1N821-1,1N823-1,1N825-1,1N827-1和1N829-1 AVAILABLE IN
JAN
,
JANTX ， JANTXV
与JANS
每MIL -PRF-一百五十九分之一万九千五
温度补偿齐纳二极管基准二极管
冶金结合
双封堵施工
1N821通1N829A
和
1N821-1通1N829-1
最大额定值
工作温度： -65 ° C到+ 175℃
存储温度： -65 °C至+ 175℃
DC功耗： 500毫瓦@ + 50°C
功率降额： 4毫瓦/ ° C以上+ 50°C
反向漏电流
l
R
= 2
A @ 25℃ & V
R
= 3伏直流
电气特性
@ 25°C, unless otherwise speci½ed.
JEDEC
TYPE
数
齐纳
电压
VZ @我
ZT
齐纳
TEST
当前
I
ZT
最大
齐纳
阻抗
（注1 ）
Z
ZT
电压
温度
稳定性
V
ZT
-55 ℃至+ 100 ℃
（注2 ）
有效
温度
系数
图1
% / °C
0.01
0.01
0.01
0.005
0.005
0.005
0.002
0.002
0.002
0.001
0.001
0.001
0.0005
0.0005
伏
1N821
1N821A
1N822
1N823
1N823A
1N824
1N825
1N825A
1N826
1N827
1N827A
1N828
1N829
1N829A
5.9—6.5
5.9—6.5
5.9—6.5
5.9—6.5
5.9—6.5
5.9—6.5
5.9—6.5
5.9—6.5
6.2—6.9
5.9—6.5
5.9—6.5
6.2—6.9
5.9—6.5
5.9—6.5
mA
7.5
7.5
7.5
7.5
7.5
7.5
7.5
7.5
7.5
7.5
7.5
7.5
7.5
7.5
欧
15
10
15
15
10
15
15
10
15
15
10
15
15
10
mV
96
96
96
48
48
48
19
19
20
9
9
10
5
5
设计数据
案例：
密封的玻璃
情况。 DO - 35的轮廓。
导线材料：
铜包钢。
铅表面处理：
锡/铅
极性：
二极管与操作
带状（阴极）端阳性。
安装位置：
任。
Double Anode: Electrical Speci½cations Apply Under Both Bias Polarities.
注1
齐纳阻抗叠加在LZT 60Hz的交流电有效值衍生电流等于
到LZT的10％。
观察到的在整个温度范围内，即允许的最大变化，
the diode voltage will not exceed the speci½ed mV at any discrete temperature
与既定的限制，根据JEDEC标准第5号。
注2
6湖街，劳伦斯，马萨诸塞州01841
电话（ 978 ） 620-2600
传真（ 978 ） 689-0803
网址： http://www.microsemi.com
15
1N821-1,1N823-1,1N825-1,1N827-1和1N829-1 AVAILABLE IN
JAN
,
JANTX ， JANTXV
与JANS
每MIL -PRF-一百五十九分之一万九千五
温度补偿齐纳二极管基准二极管
冶金结合
双封堵施工
1N821通1N829A
和
1N821-1通1N829-1
最大额定值
工作温度： -65 ° C到+ 175℃
存储温度： -65 °C至+ 175℃
DC功耗： 500毫瓦@ + 50°C
功率降额： 4毫瓦/ ° C以上+ 50°C
反向漏电流
l
R
= 2
A @ 25℃ & V
R
= 3伏直流
电气特性
@ 25°C, unless otherwise speci½ed.
JEDEC
TYPE
数
齐纳
电压
VZ @我
ZT
齐纳
TEST
当前
I
ZT
最大
齐纳
阻抗
（注1 ）
Z
ZT
电压
温度
稳定性
V
ZT
-55 ℃至+ 100 ℃
（注2 ）
有效
温度
系数
图1
% / °C
0.01
0.01
0.01
0.005
0.005
0.005
0.002
0.002
0.002
0.001
0.001
0.001
0.0005
0.0005
伏
1N821
1N821A
1N822
1N823
1N823A
1N824
1N825
1N825A
1N826
1N827
1N827A
1N828
1N829
1N829A
5.9—6.5
5.9—6.5
5.9—6.5
5.9—6.5
5.9—6.5
5.9—6.5
5.9—6.5
5.9—6.5
6.2—6.9
5.9—6.5
5.9—6.5
6.2—6.9
5.9—6.5
5.9—6.5
mA
7.5
7.5
7.5
7.5
7.5
7.5
7.5
7.5
7.5
7.5
7.5
7.5
7.5
7.5
欧
15
10
15
15
10
15
15
10
15
15
10
15
15
10
mV
96
96
96
48
48
48
19
19
20
9
9
10
5
5
设计数据
案例：
密封的玻璃
情况。 DO - 35的轮廓。
导线材料：
铜包钢。
铅表面处理：
锡/铅
极性：
二极管与操作
带状（阴极）端阳性。
安装位置：
任。
Double Anode: Electrical Speci½cations Apply Under Both Bias Polarities.
注1
齐纳阻抗叠加在LZT 60Hz的交流电有效值衍生电流等于
到LZT的10％。
观察到的在整个温度范围内，即允许的最大变化，
the diode voltage will not exceed the speci½ed mV at any discrete temperature
与既定的限制，根据JEDEC标准第5号。
注2
6湖街，劳伦斯，马萨诸塞州01841
电话（ 978 ） 620-2600
传真（ 978 ） 689-0803
网址： http://www.microsemi.com
15
1N821通1N829A - 1 DO- 7
6.2 & 6.55伏温度补偿
齐纳二极管参考
斯科茨代尔区划
描述
流行1N821通1N829系列零TC参考二极管
提供了两种选择6.2 V和6.55 V额定电压和
温度系数低达0.0005 ％/
o
下最小电压
当在7.5毫安操作随温度而变化。这些玻璃轴向 -
含铅DO- 7的参考二极管也是一月， JANTX ， JANTXV可用，
和JANS军事资格。 Microsemi的还提供了许多其他
齐纳二极管的参考产品，适用于各种其他电压高达200V。
外形
WWW .
