
PSRAM和SRAM
256MB的闪存由两个S29PL127J设备。在这种情况下, CE# f2的
用于访问所述第二闪存和没有额外的地址线是必需的。
包括在本文档中的产品列于下表:
闪存密度
32Mb
4Mb
8Mb
PSRAM
密度
16Mb
32Mb
64Mb
S71PL032J40
S71PL032J80
S71PL032JA0
S71PL064J80
S71PL064JA0
S71PL064JB0
S71PL127JA0
S71PL127JB0
S71PL127JC0
S71PL254JB0
S71PL254JC0
64Mb
128Mb
256Mb
闪存密度
32Mb
SRAM的密度(注)
4Mb
8Mb
S71PL032J04
S71PL032J08
S71PL064J08
64Mb
注意:
不建议用于新设计;使用基于PSRAM的MCP代替。
公开号
S71PL254/127/064/032J_00
调整
A
修订
6
发行日期
2004年11月22日
P L I M I N A R
产品选择指南
32MB闪存
设备型号#
S71PL032J04-0B
S71PL032J04-0F
S71PL032J04-0K
S71PL032J40-0K
S71PL032J40-07
S71PL032J08-0B
S71PL032J80-0P
S71PL032J80-07
S71PL032JA0-0K
S71PL032JA0-0F
S71PL032JA0-0Z
闪存存取时间(纳秒)
65
65
65
65
65
65
65
65
65
65
65
( P) SRAM密度
4M SRAM
4M SRAM
4M SRAM
4M PSRAM
4M PSRAM
8M SRAM
8M PSRAM
8M PSRAM
16MB PSRAM
16MB PSRAM
32M PSRAM
( P) SRAM的访问时间(纳秒) PSRAM类型
70
70
70
70
70
70
70
70
70
70
70
SRAM2
SRAM3
SRAM4
pSRAM4
pSRAM1
SRAM2
pSRAM5
pSRAM1
pSRAM1
pSRAM3
pSRAM7
TSC056
TSC056
TSC056
TLC056
TSC056
TSC056
TSC056
TSC056
TSC056
TSC056
TLC056
64MB闪存
设备型号#
S71PL064J08-0B
S71PL064J08-0U
S71PL064J80-0K
S71PL064J80-07
S71PL064J80-0P
S71PL064JA0-0Z
S71PL064JA0-0B
S71PL064JA0-07
S71PL064JA0-0P
S71PL064JB0-07
S71PL064JB0-0B
S71PL064JB0-0U
闪存存取时间(纳秒)
65
65
65
65
65
65
65
65
65
65
65
65
( P) SRAM密度
8M SRAM
8M SRAM
8M PSRAM
8M PSRAM
8M PSRAM
16M PSRAM
16M PSRAM
16M PSRAM
16M PSRAM
32M PSRAM
32M PSRAM
32M PSRAM
( P) SRAM的访问时间(纳秒)
70
70
70
70
70
70
70
70
70
70
70
70
( P) SRAM型
SRAM2
SRAM4
pSRAM1
pSRAM1
pSRAM5
pSRAM7
SRAM3
pSRAM1
pSRAM7
pSRAM1
pSRAM2
pSRAM6
TLC056
TLC056
TSC056
TLC056
TSC056
TLC056
TLC056
TLC056
TLC056
TLC056
TLC056
TLC056
2
S71PL254 / 127 / 064 / 032J基于MCP的
2004 S71PL254 / 127 / 064 / 032J_00_A6 11月22日,
P L I M I N A R
128MB闪存
设备型号#
S71PL127JA0-9P
S71PL127JA0-9Z
S71PL127JA0-97
S71PL127JB0-97
S71PL127JB0-9Z
S71PL127JB0-9U
S71PL127JB0-9B
S71PL127JC0-97
S71PL127JC0-9Z
S71PL127JC0-9U
闪存存取时间(纳秒)
65
65
65
65
65
65
65
65
65
65
PSRAM的密度
16M PSRAM
16M PSRAM
16M PSRAM
32M PSRAM
32M PSRAM
32M PSRAM
32M PSRAM
64M PSRAM
64M PSRAM
64M PSRAM
PSRAM的访问时间(纳秒)
70
70
70
70
70
70
70
70
70
70
PSRAM类型
pSRAM7
pSRAM7
pSRAM1
pSRAM1
pSRAM7
pSRAM6
pSRAM2
pSRAM1
pSRAM7
pSRAM6
TLA064
TLA064
TLA064
TLA064
TLA064
TLA064
TLA064
TLA064
TLA064
TLA064
256MB闪存( 2xS29PL127J )
设备型号#
S71PL254JB0-T7
S71PL254JB0-TB
S71PL254JB0-TU
S71PL254JC0-TB
S71PL254JC0-TZ
闪存存取时间(纳秒)
65
65
65
65
65
PSRAM的密度
32M PSRAM
32M PSRAM
32M PSRAM
64M PSRAM
64M PSRAM
PSRAM的访问时间(纳秒)
70
70
70
70
70
PSRAM类型
pSRAM1
pSRAM2
pSRAM6
pSRAM2
pSRAM7
FTA084
FTA084
FTA084
FTA084
FTA084
2004年11月22日S71PL254 / 127 / 064 / 032J_00_A6
S71PL254 / 127 / 064 / 032J基于MCP的
3
A D V A N权证
我N· R M一T I O 4 N
S71PL254 / 127 / 064 / 032J基于MCP的
特色鲜明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1
MCP特点........................................................................................................ 1
概述。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1
产品选择指南。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.2
32MB闪存............................................... .............................................. 2
64MB闪存............................................... .............................................. 2
128MB闪存............................................... ............................................ 3
256MB闪存( 2xS29PL127J ) ............................................ ................... 3
表8.自动选择代码(高压法) .................. 49
表9.为保护PL127J引导扇区/扇区块地址/
解除保护................................................. .................... 50
表10. PL064J引导扇区/扇区块的地址
保护/ unprotection的............................................... ....... 51
表11. PL032J引导扇区/扇区块的地址
保护/ unprotection的............................................... ....... 52
选择一个扇区保护模式............................................. ................ 52
表12.扇区保护计划................................... 53
连接图( S71PL032J )
连接图( S71PL064J )
连接图( S71PL127J )
连接图( S71PL254J )
. . . . . . . . . . . . . .9
. . . . . . . . . . . . . 10
. . . . . . . . . . . . . 11
. . . . . . . . . . . . . 12
扇区保护。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 53
扇区保护计划。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 53
密码扇区保护............................................... ............................ 53
WP #硬件保护.............................................. ............................... 53
选择一个扇区保护模式............................................. ................ 53
特殊处理说明对于FBGA封装................................. 12
持久扇区保护。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 54
持久保护位( PPB ) ............................................ .......................... 54
持久保护位锁定( PPB锁) .......................................... ....... 54
持久扇区保护模式锁定位....................................... 56
引脚说明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13
