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A D V A N权证
我N· R M一T I O 4 N
读/写时序
t
WC
地址
t
姜查
CE1#
t
CP
WE#
t
CP
t
AS
写地址
t
CW
t
WR
t
ASC
t
RC
阅读地址
t
CE
t
姜查
UB # , LB #
t
OHCL
OE #
t
CHZ
t
OH
DQ
读取数据输出
注意事项:
1.该时序图假定CE2 = H 。
2.写地址是有效的从任一CE1 #或WE #最后下降沿。
t
DS
t
DH
t
CLZ
t
OH
写数据输入
图70 。
读/写时序#1-1 ( CE1 #控制)
t
WC
地址
t
姜查
CE1#
t
CP
WE#
t
WP
t
CP
t
AS
写地址
t
WR
t
ASC
t
RC
阅读地址
t
CE
t
姜查
UB # , LB #
t
OHCL
OE #
t
CHZ
t
OH
t
OE
t
DS
t
DH
t
OLZ
t
OH
DQ
读取数据输出
注意事项:
1.该时序图假定CE2 = H 。
2. OE #可以写入操作过程中是固定的低,如果是在读 - 写 - 读序列CE1 #控制的写。
写数据输入
读取数据输出
图71 。
148
读/写时序#1-2 ( CE1 # / WE# / OE #控制)
PSRAM类型7
2004年pSRAM_Type07_13_A1 11月2日,