Microsemi的
.C
OM
DO-7
(DO-204AA)
重要提示：
有关最新资料，请咨询
Microsemi的
网址：
http://www.microsemi.com
特点
JEDEC注册的直通1N829系列1N821
内部的冶金结合
与1N822和1N824选择双阳极选项
参考电压选择6.2 V & 6.55 V +/- 5 ％
进一步紧密公差的选择在6.35 V额定
1N821 ， 823 ， 825 ， 827和829也有军事
资格符合MIL -PRF-一百五十九分之一万九千五百到JANS
加入JAN ， JANTX ， JANTXV ，或JANS级
前缀的部件号以及“-1”的后缀，例如
JANTX1N829-1等。
可通过改变抗辐射器件
“ 1N ”前缀“ RH ” ，如RH827 ， RH 829 ， RH829A ，
等。也请咨询工厂“ RH ”数据表宣传册
也可在军事表面贴装当量
DO- 213AA与UR - 1的后缀和JAN ， JANTX ，或
JANTXV前缀，如JANTX1N829UR - 1 （另见
数据表）
在较小的轴向引线DO- 35封装也可
（参见单独的数据表）
应用/优势
提供了一个广阔的最小电压变化
温度范围
对于仪器仪表等电路设计
需要稳定的电压参考
最大温度系数的选择
可从0.01 ％ / C至0.0005 ％ / C
严格的电压容差标称参考
6.35 V电压可通过增加耐受性
1 ％，2％ ，3％，等，为零件号码后
例如鉴定1N827-2 ％ ， 1N829A -1 ％ ， 1N829-
1-1 ％等。
灵活的轴向引线安装端子
不敏感每MIL -STD -750方法ESD
1020
最大额定值
操作& StorageTemperature ： -65
o
C至+175
o
C
DC功耗： 500毫瓦@ T
L
= 25
o
C和
最大电流I
ZM
70毫安。注：为了获得最佳
电压 - 温度稳定性，我
Z
= 7.5毫安（小于50
毫瓦的功率耗散）
焊接温度： 260
o
下10秒（最大）
机械及包装
案例：全密封的玻璃柜与DO- 7
（DO- 204AA ）包
端子：锡铅镀焊元
MIL- STD- 750 ，方法2026
标记：部件号和阴极带（除
双阳极1N822和1N824 ）
极性：参考二极管与操作
带状端与相对于正
另一端
TAPE & REEL选项：按标准EIA- 296 （加
“ TR ”后缀的部件号）
重量：0.2克。
请参阅最后一页的封装尺寸
1N821—1N829A-1
版权
2003
2003年10月27日REV C
Microsemi的
斯科茨代尔区划
8700 E.托马斯路。邮政信箱1390 ，斯科茨代尔，AZ 85252 USA ， （ 480 ） 941-6300 ，传真： （ 480 ） 947-1503
第1页
1N821通1N829A - 1 DO- 7
6.2 & 6.55伏温度补偿
齐纳二极管参考
斯科茨代尔区划
*电气特性@ 25
o
C，除非另有规定编
齐纳
电压
（注1和4）
V
Z
@ I
ZT
齐纳
TEST
当前
I
ZT
最大
齐纳
阻抗
（注2 ）
Z
ZT
@ I
ZT
最大
反向
当前
I
R
@ 3 V
电压
温度
稳定性
(V
ZT
MAX ）
o
o
-55℃至+ 100℃
（注3和4）
有效
温度
系数
WWW .
Microsemi的
.C
OM
JEDEC
类型编号
（注1,5 & 6 ）
α
VZ
%/ C
0.01
0.01
0.01
0.005
0.005
0.005
0.002
0.002
0.002
0.001
0.001
0.001
0.0005
0.0005
o
伏
1N821
1N821A
1N822
1N823
1N823A
1N824
1N825
1N825A
1N826
1N827
1N827A
1N828
1N829
1N829A
5.9 – 6.5
5.9 – 6.5
5.9 – 6.5
5.9 – 6.5
5.9 – 6.5
5.9 – 6.5
5.9 – 6.5
5.9 – 6.5
6.2 – 6.9
5.9 – 6.5
5.9 – 6.5
6.2 – 6.9
5.9 – 6.5
5.9 – 6.5
mA
7.5
7.5
7.5
7.5
7.5
7.5
7.5
7.5
7.5
7.5
7.5
7.5
7.5
7.5
欧
15
10
15
15
10
15
15
10
15
15
10
15
15
10
A
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
mV
96
96
96
48
48
48
19
19
20
9
9
10
5
5
* JEDEC注册的数据。
双阳极;电气规格同时适用于偏极性下。
1.
2.
3.
4.
5.
6.
注意事项：
添加一个“-1”后缀内部的冶金结合。订货时有严格的公差设备比对V指定
Z
的额定电压
6.35 V，一个带有分隔符的后缀添加到零件号为所需的公差，如1N827-1-2 ％ ， 1N829-1-1 ％ ， 1N829A -1％ ， 1N829A -1-1 ％等。
o
通过叠加0.75毫安交流有效值测量7.5毫安DC @ 25℃齐纳阻抗
观察到的在整个温度范围内，即允许的最大变化，二极管电压不会超过规定的毫伏
在改变既定的界限之间的分立式温度。
电压测量应用直流电流后进行15秒。
1N821 ， 1N823 ， 1N825 ， 1N827和1N829也有资格MIL -PRF-一百五十九分之一万九千五百通过添加JAN ，
JANTX ， JANTXV ，或
JANS前缀的部件号以及“-1”后缀;例如JANTX1N827-1 ， JANTXV1N829-1等。
候抗辐射用“ RH ”字头，而不是“ 1N ” ，如设备RH829A而不是1N829A 。
图的
变化的温度系数（ ％/℃）
在图1中示出的曲线是典型的二极管系列和
大大简化了温度系数的推定
（TC）时，二极管在电流比7.5毫安其他操作。
例如：在本系列的二极管是在当前操作
的7.5毫安并指定温度系数（ TC ）的限制
o
+/- 0.005 ％ / C。为了得到典型温度系数
此相同的二极管限制在6.0毫安，所述的当前操作
o
新的TC限值（％/℃ ），可使用图中被估计
图1 。
在测试电流6.0毫安的温度系数的变化
o
（TC）是约-0.0006 ％。的C的代数和+/-
o
o
0.005％ C和-0.0006 ％/ C给出的所估计的范围
o
o
+ 0.0044 ％ / C和-0.0056 ％ / ℃。
的温度变化系数（毫伏/℃ ）
o
o
1N821—1N829A-1
图1
温度系数典型改变
变革中的工作电流。
版权
2003
2003年10月27日REV C
Microsemi的
斯科茨代尔区划
8700 E.托马斯路。邮政信箱1390 ，斯科茨代尔，AZ 85252 USA ， （ 480 ） 941-6300 ，传真： （ 480 ） 947-1503
第2页
1N821通1N829A - 1 DO- 7
6.2 & 6.55伏温度补偿
齐纳二极管参考
斯科茨代尔区划
WWW .
