摩托罗拉
半导体
技术参数
温度补偿
齐纳二极管参考
利用单芯片氧化passi-温度补偿齐纳二极管参考
氧基团结长期电压稳定性。坚固，玻璃封闭，密封
结构。
机械特性：
案例：
全密封，全玻璃
尺寸：
见外形图。
表面处理：
所有的外部表面耐腐蚀和信息很容易焊。
极性：
阴极指示的极性带。
重量：
0.2克（大约）
安装位置：
任何
最大额定值
结点温度： - 55 + 175℃
储存温度： - 65 + 175℃
DC功耗： 400毫瓦@ TA = 50℃
晶圆厂地点：
亚利桑那州凤凰城
装配/测试地点：
亚利桑那州凤凰城
1N821 ，A 1N823 ，A
1N825 ，A 1N827 ，A
1N829,A
温度 -
补偿
硅稳压
参考二极管
6.2 V， 400毫瓦
CASE 299
DO-204AH
玻璃
电气特性
（ TA = 25 ℃，除非另有说明。 VZ = 6.2 V
±
5 ％ * @ IZT = 7.5 mA）的（注5 ）
最大
电压变化
V
Z（伏特）
（注1 ）
环境
温度测试
°C
±1°C
温度
系数
仅供参考
%/°C
（注1 ）
最大
动态阻抗
ZZT欧姆
（注2 ）
JEDEC
型号
1N821
1N823
1N825
1N827
1N829
0.096
0.048
0.019
0.009
0.005
– 55, 0, +25, +75, +100
0.01
0.005
0.002
0.001
0.0005
15
1N821A
1N823A
1N825A
1N827A
1N829A
0.096
0.048
0.019
0.009
0.005
0.01
0.005
0.002
0.001
0.0005
10
*更严格的公差单位可根据特殊要求。
摩托罗拉TVS /稳压设备数据
6.2伏OTC 400毫瓦的DO -35数据表
8-159
