摩托罗拉
半导体技术资料
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通过MMBF4391LT1 / D
JFET开关晶体管
N沟道
2 SOURCE
3
门
MMBF4391LT1
MMBF4392LT1
MMBF4393LT1
3
1
1 DRAIN
最大额定值
等级
漏源电压
漏极 - 栅极电压
栅源电压
正向栅电流
符号
VDS
VDG
VGS
IG （ F）
价值
30
30
30
50
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
2
CASE 318 - 08 ， 10风格
SOT- 23 （ TO - 236AB ）
热特性
特征
器件总功耗FR- 5局（ 1 ）
TA = 25°C
减免上述25℃
热阻，结到环境
结温和存储温度
符号
PD
最大
225
1.8
R
q
JA
TJ ， TSTG
556
- 55 + 150
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
器件标识
MMBF4391LT1 = 6J ; MMBF4392LT1 = 6K ; MMBF4393LT1 = 6G
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明）
特征
符号
民
最大
单位
开关特性
栅源击穿电压
（ IG = 1.0
μAdc ，
VDS = 0）的
门反向电流
（ VGS = 15V直流电， VDS = 0 ， TA = 25 ° C）
（ VGS = 15V直流电， VDS = 0 ， TA = 100 ° C）
门源截止电压
（ VDS = 15 VDC ， ID = 10 NADC ）
MMBF4391LT1
MMBF4392LT1
MMBF4393LT1
的ID （关闭）
—
—
1.0
1.0
NADC
μAdc
V（ BR ） GSS
IGSS
—
—
VGS （关闭）
–4.0
–2.0
–0.5
–10
–5.0
–3.0
1.0
0.20
NADC
μAdc
VDC
30
—
VDC
断态漏电流
（ VDS = 15 VDC ， VGS = -12伏直流）
（ VDS = 15 VDC ， VGS = -12伏直流， TA = 100 ° C）
1， FR- 5 = 1.0
0.75
0.062英寸
热复合是贝格斯公司的商标。
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
摩托罗拉1997年公司
1