Microsemi的
.C
OM
V
Z
- 变化中的齐纳电压（MV ）
这条曲线在图2中示出的变化
从效果所引起的二极管电压
阻抗。它是有效的分解图。
的I-V的齐纳工作区域
的特点。
在结合图1 ，该曲线可以是
用下估计总电压调节
两个不同的温度条件和
电流。
图2
齐纳电压的典型变化
变化中的工作电流
尺寸
I
Z
- 工作电流（mA ）
以英寸所有尺寸
mm
1N821—1N829A-1
版权
2003
2003年10月27日REV C
Microsemi的
斯科茨代尔区划
8700 E.托马斯路。邮政信箱1390 ，斯科茨代尔，AZ 85252 USA ， （ 480 ） 941-6300 ，传真： （ 480 ） 947-1503
第3页
飞利浦半导体
产品speci fi cation
电压基准二极管
特点
温度补偿
参考电压范围：
5.89至6.51 V（典型值6.20 V）
低温度系数范围：
最大。 0.00050.01 ％/ K 。
k
手册， halfpage
1N821为1N829
1N821A到1N829A
描述
在一个密闭SOD68 （DO- 34）的玻璃电压参考二极管
封装。
a
MAM216
应用
电压参考源
测量仪器，如
数字电压表。
Fig.1简化外形（ SOD68 ; DO - 34 ）和符号。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ） 。
符号
I
Z
P
合计
T
英镑
T
j
T
AMB
参数
工作电流
总功耗
储存温度
结温
工作环境温度
T
AMB
= 50
°C
条件
分钟。
65
55
马克斯。
50
400
+200
200
+100
单位
mA
mW
°C
°C
°C
1996年03月20日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
电压基准二极管
电气特性
T
j
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
V
REF
V
REF
参数
参考电压
基准电压偏移
1N821 ; 1N821A
1N823 ; 1N823A
1N825 ; 1N825A
1N827 ; 1N827A
1N829 ; 1N829A
S
Z
温度COEF网络cient
1N821 ; 1N821A
1N823 ; 1N823A
1N825 ; 1N825A
1N827 ; 1N827A
1N829 ; 1N829A
r
DIF
微分电阻
1N821为1N829
1N821A到1N829A
笔记
I
Z
= 7.5毫安;见图4
I
Z
= 7.5毫安：见图3 ;
注1和2
条件
I
Z
= 7.5毫安
I
Z
= 7.5毫安;测试点
T
AMB
:
55;
+25; +75; +100
°C;
见图2 ;注1和2
分钟。
5.89
1N821为1N829
1N821A到1N829A
典型值。
6.20
马克斯。
6.51
96
48
19
9
5
0.01
0.005
0.002
0.001
V
单位
mV
mV
mV
mV
mV
%/K
%/K
%/K
%/K
0.0005 %/K
15
10
1.引用的值
V
REF
是基于一个恒定电流I
Z
。有两个因素可能会导致
V
REF
改变，即
微分电阻r
DIF
和温度系数μS
Z
.
一）作为最大。
DIF
该设备可以是15
,
的0.01毫安中的电流的变化，通过该参考二极管将
导致
V
REF
毫安0.01
×
15
= 0.15毫伏。这一级别的
V
REF
是不是一个1N821 （ΔV显著
REF
< 96毫伏） ，
这不过是一个1N829 （ ΔV非常显著
REF
<为5 mV ） 。
b）该参考电压的S的温度系数
Z
是I的函数
Z
。参考二极管进行分类的
规定的试验电流和S
Z
基准的二极管将处于不同层次的予不同
Z
。绝对值
我
Z
是我很重要，但是，在稳定性
Z
一旦电平已经被设置，是更为显著。这适用
特别是对1N829 。 I的稳定性的效果
Z
在S
Z
示于图3 。
2.所有的基准二极管的特征是'盒法“ 。这保证了最大电压偏移（ ΔV
REF
)
在指定的温度范围内，在指定的测试电流（I
Z
） ，通过在指定的温度测试验证
的范围内指向。 V
Z
测量并记录在指定的每一个温度下进行。该
V
REF
之间最高
值和最低值必须不超过最大
V
REF
给出。因此，温度系数仅给定为
V
ref1
–
V
ref2
100
的参考。它可以来源于：
Z
=
-------------------------------------
×
------------------- %/K
-
-
T
amb2
–
T
amb1
V
参考NOM
热特性
符号
R
日J- TP
R
日J-一
参数
从结热阻，以配合点
从结点到环境的热阻
条件
8毫米从主体
引线长度10毫米
价值
300
375
单位
K / W
K / W
1996年03月20日
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
电压基准二极管
包装外形
1N821为1N829
1N821A到1N829A
手册，全页宽
0.55
最大
1.6
最大
25.4分
3.04
最大
25.4分
MSA212 - 1
尺寸（mm） 。
标记带指示阴极。
该二极管是品牌类型。
图5 SOD68 （DO- 34）。
释义
数据表状态
客观的特定网络阳离子
初步speci fi cation
产品speci fi cation
极限值
给定的限值按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ） 。强调以上一个或
更多的限制，可能导致器件的永久性损坏。这些压力额定值只有经营
该设备在这些或高于任何其他条件的特定网络阳离子的特性部分给出的
是不是暗示。暴露限制值长时间可能会影响器件的可靠性。
应用信息
其中应用信息被给出，它是咨询，并且不形成所述特定网络连接的阳离子的一部分。
生命支持应用
这些产品并非设计用于生命支持设备，设备或系统中使用，其中这些故障
产品可合理预期会导致人身伤害。使用或销售这些产品的飞利浦客户
在这类应用中使用这样做在自己的风险，并同意完全赔偿飞利浦对此类造成的任何损坏
不当使用或销售。
此数据表包含的目标或目标的特定连接的阳离子进行产品开发。
此数据表包含的初步数据;补充数据可以以后出版。
此数据表包含网络最终产品规范阳离子。
1996年03月20日
5
1N821通1N829A - 1 DO- 7
6.2 & 6.55伏温度补偿
齐纳二极管参考
斯科茨代尔区划
描述
流行1N821通1N829系列零TC参考二极管
提供了两种选择6.2 V和6.55 V额定电压和
温度系数低达0.0005 ％/
o
下最小电压
当在7.5毫安操作随温度而变化。这些玻璃轴向 -
含铅DO- 7的参考二极管也是一月， JANTX ， JANTXV可用，
和JANS军事资格。 Microsemi的还提供了许多其他
齐纳二极管的参考产品，适用于各种其他电压高达200V。
外形
WWW .
