添加收藏夹  设为首页  深圳服务热线：13692101218  13751165337
Pdf资料  |  热门库存  |  IC详细资料  |  网站地图
IC供应 PDF资料 非IC供应
51电子网联系电话：13692101218
首页
供应信息
求购信息
非IC专区
技术资料
电子资讯
招聘中心
会展信息 51旺铺 会员中心
位置：首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第2054页 > MMBF4391LT1
摩托罗拉
半导体技术资料
订购此文件
通过MMBF4391LT1 / D
JFET开关晶体管
N沟道
2 SOURCE
3
门
MMBF4391LT1
MMBF4392LT1
MMBF4393LT1
3
1
1 DRAIN
最大额定值
等级
漏源电压
漏极 - 栅极电压
栅源电压
正向栅电流
符号
VDS
VDG
VGS
IG （ F）
价值
30
30
30
50
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
2
CASE 318 - 08 ， 10风格
SOT- 23 （ TO - 236AB ）
热特性
特征
器件总功耗FR- 5局（ 1 ）
TA = 25°C
减免上述25℃
热阻，结到环境
结温和存储温度
符号
PD
最大
225
1.8
R
q
JA
TJ ， TSTG
556
- 55 + 150
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
器件标识
MMBF4391LT1 = 6J ; MMBF4392LT1 = 6K ; MMBF4393LT1 = 6G
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明）
特征
符号
民
最大
单位
开关特性
栅源击穿电压
（ IG = 1.0
μAdc ，
VDS = 0）的
门反向电流
（ VGS = 15V直流电， VDS = 0 ， TA = 25 ° C）
（ VGS = 15V直流电， VDS = 0 ， TA = 100 ° C）
门源截止电压
（ VDS = 15 VDC ， ID = 10 NADC ）
MMBF4391LT1
MMBF4392LT1
MMBF4393LT1
的ID （关闭）
—
—
1.0
1.0
NADC
μAdc
V（ BR ） GSS
IGSS
—
—
VGS （关闭）
–4.0
–2.0
–0.5
–10
–5.0
–3.0
1.0
0.20
NADC
μAdc
VDC
30
—
VDC
断态漏电流
（ VDS = 15 VDC ， VGS = -12伏直流）
（ VDS = 15 VDC ， VGS = -12伏直流， TA = 100 ° C）
1， FR- 5 = 1.0

0.75

0.062英寸
热复合是贝格斯公司的商标。
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
摩托罗拉1997年公司
1
MMBF4391LT1 MMBF4392LT1 MMBF4393LT1
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明） （续）
特征
符号
民
最大
单位
基本特征
零栅极电压漏电流
（ VDS = 15 VDC ， VGS = 0 ）
IDSS
MMBF4391LT1
MMBF4392LT1
MMBF4393LT1
VDS （上）
MMBF4391LT1
MMBF4392LT1
MMBF4393LT1
RDS （ ON）
MMBF4391LT1
MMBF4392LT1
MMBF4393LT1
—
—
—
30
60
100
—
—
—
0.4
0.4
0.4
50
25
5.0
150
75
30
VDC
MADC
漏源电压
（ n = 12 MADC ，V GS = 0）
（ n = 6.0 MADC ，V GS = 0）
（ n = 3.0 MADC ，V GS = 0）
静态漏源导通电阻
（ n = 1.0 MADC ，V GS = 0）
小信号特性
输入电容
（ VDS = 15 VDC ， VGS = 0 ， F = 1.0兆赫）
反向传输电容
（ VDS = 0 ， VGS = 12伏， F = 1.0兆赫）
西塞
CRSS
—
—
14
3.5
pF
pF
典型特征
1000
吨D（ ON） ，导通延迟时间（纳秒）
500
200
100
50
20
10
5.0
2.0
1.0
0.5 0.7 1.0
RK = 0
RK = RD “
TJ = 25°C
MMBF4391 VGS （OFF ）= 12 V
MMBF4392
= 7.0 V
MMBF4393
= 5.0 V
1000
500
200
吨R，上升时间（ NS ）
100
50
20
10
5.0
2.0
1.0
0.5 0.7 1.0
RK = 0
RK = RD “
TJ = 25°C
MMBF4391 VGS （OFF ）= 12 V
MMBF4392
= 7.0 V
MMBF4393
= 5.0 V
2.0 3.0 5.0 7.0 10
ID ，漏极电流（毫安）
20
30
50
2.0 3.0 5.0 7.0 10