逻辑符号。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13
订购信息。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 14
物理尺寸。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.20
TLC056-56球细间距球栅阵列( FBGA )
9× 7毫米包.............................................. .................................................. 20
TSC056-56球细间距球栅阵列( FBGA )
9× 7毫米包.............................................. .................................................. 21
TLA064-64球细间距球栅阵列( FBGA )
8× 11.6毫米包............................................. ............................................... 22
TSB064-64球细间距球栅阵列( FBGA )
8× 11.6毫米包装............................................. .............................................. 23
FTA084-84球细间距球栅阵列( FBGA )
8× 11.6毫米............................................................................................................ 24
密码保护模式。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 56
密码和密码模式锁定位............................................ .... 56
64位密码.............................................. .................................................. .. 57
写保护( WP # ) ............................................ ........................................... 57
持久保护位锁定.............................................. ..................... 57
高压扇区保护.............................................. ....................... 58
图1.在系统扇区保护/ unprotection的部门
算法................................................. ....................... 59
临时机构撤消............................................... ......................... 60
图2.临时机构撤消操作................... 60
S29PL127J / S29PL064J / S29PL032J的MCP
概述。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 27
零延迟...................... 27同步读/写操作
页面模式功能............................................... ............................................ 27
标准闪存产品特点.............................................. ..................... 27
安全硅扇区闪存地区........................................... 60
工厂锁定的区域( 64个字) .......................................... ..................... 61
客户可锁定区域( 64个字) .......................................... ............. 61
安全硅扇区保护位............................................. ........ 61
图3.安全硅部门保护验证...................... 62
产品选择指南。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.29
框图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。三十
同时读/写框图。 。 。 。 。 。 31
引脚说明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 32
逻辑符号。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 32
设备总线操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 33
表1. PL127J设备总线操作................................ 33
硬件数据保护............................................... .............................. 62
低VCC写禁止.............................................. .................................. 62
写脉冲“毛刺”保护............................................ ................... 62
逻辑禁止...................................................................................................62
上电写禁止............................................. .................................. 62
通用闪存接口( CFI ) 。 。 。 。 。 。 63
表13. CFI查询标识字符串.............................. 63
表14.系统接口字符串........................................ 64
表15.设备几何定义................................... 64
表16.主要供应商特定的扩展查询................ 65
命令定义。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 66
读阵列数据............................................... ............................................ 66
复位命令................................................ ................................................. 66
自选命令序列............................................... ..................... 67
进入安全硅行业/退出安全硅扇区命令硒
quence .................................................................................................................... 67
Word程序命令序列.............................................. ............. 67
解锁绕道命令序列.............................................. .......... 68
图4.程序运行............................................. .. 69
对于读阵列数据要求............................................. ............ 33
随机读取(非页读) .......................................... ...................... 33
页面模式读取............................................... ............................................... 34
表2页选择............................................. ............. 34
同时读/写操作............................................. .............. 34
表3.银行选择............................................. ............. 34
写命令/命令序列............................................. .... 35
加快程序运行............................................... ................ 35
自选功能................................................ ..................................... 35