Microsemi的
.C
OM
DO-7
(DO-204AA)
重要提示：
有关最新资料，请咨询
Microsemi的
网址：
http://www.microsemi.com
特点
JEDEC注册的直通1N829系列1N821
内部的冶金结合
与1N822和1N824选择双阳极选项
参考电压选择6.2 V & 6.55 V +/- 5 ％
进一步紧密公差的选择在6.35 V额定
1N821 ， 823 ， 825 ， 827和829也有军事
资格符合MIL -PRF-一百五十九分之一万九千五百到JANS
加入JAN ， JANTX ， JANTXV ，或JANS级
前缀的部件号以及“-1”的后缀，例如
JANTX1N829-1等。
可通过改变抗辐射器件
“ 1N ”前缀“ RH ” ，如RH827 ， RH 829 ， RH829A ，
等。也请咨询工厂“ RH ”数据表宣传册
也可在军事表面贴装当量
DO- 213AA与UR - 1的后缀和JAN ， JANTX ，或
JANTXV前缀，如JANTX1N829UR - 1 （另见
数据表）
在较小的轴向引线DO- 35封装也可
（参见单独的数据表）
应用/优势
提供了一个广阔的最小电压变化
温度范围
对于仪器仪表等电路设计
需要稳定的电压参考
最大温度系数的选择
可从0.01 ％ / C至0.0005 ％ / C
严格的电压容差标称参考
6.35 V电压可通过增加耐受性
1 ％，2％ ，3％，等，为零件号码后
例如鉴定1N827-2 ％ ， 1N829A -1 ％ ， 1N829-
1-1 ％等。
灵活的轴向引线安装端子
不敏感每MIL -STD -750方法ESD
1020
最大额定值
操作& StorageTemperature ： -65
o
C至+175
o
C
DC功耗： 500毫瓦@ T
L
= 25
o
C和
最大电流I
ZM
70毫安。注：为了获得最佳
电压 - 温度稳定性，我
Z
= 7.5毫安（小于50
毫瓦的功率耗散）
焊接温度： 260
o
下10秒（最大）
机械及包装
案例：全密封的玻璃柜与DO- 7
（DO- 204AA ）包
端子：锡铅镀焊元
MIL- STD- 750 ，方法2026
标记：部件号和阴极带（除
双阳极1N822和1N824 ）
极性：参考二极管与操作
带状端与相对于正
另一端
TAPE & REEL选项：按标准EIA- 296 （加
“ TR ”后缀的部件号）
重量：0.2克。
请参阅最后一页的封装尺寸
1N821—1N829A-1
版权
2003
2003年10月27日REV C
Microsemi的
斯科茨代尔区划
8700 E.托马斯路。邮政信箱1390 ，斯科茨代尔，AZ 85252 USA ， （ 480 ） 941-6300 ，传真： （ 480 ） 947-1503
第1页
1N821通1N829A - 1 DO- 7
6.2 & 6.55伏温度补偿
齐纳二极管参考
斯科茨代尔区划
*电气特性@ 25
o
C，除非另有规定编
齐纳
电压
（注1和4）
V
Z
@ I
ZT
齐纳
TEST
当前
I
ZT
最大
齐纳
阻抗
（注2 ）
Z
ZT
@ I
ZT
最大
反向
当前
I
R
@ 3 V
电压
温度
稳定性
(V
ZT
MAX ）
o
o
-55℃至+ 100℃
（注3和4）
有效
温度
系数
WWW .
Microsemi的
.C
OM
JEDEC
类型编号
（注1,5 & 6 ）
α
VZ
%/ C
0.01
0.01
0.01
0.005
0.005
0.005
0.002
0.002
0.002
0.001
0.001
0.001
0.0005
0.0005
o
伏
1N821
1N821A
1N822
1N823
1N823A
1N824
1N825
1N825A
1N826
1N827
1N827A
1N828
1N829
1N829A
5.9 – 6.5
5.9 – 6.5
5.9 – 6.5
5.9 – 6.5
5.9 – 6.5
5.9 – 6.5
5.9 – 6.5
5.9 – 6.5
6.2 – 6.9
5.9 – 6.5
5.9 – 6.5
6.2 – 6.9
5.9 – 6.5
5.9 – 6.5
mA
7.5
7.5
7.5
7.5
7.5
7.5
7.5
7.5
7.5
7.5
7.5
7.5
7.5
7.5
欧
15
10
15
15
10
15
15
10
15
15
10
15
15
10
A
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
mV
96
96
96
48
48
48
19
19
20
9
9
10
5
5
* JEDEC注册的数据。
双阳极;电气规格同时适用于偏极性下。
1.
2.
3.
4.
5.
6.