ID ，漏极电流（毫安）
图2.上升时间
20
30
50
图1.开启延迟时间
吨D（关闭） ，关闭延迟时间（纳秒）
1000
500
200
100
50
20
10
5.0
2.0
1.0
0.5 0.7 1.0
RK = 0
RK = RD “
TJ = 25°C
MMBF4391 VGS （OFF ）= 12 V
= 7.0 V
MMBF4392
= 5.0 V
MMBF4393
1000
500
五六，下降时间（ NS ）
200
100
50
20
10
5.0
2.0
1.0
0.5 0.7 1.0
RK = RD “
TJ = 25°C
MMBF4391 VGS （OFF ）= 12 V
MMBF4392
= 7.0 V
MMBF4393
= 5.0 V
RK = 0
2.0 3.0 5.0 7.0 10
ID ，漏极电流（毫安）
20
30
50
2.0 3.0 5.0 7.0 10
20
ID ，漏极电流（毫安）
图4.下降时间
30
50
图3.关闭延迟时间
2
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
MMBF4391LT1 MMBF4392LT1 MMBF4393LT1
注1
= VDD
RD
SET VDS （关闭） = -10 V
输入
RK
RGG
50
VGG
RT
产量
RGEN
50
VGEN
输入脉冲
tr
≤
0.25纳秒
tf
≤
0.5纳秒
脉冲宽度= 2.0
s
占空比
≤
2.0%
50
RGG > RK
RD '= RD （RT + 50）
RD + RT + 50
图5.开关时间测试电路
使用测试上面所示的开关特性进行测定
电路类似于图5.在切换间隔的开始，在
栅极电压处于门电源电压（ -VGG ） 。漏源电压
（VDS）略低于漏极电源电压（ VDD），由于电压
分频器。因此，反向传输电容栅极 - 漏极电容的（的Crss ）
tance （CGD ）装入VGG + VDS 。
在导通时间，栅源电容（ CGS）的排放
通过RGen元和RK的串联组合。 CGD必须排放到
VDS （上）通过RG和RK串联的effec-的并联组合
略去负载阻抗（ R'D ）和漏源电阻（ RDS） 。在
关断，该电荷流动的逆转。
预测的导通时间是作为沟道电阻有些困难
的RDS是栅极 - 源极电压的函数。同时的Cgs放电， VGS
趋近于零和RDS下降。由于Cgd的放电通过RDS进行的，
开启时间是非线性的。在关断时，情况与逆转
的RDS增加为Cgd的费用。
上述的开关曲线显示2阻抗条件; 1 ）是RK
等于RD '它模拟级联级的切换行为
在驱动源阻抗的正常负载阻抗
前级和2） RK = 0（低阻抗）的驱动源阻抗
ANCE是发电机的。
15
V FS ，正向转移导纳（毫姆欧）
20
MMBF4392
MMBF4391
10
C，电容（pF ）
7.0
5.0
3.0
2.0
1.5
1.0
0.03 0.05 0.1
CGS
10
MMBF4393
7.0
5.0
3.0
2.0
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20
30
50
Tchannel = 25°C
VDS = 15 V
CGD
Tchannel = 25°C
（CDS可忽略不计
ID ，漏极电流（毫安）
图6.典型正向转移导纳
0.3 0.5 1.0
3.0 5.0 10
VR ，反向电压（伏）
30
图7.典型电容
R DS（ON ） ，漏极 - 源极导通状态
电阻（欧姆）
R DS（ON ） ，漏极 - 源极导通状态
电阻（标准化）
200
IDSS 25毫安
= 10
160
mA
50毫安
75毫安百毫安
125毫安
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
–70
–40
–10
20
50
80
110
140
170
ID = 1.0毫安
VGS = 0
120
80
40
Tchannel = 25°C
0
0
1.0
2.0
3.0
5.0
4.0
6.0
7.0
VGS ，栅源电压（伏）
8.0
Tchannel ，路温度（ ° C）
温度对漏源图9.影响
导通状态电阻
的栅源电压图8.影响
在漏源电阻
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
3
MMBF4391LT1 MMBF4392LT1 MMBF4393LT1
R DS（ON ） ，漏极 - 源极导通状态
电阻（欧姆）
80
70
60
50
40
30
RDS（ON） @ VGS = 0
VGS （关闭）
9.0
8.0
7.0
6.0
5.0
4.0
V GS ，栅源电压
（伏）
100
90
Tchannel = 25°C
10
注2
在零栅极电压漏极电流（ IDSS ）的原理是determi-
恶性其他J- FET特性。图10示出的关系
栅源电压关（ VGS （关闭） ）和漏源电阻
tance （ RDS（ON） ）为IDSS 。大部分设备将内
±10%
的
在图10中所示的值这样的数据将在预测有用
特性变化对于给定的零件号。
例如：
未知
RDS（ON）和VGS范围为MMBF4392
电气特性表显示的MMBF4392