待机模式.......................................................................................................35
自动休眠模式............................................... ....................................... 36
RESET # :硬件复位引脚............................................ ............................. 36
表4. PL127J部门架构..................................... 37
表5. PL064J部门架构..................................... 44
表6. PL032J部门架构..................................... 47
表7.安全硅扇区地址............................ 48
芯片擦除命令序列.............................................. ..................... 69
扇区擦除命令序列.............................................. .................. 70
图5.擦除操作............................................. ...... 71
擦除暂停/删除恢复命令............................................ ....... 71
命令定义表............................................... .......................... 72
表17.内存阵列命令定义...................... 72
表18.扇区保护命令定义.................. 73
写操作状态。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 74
DQ7 :数据#投票............................................. ............................................... 75
自选模式................................................ ................................................ 49
4
2004 S71PL254 / 127 / 064 / 032J_00_A6 11月22日,
A D V A N权证
我N· R M一T I O 4 N
图6.数据#投票算法......................................... 76
RY / BY # :就绪/忙# ......................................... .............................................. 76
DQ6 :切换位I ............................................. .................................................. 0.76
图7.切换位算法............................................ .. 78
时序图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 99
上电..............................................................................................................99
图23.上电1 ( CS1 #控制) ............................. 99
图24.上电2 ( CS2控制) ................................ 99
DQ2 :触发位II ............................................. ................................................. 78
阅读切换位DQ6 / DQ2 ............................................ ......................... 78
DQ5 :超过时序限制............................................. ........................... 79
DQ3 :扇区擦除定时器............................................. .................................... 79
表19.写操作状态......................................... 80
功能描述。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 100
绝对最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 100
DC推荐工作条件。 。 。 。 。 100
DC和工作特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 101
常见...............................................................................................................101
16M PSRAM ..........................................................................................................102
32M PSRAM .........................................................................................................102
64M PSRAM .........................................................................................................103
绝对最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 81
图8.最大过冲波形............................. 81
工作范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.82
工业级(I )设备............................................. ............................................ 82
无线设备................................................ ............................................... 82
电源电压................................................ .................................................. 。 82
交流工作条件。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 103
测试条件(测试负载和测试输入/输出参考) ........ 103
图25.输出负载............................................. ....... 103
直流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.83
表20. CMOS兼容............................................. ... 83
AC特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.84
测试条件................................................ .................................................. 84
图9.测试设置............................................. ............ 84
表21.测试规范............................................. .. 84
时序图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 105
读时序.......................................................................................................105
图26.时序读周期的波形( 1 ) ..................... 105
图27.时序读周期的波形( 2 ) ..................... 105
图28.时序读周期的波形( 2 ) ..................... 105
ACC特性(Ta = -40 ° C至85°C ,V
CC
= 2.7 3.1 V) ........ 104
开关波形................................................ ....................................... 85
表22.钥匙开关波形................................. 85
图10.输入波形和测量水平............. 85
写时序.....................................................................................................106
图29.写周期# 1 ( WE#控制) ........................