注意事项：
添加一个“-1”后缀内部的冶金结合。订货时有严格的公差设备比对V指定
Z
的额定电压
6.35 V，一个带有分隔符的后缀添加到零件号为所需的公差，如1N827-1-2 ％ ， 1N829-1-1 ％ ， 1N829A -1％ ， 1N829A -1-1 ％等。
o
通过叠加0.75毫安交流有效值测量7.5毫安DC @ 25℃齐纳阻抗
观察到的在整个温度范围内，即允许的最大变化，二极管电压不会超过规定的毫伏
在改变既定的界限之间的分立式温度。
电压测量应用直流电流后进行15秒。
1N821 ， 1N823 ， 1N825 ， 1N827和1N829也有资格MIL -PRF-一百五十九分之一万九千五百通过添加JAN ，
JANTX ， JANTXV ，或
JANS前缀的部件号以及“-1”后缀;例如JANTX1N827-1 ， JANTXV1N829-1等。
候抗辐射用“ RH ”字头，而不是“ 1N ” ，如设备RH829A而不是1N829A 。
图的
变化的温度系数（ ％/℃）
在图1中示出的曲线是典型的二极管系列和
大大简化了温度系数的推定
（TC）时，二极管在电流比7.5毫安其他操作。
例如：在本系列的二极管是在当前操作
的7.5毫安并指定温度系数（ TC ）的限制
o
+/- 0.005 ％ / C。为了得到典型温度系数
此相同的二极管限制在6.0毫安，所述的当前操作
o
新的TC限值（％/℃ ），可使用图中被估计
图1 。
在测试电流6.0毫安的温度系数的变化
o
（TC）是约-0.0006 ％。的C的代数和+/-
o
o
0.005％ C和-0.0006 ％/ C给出的所估计的范围
o
o
+ 0.0044 ％ / C和-0.0056 ％ / ℃。
的温度变化系数（毫伏/℃ ）
o
o
1N821—1N829A-1
图1
温度系数典型改变
变革中的工作电流。
版权
2003
2003年10月27日REV C
Microsemi的
斯科茨代尔区划
8700 E.托马斯路。邮政信箱1390 ，斯科茨代尔，AZ 85252 USA ， （ 480 ） 941-6300 ，传真： （ 480 ） 947-1503
第2页
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6.2 & 6.55伏温度补偿
齐纳二极管参考
斯科茨代尔区划
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.C
OM
V
Z
- 变化中的齐纳电压（MV ）
这条曲线在图2中示出的变化
从效果所引起的二极管电压
阻抗。它是有效的分解图。
的I-V的齐纳工作区域
的特点。
在结合图1 ，该曲线可以是
用下估计总电压调节
两个不同的温度条件和
电流。
图2
齐纳电压的典型变化
变化中的工作电流
尺寸
I
Z
- 工作电流（mA ）
以英寸所有尺寸
mm
1N821—1N829A-1
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2003
2003年10月27日REV C
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第3页
1N821-1,1N823-1,1N825-1,1N827-1和1N829-1 AVAILABLE IN
JAN
,
JANTX ， JANTXV
1N821通1N829A
和
1N821-1通1N829-1
与JANS
每MIL -PRF-一百五十九分之一万九千五
温度补偿齐纳二极管基准二极管
冶金结合
双封堵施工
最大额定值
工作温度： -65 ° C到+ 175℃
存储温度： -65 °C至+ 175℃
DC功耗： 500毫瓦@ + 50°C
功率降额： 4毫瓦/ ° C以上+ 50°C
反向漏电流
l
R
= 2
A @ 25℃ & V
R
= 3伏直流
电气特性
@ 25 ° C，除非另有规定ED 。
JEDEC
TYPE
数
齐纳
电压
VZ @我
ZT
齐纳
TEST
当前
I
ZT
最大
齐纳
阻抗
（注1 ）
Z
ZT
电压
温度
稳定性
V
ZT
-55 ℃至+ 100 ℃
（注2 ）
有效
温度
系数
图1
% / °C
0.01
0.01
0.01
0.005
0.005
0.005
0.002
0.002
0.002
0.001
0.001
0.001
0.0005
0.0005
伏
1N821
1N821A
1N822
1N823
1N823A
1N824
1N825
1N825A
1N826
1N827
1N827A
1N828
1N829
1N829A
5.9—6.5
5.9—6.5
5.9—6.5
5.9—6.5
5.9—6.5
5.9—6.5
5.9—6.5
5.9—6.5
6.2—6.9
5.9—6.5
5.9—6.5
6.2—6.9
5.9—6.5
5.9—6.5
mA
7.5
7.5
7.5
7.5
7.5
7.5
7.5
7.5
7.5
7.5
7.5
7.5
7.5
7.5
欧
15
10
15
15
10
15
15
10
15
15
10
15
15
10
mV
96
96
96
48
48
48
19
19
20
9
9
10
5
5
设计数据
案例：
密封的玻璃
情况。 DO - 35的轮廓。
导线材料：
铜包钢。
铅表面处理：
锡/铅
极性：
二极管与操作
带状（阴极）端阳性。
安装位置：
任。
双阳极：电气特定网络应用的阳离子在两个偏置极性。
注1
齐纳阻抗叠加在LZT 60Hz的交流电有效值衍生电流等于
到LZT的10％。
观察到的在整个温度范围内，即允许的最大变化，
二极管电压不会超过特定网络连接编毫伏在任何离散的温度
与既定的限制，根据JEDEC标准第5号。
注2
COREY街22号， MELROSE ，马萨诸塞州02176
电话：（781 ） 665-1071
传真：（781 ） 665-7379
网站： http://www.cdi-diodes.com
电子信箱： mail@cdi-diodes.com
飞利浦半导体
产品speci fi cation
电压基准二极管
特点
温度补偿
参考电压范围：
5.89至6.51 V（典型值6.20 V）
低温度系数范围：
最大。 0.00050.01 ％/ K 。
k
手册， halfpage
1N821为1N829
1N821A到1N829A
描述
在一个密闭SOD68 （DO- 34）的玻璃电压参考二极管
封装。
a
MAM216
应用
电压参考源
测量仪器，如
数字电压表。
Fig.1简化外形（ SOD68 ; DO - 34 ）和符号。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ） 。
符号
I
Z
P
合计
T
英镑
T
j
T
AMB
参数
工作电流
总功耗
储存温度
结温
工作环境温度
T
AMB
= 50
°C
条件
分钟。
65
55
马克斯。
50
400
+200
200
+100
单位
mA
mW
°C
°C
°C
1996年03月20日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
电压基准二极管
电气特性
T
j
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
V
REF
V
REF
参数
参考电压
基准电压偏移
1N821 ; 1N821A
1N823 ; 1N823A
1N825 ; 1N825A
1N827 ; 1N827A
1N829 ; 1N829A
S
Z
温度COEF网络cient
1N821 ; 1N821A
1N823 ; 1N823A
1N825 ; 1N825A
1N827 ; 1N827A
1N829 ; 1N829A
r
DIF
微分电阻
1N821为1N829
1N821A到1N829A
笔记
I
Z
= 7.5毫安;见图4
I
Z
= 7.5毫安：见图3 ;
注1和2
条件
I
Z
= 7.5毫安
I
Z
= 7.5毫安;测试点
T
AMB
:
55;
+25; +75; +100
°C;
见图2 ;注1和2
分钟。
5.89
1N821为1N829
1N821A到1N829A
典型值。
6.20
马克斯。
6.51
96
48
19
9
5
0.01
0.005
0.002
0.001
V
单位
mV
mV
mV
mV
mV
%/K
%/K
%/K
%/K
0.0005 %/K
15
10
1.引用的值
V
REF
是基于一个恒定电流I
Z
。有两个因素可能会导致
V
REF
改变，即
微分电阻r
DIF
和温度系数μS
Z
.
