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初步
表面贴装装配。这可以通过消除
MRAM 。在案件DIP电池备份模块，装配
技术被限制在通孔组件和
不使用水冲洗电路板。
系统可靠性：
电池备份SRAM本质上是
容易受到冲击和振动。此外，负
电压，即使一时冲，对任何一个引脚
电池备份SRAM可能导致数据丢失。负
电压使得电流可直接从电池中汲取，
削弱了电池，并且减少其容量随着时间的推移。在
一般情况下，没有办法监视丢失的电池容量。
MRAM保证两端的电压范围内可靠工作
与固有的非易失性。
空间：
在DIP模块，电池备份SRAM占用电路板
空间的高度与规定的通孔装配。 MRAM是
表面贴装，以及DIP封装。
现场维护：
电池最终必须被替换
这就形成一种固有的维护问题。尽管
寿命长的突起，它是很难知道有多长的电池
将持续，考虑到所有这些降低的因素。
环境：
锂离子电池是一个潜在的处置
负担，认为火灾的危险。 MRAM消除了所有
通过一个真正的单片非易失性解决方案等问题。
用户提供集成的实时更换电池支持的SRAM
实时时钟（ RTC ），在同一个包可能需要移动
RTC功能在系统内的不同位置。
EEPROM重置
CY9C62256也可以替代EEPROM的电流应用
系统蒸发散。 CY9C62256的引脚排列和功能兼容
CY9C62256
单字节宽的EEPROM ，但是它并不需要杠数据轮询
页写和硬件写保护，由于其快速写入和
意外的写保护功能。
用户MRAM取代EEPROM可消除
页面模式运行，简化了标准的异步
写。此外，杠数据轮询可以消除，因为
每个字节被写入同一个周期内完成。所有的写操作都
在70纳秒完成。
FeRAM的更换
FeRAM的要求在下降沿锁存地址
CE的，这增加了系统的开销在管理CE和
自锁功能。 MRAM消除了这方面的开销，通过提供
一个简单的异步SRAM接口。
用户更换的FeRAM可以简化他们的地址译码
由于CE不需要被驱动为有效，然后不活动
每个地址。这个开销时使用消除了
MRAM 。
其次， MRAM阅读是无损和无预充
周期是必需的像与FeRAM.This中所使用的无
明显的影响的设计，但是在读周期时间
现在可以看到即刻的改善等于在预充电
时间。
开机PROM （ EPROM ， PROM ）功能置换
在CY9C62256可以访问像EPROM或PROM 。
当CE和OE为低电平和WE为高电平时，存储在数据
由地址引脚确定的存储位置是
上认定的输出。 MRAM可以用于完成
使用此条件下系统启动功能。
文件编号： 38-15001牧师* E
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