具有25至75毫安IDSS范围。图10显示的RDS（ ON）= 52
欧姆IDSS = 25 mA和30欧姆的IDSS = 75 mA的电流。它对应
应的VGS值是2.2伏和4.8伏。
3.0
20
2.0
10
1.0
0
0
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 110 120 130 140 150
IDSS ，零栅极电压漏极电流（毫安）
图10.影响智能决策支持系统在漏源
电阻与栅源电压
4
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
MMBF4391LT1 MMBF4392LT1 MMBF4393LT1
对于采用SOT- 23表面贴装封装信息
推荐的最低足迹表面安装应用程序
表面贴装电路板布局是总的关键部分
设计。占地面积为半导体封装必须
为保证适当的焊料连接的正确大小
电路板和封装之间的接口。与
正确的垫几何，包会自我调整的时候
经受回流焊接工艺。
0.037
0.95
0.037
0.95
0.079
2.0
0.035
0.9
0.031
0.8
英寸
mm
SOT–23
SOT- 23功耗
采用SOT -23的功耗的功能
焊盘尺寸。这可以从最小焊盘尺寸变化
焊接到给出的最大功耗垫的尺寸。
功耗用于表面贴装器件，确定
由TJ （最大值）的最大额定结温
死，R
θJA
从器件结的热阻
环境，以及工作温度TA 。使用
所提供的数据表中的SOT- 23封装的价值观，
PD可以计算如下：
PD =
TJ（MAX） - TA
R
θJA
焊接注意事项
焊料的熔融温度比额定高
温度的装置。当整个装置被加热
到很高的温度，不内完成焊接
短的时间内可能会导致器件失效。因此，该
下列项目应始终以观察到
最小化的热应力，以使设备
受。
总是预热装置。
预热之间的温度增量
焊接应为100 ℃或更低。 *
在预热和焊接，对温度
引线和外壳必须不超过最大
温度额定值上所示的数据表。当
采用红外加热与回流焊接方法，
的差值应为最大10 ℃。
焊接温度和时间应不超过
260 ℃下进行10秒以上。
当从预热焊接移位时，
最大温度梯度应为5 ℃或更小。
焊接完成后，该设备应
可以使其自然冷却至少三分钟。
逐渐冷却应作为采用强制
冷却将增加的温度梯度，从而导致
在潜失效由于机械应力。
机械应力或冲击不应在被应用
冷却。
*进行焊接装置无需预热可导致过度
热冲击和应力，这可能导致损坏
装置。
该方程的值被发现的最大
评级表上的数据表。这些值代入
该方程对于环境温度为25℃的TA ，一个也可以
计算在此所述装置的功率耗散
情况是225毫瓦。
PD =
150°C – 25°C
556°C/W
= 225毫瓦
为SOT- 23封装的556 ° C / W，假设使用
玻璃环氧印刷电路上推荐的足迹
板实现了225毫瓦的功耗。那里
其他选择实现更高的功率耗散
从SOT- 23封装。另一个替代方案是
使用陶瓷基板或铝芯板如
热复合 。使用的基板材料，如热
包层，铝芯板，功耗可
翻倍使用相同的足迹。
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
5
MMBF4391LT1,
MMBF4392LT1,
MMBF4393LT1
JFET开关晶体管
N沟道
特点
http://onsemi.com
无铅包可用
3
门
2 SOURCE
最大额定值
等级
漏源电压
漏极 - 栅极电压
栅源电压
正向栅电流
符号
V
DS
V
DG
V
GS
I
G（ F）
价值
30
30
30
50
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
1 DRAIN
记号
图
热特性
特征
器件总功耗FR- 5局
（注1 ）T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，
结到环境
结温和存储温度
符号
P
D
225
1.8
R
qJA
T
J
, T
英镑
556
-55到+150
最大
单位
mW
1
3
SOT23
CASE 318
10风格
XX M
毫瓦/°C的
° C / W
°C
2
xx
M
=具体设备守则
=日期代码
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
被超过，设备功能操作不暗示，可能会损坏
和可靠性可能会受到影响。
1， FR - 5 = 1.0

0.75

0.062英寸
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第2页。
器件标识信息
请参阅该设备的特定标识信息标识
节本数据手册的第2页。
半导体元件工业有限责任公司， 2004年
1
2004年9月 - 第4版
出版订单号：
MMBF4391LT1/D
MMBF4391LT1 ， MMBF4392LT1 ， MMBF4393LT1
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
栅源击穿电压
(I
G
= 1.0
MADC ，
V
DS
= 0)
门反向电流
(V
GS
= 15 VDC ，V
DS
= 0, T
A
= 25°C)
(V
GS
= 15 VDC ，V