一）作为最大。
DIF
该设备可以是15
,
的0.01毫安中的电流的变化，通过该参考二极管将
导致
V
REF
毫安0.01
×
15
= 0.15毫伏。这一级别的
V
REF
是不是一个1N821 （ΔV显著
REF
< 96毫伏） ，
这不过是一个1N829 （ ΔV非常显著
REF
<为5 mV ） 。
b）该参考电压的S的温度系数
Z
是I的函数
Z
。参考二极管进行分类的
规定的试验电流和S
Z
基准的二极管将处于不同层次的予不同
Z
。绝对值
我
Z
是我很重要，但是，在稳定性
Z
一旦电平已经被设置，是更为显著。这适用
特别是对1N829 。 I的稳定性的效果
Z
在S
Z
示于图3 。
2.所有的基准二极管的特征是'盒法“ 。这保证了最大电压偏移（ ΔV
REF
)
在指定的温度范围内，在指定的测试电流（I
Z
） ，通过在指定的温度测试验证
的范围内指向。 V
Z
测量并记录在指定的每一个温度下进行。该
V
REF
之间最高
值和最低值必须不超过最大
V
REF
给出。因此，温度系数仅给定为
V
ref1
–
V
ref2
100
的参考。它可以来源于：
Z
=
-------------------------------------
×
------------------- %/K
-
-
T
amb2
–
T
amb1
V
参考NOM
热特性
符号
R
日J- TP
R
日J-一
参数
从结热阻，以配合点
从结点到环境的热阻
条件
8毫米从主体
引线长度10毫米
价值
300
375
单位
K / W
K / W
1996年03月20日
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
电压基准二极管
包装外形
1N821为1N829
1N821A到1N829A
手册，全页宽
0.55
最大
1.6
最大
25.4分
3.04
最大
25.4分
MSA212 - 1
尺寸（mm） 。
标记带指示阴极。
该二极管是品牌类型。
图5 SOD68 （DO- 34）。
释义
数据表状态
客观的特定网络阳离子
初步speci fi cation
产品speci fi cation
极限值
给定的限值按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ） 。强调以上一个或
更多的限制，可能导致器件的永久性损坏。这些压力额定值只有经营
该设备在这些或高于任何其他条件的特定网络阳离子的特性部分给出的
是不是暗示。暴露限制值长时间可能会影响器件的可靠性。
应用信息
其中应用信息被给出，它是咨询，并且不形成所述特定网络连接的阳离子的一部分。
生命支持应用
这些产品并非设计用于生命支持设备，设备或系统中使用，其中这些故障
产品可合理预期会导致人身伤害。使用或销售这些产品的飞利浦客户
在这类应用中使用这样做在自己的风险，并同意完全赔偿飞利浦对此类造成的任何损坏
不当使用或销售。
此数据表包含的目标或目标的特定连接的阳离子进行产品开发。
此数据表包含的初步数据;补充数据可以以后出版。
此数据表包含网络最终产品规范阳离子。
1996年03月20日
5
摩托罗拉
半导体
技术参数
温度补偿
齐纳二极管参考
利用单芯片氧化passi-温度补偿齐纳二极管参考
氧基团结长期电压稳定性。坚固，玻璃封闭，密封
结构。
机械特性：
案例：
全密封，全玻璃
尺寸：
见外形图。
表面处理：
所有的外部表面耐腐蚀和信息很容易焊。
极性：
阴极指示的极性带。
重量：
0.2克（大约）
安装位置：
任何
最大额定值
结点温度： - 55 + 175℃
储存温度： - 65 + 175℃
DC功耗： 400毫瓦@ TA = 50℃
晶圆厂地点：
亚利桑那州凤凰城
装配/测试地点：
亚利桑那州凤凰城
1N821 ，A 1N823 ，A
1N825 ，A 1N827 ，A
1N829,A
温度 -
补偿
硅稳压
参考二极管
6.2 V， 400毫瓦
CASE 299
DO-204AH
玻璃
电气特性
（ TA = 25 ℃，除非另有说明。 VZ = 6.2 V
±
5 ％ * @ IZT = 7.5 mA）的（注5 ）
最大
电压变化
V
Z（伏特）
（注1 ）
环境
温度测试
°C
±1°C
温度
系数
仅供参考
%/°C
（注1 ）
最大
动态阻抗
ZZT欧姆
（注2 ）
JEDEC
型号
1N821
1N823
1N825
1N827
1N829
0.096
0.048
0.019
0.009
0.005
– 55, 0, +25, +75, +100
0.01
0.005
0.002
0.001
0.0005
15
1N821A
1N823A
1N825A
1N827A
1N829A
0.096
0.048
0.019
0.009
0.005
0.01
0.005
0.002
0.001
0.0005
10
*更严格的公差单位可根据特殊要求。
摩托罗拉TVS /稳压设备数据
6.2伏OTC 400毫瓦的DO -35数据表
8-159
1N821 ，A 1N823 ，A 1N825 ，A 1N827 ，A 1N829 ，A
最大电压变化与环境温度
（与IZT = 7.5毫安
