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初步
CY9C6264
8K ×8非易失性磁性CMOS RAM
特点
100％的外形，装配，功能兼容8K × 8
微功耗SRAM CY6264
- 快速读写访问： 70纳秒
电压范围： 4.5V - 5.5V操作
- 低有功功率： 330毫瓦（最大）
—
低待机功耗， CMOS ： 495
W
（ MAX 。 ）
易于内存扩展CE和OE特点
TTL兼容的输入和输出
自动断电时取消
替代8K × 8备用电池（ BB ） SRAM ， SRAM ，
的EEPROM ， FeRAM的，或Flash存储器
数据自动写入断电时保护
写周期耐力： >10
15
周期
数据保存： >10年
从外部磁场屏蔽
额外的64个字节的设备识别和跟踪
温度范围
—
商业： 0 ° C至70℃
—
工业： -40 ° C至+ 85°C
JEDEC STD 28引脚DIP （ 600密耳） ， 28引脚（ 300 mil）的SOIC
和28引脚TSOP - 1封装。此外，在450万可
宽（ 300密耳的车身宽度） 28引脚窄体SOIC 。
功能说明
该CY9C6264是一个高性能的CMOS非易失性
RAM采用了先进的磁RAM （ MRAM ）
流程。的MRAM是非易失性的存储器操作为
快速读写的RAM 。它提供的数据保存为更
十几年，同时消除了可靠性问题，
功能性的缺点，而且系统设计的复杂性
电池备份SRAM ， EEPROM ，闪存和FeRAM的。其快速
写和高写周期耐力使它优于
其他类型的非易失性存储器。
该CY9C6264操作非常类似于SRAM器件。
内存的读写周期需要相同的时间。在MRAM
存储器是非易失性的，由于其独特的磁处理。
与BBSRAM的CY9C6264是一个真正的单片nonvol-
atile内存。它提供了一种快速的相同功能性益处
写与不相关的严重缺点
模块和电池或混合动力的存储解决方案。
这些功能使CY9C6264理想的非易失性
需要频繁或快速写操作的存储器应用
字节宽的环境。
该CY9C6264提供商用和工业
温度范围。
逻辑框图
销刀豆网络gurations
SOIC / DIP
顶视图
NC
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
10
A
11
A
12
I / O
0
I / O
1
I / O
2
GND
OE
A
1
A
2
A
3
CE
2
WE
V
CC
NC
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
22
23
24
25
26
27
28
1
2
3
4
5
6
7
INPUTBUFFER
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
CE
2
CE
1
WE
OE
I / O
0
I / O
1
行解码器
检测放大器
硅签名。
512 × 128
Y
ARRA
I / O
2
I / O
3
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
V
CC
WE
CE
2
A
3
A
2
A
1
OE
A
0
CE
1
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
3
21
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
10
9
8
I / O
4
I / O
5
COLUMN
解码器
A
12
A
11
A
10
A
0
动力
DOWN &
写
保护
I / O
6
I / O
7
TSOP I
顶视图
（不按比例）
A
0
CE
1
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
3
GND
I / O
2
I / O
1
I / O
0
A
12
A
11
A
10
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-15003牧师* D
3901北一街
圣荷西
,
CA 95134
408-943-2600
修订后的2005年1月25日