( CS1 #控制)图30.写周期# 2 ......................
图31.定时写周期的波形( 3 )
( CS2控制) .............................................. ...............
图32.定时写周期的波形( 4 ) ( UB # , LB #
控制) ................................................ .....................
106
106
107
107
VCC变化斜率................................................ .................................................. 85
读操作................................................ ................................................ 86
表23.只读操作.......................................... 86
图11.读操作时序....................................... 86
图12.页读操作时序............................... 87
重置...................................................................................................................... 87
表24.硬件复位( RESET # ) .................................... 87
图13.复位时序............................................. ........ 88
PSRAM类型3
特色: 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 108
说明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 108
引脚说明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 108
操作模式。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 109
直流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 109
表30. DC推荐工作条件............... 109
表31.直流特性(T
A
= -25 ° C至85°C , VDD = 2.6
3.3V) ............................................................................. 110
擦除/编程操作.............................................. ............................... 89
表25.擦除和编程操作.............................. 89
时序图................................................ ................................................. 90
图14.编程操作时序.................................. 90
图15.加速程序时序图.................... 90
图16.芯片/扇区擦除操作时序..................... 91
图17.返回到后端的读/写周期时序................. 91
图18.数据#投票计时
(在嵌入式算法) ............................................ 92
图19.触发位计时(在嵌入式算法) .. 92
图20. DQ2与DQ6 ........................................... ........... 93
交流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 110
表32. AC特性和工作条件(T
A
= -25°C
至85℃ ,V
DD
= 2.6 3.3V ) ............................................ 110 ..
表33. AC测试条件............................................ 。 111
图33. AC测试负载............................................ ...... 111
图34.状态图............................................. 112 ....
表34.待机模式特性.............................. 112
保护/取消保护。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 93
表26.临时机构撤消................................. 93
图21.临时机构撤消时序图.......... 93
图22.行业/部门块保护和撤消时序
图................................................. ........................... 94
控制擦除操作............................................... ........................... 95
表27.备用CE #控制擦除和
方案业务................................................ ........... 95
表28.备用CE #控制的写入(擦除/编程)
操作时序................................................ ............. 96
表29.擦除和编程性能.................... 97
时序图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 112
图35.读周期1寻址控制...................
图36.读周期2 -CS1 #控制..........................
图37.写周期1 - WE#控制..........................
图38.写周期2 -CS1 #控制.........................
图39.写Cycle3 - UB # , LB #控制....................
图40.深度掉电模式....................................
图41.上电模式........................................... .....
图42.时序异常............................................. 。
112
113
113
114
114
115
115
115
BGA引脚电容。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 97
2型PSRAM
特色: 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
产品信息。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
引脚说明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
上电顺序。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
98
98
98
99
PSRAM类型4
特色: 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 116
功能描述。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 116
产品组合................................................ ................................................ 116
最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 117
5
2004年11月22日S71PL254 / 127 / 064 / 032J_00_A6
查看更多S71PL032J04-0KPDF信息
推荐型号
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ:2369405325 复制

    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    S71PL032J04-0K
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:5645336 复制
电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号2-1-1102
S71PL032J04-0K
√ 欧美㊣品
▲10/11+
10259
贴◆插
【dz37.com】实时报价有图&PDF
查询更多S71PL032J04-0K供应信息

深圳市碧威特网络技术有限公司
 复制成功!