±0.01
MA）（见注3 ）
1N821通过1N829
25
1N821,A
20
15
1N823,A
10
25
1N825,A
1N827,A
0
1N829,A
1N827,A
–25
–50
V
Z = -31毫伏
1N825,A
–10
1N823,A
–15
–20
1N821,A
–10
–55
0
0
50
100
1N821,A
–25
–55
TA ，环境温度（ ° C）
1N825,A
1N823,A
0
50
100
5
0
–5
1N829,A
1N827,A
1N827,A
1N829,A
1N823,A
1N825,A
100
IZT = 7.5毫安
75
VZ ，最大电压变化（MV ）
（参考-55
°C)
50
V
Z = 31 mV的
1N821,A
–75
图1A
图1b
齐纳电流与最大电压变化
（在特定温度下）
（见注4 ）
95％以上的单位都在表明的曲线范围。
10
9
I Z ，齐纳电流（mA）
–55°C
10
+100°C
9
+25°C
I Z ，齐纳电流（mA）
8
7.5
7
6
+100°C
5
+25°C
–55°C
IZT
+100°C
8
7.5
7
6
+100°C
5
4
–75
IZT
+25°C
–55°C
+25°C
–55°C
–50
–25
0
25
50
4
–75
–50
–25
0
25
50
V
Z，最大电压变化（MV ）
（参考IZT = 7.5 mA）的
V
Z，最大电压变化（MV ）
（参考IZT = 7.5 mA）的
图2. 1N821系列
图3. 1N821A系列
粗体，斜体列出的设备是摩托罗拉的首选设备。
6.2伏OTC 400毫瓦的DO -35数据表
8-160
摩托罗拉TVS /稳压设备数据
1N821 ，A 1N823 ，A 1N825 ，A 1N827 ，A 1N829 ，A
最大齐纳阻抗与齐纳电流
（见注2 ）
95％以上的单位都在表明的曲线范围。
ZZ ，最大齐纳阻抗（欧姆）
1000
800
600
400
200
100
80
60
40
20
10
8
6
4
2
1
1
2
4
6
8 10
20
40
60 80 100
IZ ，齐纳电流（毫安）
100°C
25°C
–55°C
ZZ ，最大齐纳阻抗（欧姆）
1000
800
600
400
200
100
80
60
40
20
10
8
6
4
2
1
1
2
4
6
8 10
20
40
60 80 100
IZ ，齐纳电流（毫安）
–55°C
25°C
100°C
图4. 1N821系列
图5. 1N821A系列
注： 1，电压变化（ ΔVZ ）和温度系数
所有参考二极管的特征是“盒法”，这保证了最大电压
年龄变化（ ΔVZ ）在规定的温度范围内，在指定的测试电流（ IZT ）
通过测试在该范围内指示温度点进行验证。 VZ测量并重新
有线在每个指定的温度。该
V
Z中的最高值和最低值之间的绝
不超过最大
V
定。现在用于指示电压稳定性的这种方法
JEDEC的注册以及用于军事资格。指示的前一种方法
电压稳定度 - 温度系数的方法准确地反映了电压devi-
振荡器在极端温度，但不一定是温度范围内准确
范围，因为基准二极管的非线性温度的关系。温度
系数，因此，仅给出作为参考。
注3 。
这些曲线可以用来确定任何设备中的最大电压变化
系列在任何特定的温度范围。例如，温度变化从0到
+ 50°C会引起电压变化不大于31 mV或 - 31毫伏为1N821或1N821A ，
如由图1中的虚线给出的边界是最大值。为
更高的分辨率，所述中心区域在图1a中的放大图表示在图1b中。
注4 。
的最大电压变化，
V
Z，图2和3完全是由于的阻抗
装置。如果温度和IZT被改变，则总的电压变化，可以得到
通过图形化加
V
中的Z图2或3的
V
中的Z图1为根据考虑 - 在设备
通报BULLETIN 。如果该设备是要在某个稳定的电流其它操作比指定的测试电流
租金，一组新的特征可以通过重叠的数据在图2或3的绘制
上图1.如需更详细的说明，请参见后面的部分应用笔记。
注5 。
在25℃下与测试电流（ IZT ）测定的齐纳电压限制加在器件junc-
灰中的热平衡，在25 ℃的环境温度下进行。
注2 。
动态齐纳阻抗ZZT ，从60赫兹的交流电压降，导致来自
当一交流电流的均方根值等于直流齐纳电流， IZT的10％，是superim-
提出对IZT 。曲线示出齐纳阻抗的齐纳电流对每个变异
系列示于图4和图5 。
摩托罗拉TVS /稳压设备数据
6.2伏OTC 400毫瓦的DO -35数据表
8-161
1N821通1N829A - 1 DO- 7
6.2 & 6.55伏温度补偿
齐纳二极管参考
斯科茨代尔区划
描述
流行1N821通1N829系列零TC参考二极管
提供了两种选择6.2 V和6.55 V额定电压和
温度系数低达0.0005 ％/
o
下最小电压
当在7.5毫安操作随温度而变化。这些玻璃轴向 -
含铅DO- 7的参考二极管也是一月， JANTX ， JANTXV可用，
和JANS军事资格。 Microsemi的还提供了许多其他
齐纳二极管的参考产品，适用于各种其他电压高达200V。
外形
WWW .
