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初步
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
存储温度................................. -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................... - 40 ° C至+ 85°C
电源电压对地电位
（引脚28至引脚14） ........................................... -0.5V至+ 7.0V
直流电压应用到输出的
在高阻抗状态
[1]
....................................- 0.5V至V
CC
+ 0.5V
直流输入电压
[1]
.................................- 0.5V至V
CC
+ 0.5V
CY9C62256
除非是发生了超电压引脚（ A9 ） ，而进入64
设备ID和Silicon签名字节.........- 0.5V至V
CC
+ 2.5V
输出电流为输出（ LOW ） ............................. 20毫安
静电放电电压........................................ > 2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ....... > 200毫安
最大暴露在磁场
@器件封装
[2,3]
............................................ < 20奥斯特
工作范围
范围
广告
产业
环境温度
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
V
CC
5V
±
10%
5V
±
10%
电气特性
在整个工作范围
CY9C62256-70
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX[4]
I
OZ
I
CC
I
SB1
I
SB2
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入漏电流
输出漏电流
V
CC
工作电源电流
自动CE
掉电电流 -
TTL输入
自动CE
掉电电流 -
CMOS输入
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
O
＆ LT ; V
CC
，输出禁用
V
CC
=最大，
I
OUT
= 0 mA时，
f = f
最大
= 1/t
RC
最大。 V
CC
， CE＆ GT ; V
IH
,
V
IN
＆ GT ; V
IH
or
V
IN
＆ LT ; V
IL
, f = f
最大
最大。 V
CC
,
CE > V
CC
0.3V
V
IN
＆ GT ; V
CC
0.3V
或V
IN
＆ LT ; 0.3V ， F = 0
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
=
1.0
mA
V
CC
=最小值，我
OL
= 2.1毫安
2.2
–0.5
[1]
–0.5
–0.5
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+ 0.5V
0.8
+0.5
+0.5
60
典型值。
[5]
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
A
mA
500
A
90
A
电容
[6]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= 5.0V
马克斯。
6
8
单位
pF
pF
注意事项：
1. V
IL
（分） = -2.0V为20纳秒的脉冲持续时间。
2.磁场曝光是高度依赖于从磁场源的距离。磁场脱落为1 / R的平方，其中R是距离
从磁源。
3.曝光超出这个水平可能会导致数据丢失。
4. I
IX
进入64设备ID和硅签名字节超电压引脚在V中
CC
+ 2.0V将是100
A最大。
5.典型规格测量范围遍及正常生产工艺变化的大样本量的平均值，并采取在额定条件
(T
A
= 25 ° C，V
CC
） 。参数通过设计和特性保证，而不是100 ％测试。
6.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
文件编号： 38-15001牧师* E
第11 4