DS
= 0, T
A
= 100°C)
门源截止电压
(V
DS
= 15 VDC ，我
D
= 10 NADC ）
MMBF4391LT1
MMBF4392LT1
MMBF4393LT1
I
D（关闭）
1.0
1.0
NADC
MADC
V
（ BR ） GSS
I
GSS
V
GS （ OFF ）
4.0
2.0
0.5
10
5.0
3.0
1.0
0.20
NADC
MADC
VDC
30
VDC
符号
民
最大
单位
断态漏电流
(V
DS
= 15 VDC ，V
GS
= -12伏直流）
(V
DS
= 15 VDC ，V
GS
= -12伏直流，T
A
= 100°C)
基本特征
零栅极电压漏电流
(V
DS
= 15 VDC ，V
GS
= 0)
I
DSS
MMBF4391LT1
MMBF4392LT1
MMBF4393LT1
V
DS （ ON）
MMBF4391LT1
MMBF4392LT1
MMBF4393LT1
r
DS （ ON）
MMBF4391LT1
MMBF4392LT1
MMBF4393LT1
30
60
100
0.4
0.4
0.4
50
25
5.0
150
75
30
MADC
漏源电压
(I
D
= 12 MADC ，V
GS
= 0)
(I
D
= 6.0 MADC ，V
GS
= 0)
(I
D
= 3.0 MADC ，V
GS
= 0)
静态漏源导通电阻
(I
D
= 1.0 MADC ，V
GS
= 0)
VDC
W
小信号特性
输入电容
(V
DS
= 15 VDC ，V
GS
= 0中，f = 1.0 MHz）的
反向传输电容
(V
DS
= 0, V
GS
= 12 VDC， F = 1.0兆赫）
C
国际空间站
C
RSS
14
3.5
pF
pF
订购信息
设备
MMBF4391LT1
MMBF4391LT1G
MMBF4392LT1
MMBF4393LT1
MMBF4393LT1G
记号
6J
6J
6K
6G
6G
包
SOT23
SOT23
（无铅）
SOT23
SOT23
SOT23
（无铅）
3000 /磁带&卷轴
航运
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
http://onsemi.com
2
MMBF4391LT1 ， MMBF4392LT1 ， MMBF4393LT1
典型特征
1000
吨D（ ON） ，导通延迟时间（纳秒）
500
200
100
50
20
10
5.0
2.0
1.0
0.5 0.7 1.0
R
K
= 0
R
K
= R
D’
T
J
= 25°C
MMBF4391
MMBF4392
MMBF4393
V
GS （ OFF ）
= 12 V
= 7.0 V
= 5.0 V
1000
500
200
吨R，上升时间（ NS ）
100
50
20
10
5.0
2.0
1.0
0.5 0.7 1.0
R
K
= 0
R
K
= R
D’
T
J
= 25°C
MMBF4391
MMBF4392
MMBF4393
V
GS （ OFF ）
= 12 V
= 7.0 V
= 5.0 V
2.0 3.0 5.0 7.0 10
I
D
，漏极电流（毫安）
20
30
50
2.0 3.0 5.0 7.0 10
I
D
，漏极电流（毫安）
20
30
50
图1.开启延迟时间
图2.上升时间
吨D（关闭） ，关闭延迟时间（纳秒）
1000
500
200
100
50
20
10
5.0
2.0
1.0
0.5 0.7 1.0
R
K
= 0
R
K
= R
D’
T
J
= 25°C
MMBF4391
MMBF4392
MMBF4393
V
GS （ OFF ）
= 12 V
= 7.0 V
= 5.0 V
1000
500
五六，下降时间（ NS ）
200
100
50
20
10
5.0
2.0
1.0
0.5 0.7 1.0
R
K
= R
D’
T
J
= 25°C
MMBF4391
MMBF4392
MMBF4393
V
GS （ OFF ）
= 12 V
= 7.0 V
= 5.0 V
R
K
= 0
2.0 3.0 5.0 7.0 10
I
D
，漏极电流（毫安）
20
30
50
2.0 3.0 5.0 7.0 10
20
I
D
，漏极电流（毫安）
30
50
图3.关闭延迟时间
图4.下降时间
http://onsemi.com
3
MMBF4391LT1 ， MMBF4392LT1 ， MMBF4393LT1
注1
V
DD
R
D
集V
DS （关闭）
= 10 V
输入
R
K
R
GG
50
W
V
GG
R
T
产量
R
根
50
W
V
根
输入脉冲
t
r
≤
0.25纳秒
t
f
≤
0.5纳秒
脉冲宽度= 2.0
ms
占空比
≤
2.0%
50
W
R
GG
＆ GT ;
K
R
D’
= R
D
(R
T
+ 50)
R
D
+ R
T
+ 50
图5.开关时间测试电路
使用上面所示的开关特性进行测定
一个测试电路类似于图5.在切换的开始
间隔中，栅极电压处于门电源电压（ -V
GG
） 。该
漏源极电压（V
DS
）比漏极供应略低
电压（V
DD
）由于分压器。因此，反向传输
电容（C
RSS
）的栅 - 漏电容（C
gd
）被充电到
V
GG
+ V
DS
.
