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初步
概观
该CY9C6264是一个字节宽度MRAM内存。内存
阵列逻辑上组织为8,192 × 8以及使用访问
行业标准的并行异步SRAM样
界面。该CY9C6264本质上是非易失性的，报价
写的过程中突然断电保护。功能操作
所述MRAM的其它方面类似于SRAM型器件。
内存架构
用户访问每个8192的内存位置有八个数据
通过并行接口的位。在内部，所述存储器阵列
分为128行8块X每64列。
访问和周期时间是相同的读取和写入
内存操作。不同于EEPROM或闪存，它不是
要轮询设备，因为写了一个现成的条件
发生在公交车的速度。
内存操作
该CY9C6264被设计以类似于的方式操作
其他的单字节宽，内存产品。对于用户熟悉
BBSRAM ，所述MRAM性能优越。对于用户
熟悉EEPROM ，Flash和FeRAM的，明显的differ-
分配办法由MRAM的高写入性能产生
技术和更高的擦写次数。
所有的存储器阵列的位在时间设置为逻辑“1”的
出货。
读操作
一个读周期开始时WE（写使能）是无效的
（高）和CE
1
（芯片使能）和OE （输出使能）是
低电平有效，而CE
2
为高电平有效。的唯一地址
由13地址输入指定的（A
0
–A
12
）定义的
在8,192个字节的数据是要被访问。有效数据将被
可在内部吨的八个输出引脚
AA
（访问时间）后，
的最后一个地址输入是稳定的，所提供的CE
1
或CE
2
和
OE访问时间还纳。如果CE
1
或CE
2
和OE
访问时间不满足，数据访问必须是
从后面出现的信号（CE测定
1
，CE
2
或OE ）
和限制参数是吨
ACE1
对于CE
1
, t
ACE2
为
CE
2
或T
美国能源部
为OE ，而不是地址的访问。
写周期
该CY9C6264启动写周期每当WE和
CE
1
信号有效（低电平）或WE为低和CE
2
高，
地址后输入是稳定的。后来发生的下降沿
CE认证
1
（如遇CE上升
2
），否则我们将确定的开始
写周期。写周期是由提前终止
CE的上升沿
1
（下降沿的情况下的CE
2
）或WE 。所有
地址输入必须保持有效的在整个写周期。
在OE控制信号应当在保持非活动状态（ HIGH ）
写周期，以避免总线冲突。然而，如果输出
驱动程序启用（ CE
1
或CE
2
和OE激活） ，我们将
禁止在T输出
HZWE
从WE下降沿。
不像其它非易失性存储器技术，不存在
写延迟与MRAM 。发生在整个存储器操作
在一个总线周期。因此，任何操作，包括读
或者可以写下面写立即发生。数据轮询，
与EEPROM器件中使用的技术，以确定是否写入是
完整的，是不必要的。页写，用一种技术
加强EEPROM写性能，也不必要
因为固有的快速写入周期时间MRAM 。该
总的写入时间为整个阵列是0.575毫秒。
文件编号： 38-15003牧师* D
写保护和数据保留模式
CY9C6264
此功能可以防止因疏忽而写。该
CY9C6264为V全功能的能力
CC
更大
比4.5V和写保护之下4.0V的器件。数据
保持在无Ⅴ的
CC
。在上电时，
正常操作就可以恢复20
s
经过V
PFD
被达到。
请参阅第8页的详细信息。
突然停电损失 - “布朗去”
非易失性RAM连续监视V
CC
。如若
下面的操作范围内的电源电压的衰减，则
CY9C6264自动写保护自己，所有的输入
成为“不关心” ，所有输出变为高阻抗。
请参阅第8页的详细信息。
硅签字/设备ID
可用于对设备的用户的额外的64字节的MRAM的
ID。通过提高
7
到V
CC
+ 2.0V ，并通过使用地址位置
00 （十六进制） ，以3F （十六进制）上的地址引脚
6
, A
5
, A
4
, A
12
, A
11
和
A
10
（从MSB到LSB ）分别附加字节可以是
作为常规存储器阵列相同的方式访问
与140ns读取访问时间和140ns写周期时间。
写的MRAM的额外字节需要一个较长的地址
设置写了70纳秒与正常工作的开始specifi-
阳离子为0ns的。滴加
7
从输入高电平（V
CC
+ 2.0V ）至<
V
CC
+ 0.5V最大。将设备返回到正常操作之后
140 ns的延迟。
地址（ MSB到LSB ）
A
6
A
5
A
4
A
12
A
11
A
10
00h
01h
02h–3Fh
描述
制造商ID
器件ID
用户空间
ID
34h
41h
62字节
所有的用户空间位在装运时设置为逻辑“ 1 ” 。
磁屏蔽
CY9C6264是从通过外部磁场的保护
一种“磁屏蔽”覆盖整个应用
存储器阵列。
应用
电池供电的SRAM（ BBSRAM ）更换
CY9C6264是用来取代（即插即用）现有
BBSRAM而省去了电池和V
CC
监控IC ，降低了成本和电路板空间和提高
系统的可靠性。
具有多个组件，组件相关联的成本，
和制造费用与电池相关的支持
SRAM被用单片的MRAM消除。 CY9C6264
消除了多个组件，连接器，模块，现场
维护，并共同与BB的环境问题
SRAM 。 MRAM是一种真正的非易失性RAM的高perfor-
曼斯，高耐用性和数据保留。
电池支持的SRAM被迫监视V
CC
为了
切换到备用电池。这是修改现有的用户
设计使用MRAM取代BBSRAM的，可以消除
V
CC
控制器IC以及电池。 MRAM执行此
功能芯片。
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