Microsemi的
.C
OM
DO-7
(DO-204AA)
重要提示：
有关最新资料，请咨询
Microsemi的
网址：
http://www.microsemi.com
特点
JEDEC注册的直通1N829系列1N821
内部的冶金结合
与1N822和1N824选择双阳极选项
参考电压选择6.2 V & 6.55 V +/- 5 ％
进一步紧密公差的选择在6.35 V额定
1N821 ， 823 ， 825 ， 827和829也有军事
资格符合MIL -PRF-一百五十九分之一万九千五百到JANS
加入JAN ， JANTX ， JANTXV ，或JANS级
前缀的部件号以及“-1”的后缀，例如
JANTX1N829-1等。
可通过改变抗辐射器件
“ 1N ”前缀“ RH ” ，如RH827 ， RH 829 ， RH829A ，
等。也请咨询工厂“ RH ”数据表宣传册
也可在军事表面贴装当量
DO- 213AA与UR - 1的后缀和JAN ， JANTX ，或
JANTXV前缀，如JANTX1N829UR - 1 （另见
数据表）
在较小的轴向引线DO- 35封装也可
（参见单独的数据表）
应用/优势
提供了一个广阔的最小电压变化
温度范围
对于仪器仪表等电路设计
需要稳定的电压参考
最大温度系数的选择
可从0.01 ％ / C至0.0005 ％ / C
严格的电压容差标称参考
6.35 V电压可通过增加耐受性
1 ％，2％ ，3％，等，为零件号码后
例如鉴定1N827-2 ％ ， 1N829A -1 ％ ， 1N829-
1-1 ％等。
灵活的轴向引线安装端子
不敏感每MIL -STD -750方法ESD
1020
最大额定值
操作& StorageTemperature ： -65
o
C至+175
o
C
DC功耗： 500毫瓦@ T
L
= 25
o
C和
最大电流I
ZM
70毫安。注：为了获得最佳
电压 - 温度稳定性，我
Z
= 7.5毫安（小于50
毫瓦的功率耗散）
焊接温度： 260
o
下10秒（最大）
机械及包装
案例：全密封的玻璃柜与DO- 7
（DO- 204AA ）包
端子：锡铅镀焊元
MIL- STD- 750 ，方法2026
标记：部件号和阴极带（除
双阳极1N822和1N824 ）
极性：参考二极管与操作
带状端与相对于正
另一端
TAPE & REEL选项：按标准EIA- 296 （加
“ TR ”后缀的部件号）
重量：0.2克。
请参阅最后一页的封装尺寸
1N821—1N829A-1
版权
2003
2003年10月27日REV C
Microsemi的
斯科茨代尔区划
8700 E.托马斯路。邮政信箱1390 ，斯科茨代尔，AZ 85252 USA ， （ 480 ） 941-6300 ，传真： （ 480 ） 947-1503
第1页
1N821通1N829A - 1 DO- 7
6.2 & 6.55伏温度补偿
齐纳二极管参考
斯科茨代尔区划
*电气特性@ 25
o
C，除非另有规定编
齐纳
电压
（注1和4）
V
Z
@ I
ZT
齐纳
TEST
当前
I
ZT
最大
齐纳
阻抗
（注2 ）
Z
ZT
@ I
ZT
最大
反向
当前
I
R
@ 3 V
电压
温度
稳定性
(V
ZT
MAX ）
o
o
-55℃至+ 100℃
（注3和4）
有效
温度
系数
WWW .
Microsemi的
.C
OM
JEDEC
类型编号
（注1,5 & 6 ）
α
VZ
%/ C
0.01
0.01
0.01
0.005
0.005
0.005
0.002
0.002
0.002
0.001
0.001
0.001
0.0005
0.0005
o
伏
1N821
1N821A
1N822
1N823
1N823A
1N824
1N825
1N825A
1N826
1N827
1N827A
1N828
1N829
1N829A
5.9 – 6.5
5.9 – 6.5
5.9 – 6.5
5.9 – 6.5
5.9 – 6.5
5.9 – 6.5
5.9 – 6.5
5.9 – 6.5
6.2 – 6.9
5.9 – 6.5
5.9 – 6.5
6.2 – 6.9
5.9 – 6.5
5.9 – 6.5
mA
7.5
7.5
7.5
7.5
7.5
7.5
7.5
7.5
7.5
7.5
7.5
7.5
7.5
7.5
欧
15
10
15
15
10
15
15
10
15
15
10
15
15
10
A
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
mV
96
96
96
48
48
48
19
19
20
9
9
10
5
5
* JEDEC注册的数据。
双阳极;电气规格同时适用于偏极性下。
1.
2.
3.
4.
5.
6.
注意事项：
添加一个“-1”后缀内部的冶金结合。订货时有严格的公差设备比对V指定
Z
的额定电压
6.35 V，一个带有分隔符的后缀添加到零件号为所需的公差，如1N827-1-2 ％ ， 1N829-1-1 ％ ， 1N829A -1％ ， 1N829A -1-1 ％等。
o
通过叠加0.75毫安交流有效值测量7.5毫安DC @ 25℃齐纳阻抗
观察到的在整个温度范围内，即允许的最大变化，二极管电压不会超过规定的毫伏
在改变既定的界限之间的分立式温度。
电压测量应用直流电流后进行15秒。
1N821 ， 1N823 ， 1N825 ， 1N827和1N829也有资格MIL -PRF-一百五十九分之一万九千五百通过添加JAN ，
JANTX ， JANTXV ，或
JANS前缀的部件号以及“-1”后缀;例如JANTX1N827-1 ， JANTXV1N829-1等。
候抗辐射用“ RH ”字头，而不是“ 1N ” ，如设备RH829A而不是1N829A 。
图的
变化的温度系数（ ％/℃）
在图1中示出的曲线是典型的二极管系列和
大大简化了温度系数的推定
（TC）时，二极管在电流比7.5毫安其他操作。
例如：在本系列的二极管是在当前操作
的7.5毫安并指定温度系数（ TC ）的限制
o
+/- 0.005 ％ / C。为了得到典型温度系数
此相同的二极管限制在6.0毫安，所述的当前操作
o
新的TC限值（％/℃ ），可使用图中被估计
图1 。
在测试电流6.0毫安的温度系数的变化
o
（TC）是约-0.0006 ％。的C的代数和+/-
o
o
0.005％ C和-0.0006 ％/ C给出的所估计的范围
o
o
+ 0.0044 ％ / C和-0.0056 ％ / ℃。
的温度变化系数（毫伏/℃ ）
o
o
1N821—1N829A-1
图1
温度系数典型改变
变革中的工作电流。
版权
2003
2003年10月27日REV C
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斯科茨代尔区划
8700 E.托马斯路。邮政信箱1390 ，斯科茨代尔，AZ 85252 USA ， （ 480 ） 941-6300 ，传真： （ 480 ） 947-1503
第2页
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6.2 & 6.55伏温度补偿
齐纳二极管参考
斯科茨代尔区划
WWW .
Microsemi的
.C
OM
V
Z
- 变化中的齐纳电压（MV ）
这条曲线在图2中示出的变化
从效果所引起的二极管电压
阻抗。它是有效的分解图。
的I-V的齐纳工作区域
的特点。
在结合图1 ，该曲线可以是
用下估计总电压调节
两个不同的温度条件和
电流。
图2
齐纳电压的典型变化
变化中的工作电流
尺寸
I
Z
- 工作电流（mA ）
以英寸所有尺寸
mm
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版权
2003
2003年10月27日REV C
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8700 E.托马斯路。邮政信箱1390 ，斯科茨代尔，AZ 85252 USA ， （ 480 ） 941-6300 ，传真： （ 480 ） 947-1503
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