在导通时间，栅源电容（C
gs
)
排出至R的串联组合
根
和R
K
. C
gd
必须排放到V
DS （ ON）
通过研究
G
和R
K
串联在
的有效负载阻抗的并联组合（R'
D
）和
漏源电阻（R
DS
） 。在关断时，该负责
流是相反的。
预测的导通时间是作为信道有点困难
电阻R
DS
是栅极 - 源极电压的函数。而C
gs
放电，V
GS
趋近于零和R
DS
减小。由于C
gd
排放到R
DS
，导通时间是非线性的。在开启
关闭时，情况随r逆转
DS
增加为C
gd
收费。
上述的开关曲线显示2阻抗条件;
1) R
K
是等于R
D’
它模拟的转换行为
级联级，其中所述驱动源阻抗通常是
前一级的负载阻抗，以及2）R
K
= 0（低
阻抗）的驱动源阻抗是发电机。
15
V FS ，正向转移导纳（毫姆欧）
20
MMBF4392
C，电容（pF ）
MMBF4391
10
7.0
5.0
3.0
2.0
1.5
1.0
0.03 0.05 0.1
C
gs
10
MMBF4393
7.0
5.0
3.0
2.0
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20
30
50
T
通道
= 25°C
V
DS
= 15 V
C
gd
T
通道
= 25°C
(C
ds
可以忽略不计
0.3 0.5
1.0
3.0 5.0
10
30
I
D
，漏极电流（毫安）
V
R
，反向电压（伏）
图6.典型正向转移导纳
R DS（ON ） ，漏极 - 源极导通状态
电阻（标准化）
200
R DS（ON ） ，漏极 - 源极导通状态
电阻（欧姆）
I
DSS
25毫安
= 10
160
mA
50毫安
75毫安百毫安
125毫安
图7.典型电容
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
70
40
10
20
50
80
110
140
170
I
D
= 1.0毫安
V
GS
= 0
120
80
40
T
通道
= 25°C
0
0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
V
GS
，栅源电压（伏）
8.0
T
通道
，路温度（ ℃）
的栅源电压图8.影响
在漏源电阻
温度对漏源图9.影响
导通状态电阻
http://onsemi.com
4
MMBF4391LT1 ， MMBF4392LT1 ， MMBF4393LT1
注2
R DS（ON ） ，漏极 - 源极导通状态
电阻（欧姆）
100
90
80
70
60
50
40
30
T
通道
= 25°C
10
9.0
8.0
7.0
6.0
V
GS （ OFF ）
r
DS （ ON）
@ V
GS
= 0
5.0
4.0
3.0
20
2.0
10
1.0
0
0
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 110 120 130 140 150
I
DSS
零栅极电压漏极电流（毫安）
我图10.影响
DSS
在漏源
电阻与栅源电压
在零栅极电压漏极电流（I
DSS
）是
其他J- FET特性的原则决定。
图10示出了栅源之间的关系关
电压（V
GS （ OFF ）
）和漏源导通电阻
(r
DS （ ON）
）到我
DSS
。大部分设备将内
±10%
在图10所示的值的该数据将
是有用的预测的特性离散为
一个给定的零件号。
例如：
未知
r
DS （ ON）
和V
GS
范围为MMBF4392
电气特性表指示的
MMBF4392具有I
DSS
范围为25 75毫安。身材
10显示为R
DS （ ON）
= 52欧姆的我
DSS
= 25 mA和30
欧姆我
DSS
= 75 mA的电流。相应的V
GS
值
在2.2 V和4.8 V.
http://onsemi.com
5
V GS ，栅源电压
（伏）
MMBF4391LT1,
MMBF4392LT1,
MMBF4393LT1
JFET开关晶体管
N沟道
http://onsemi.com
特点
2 SOURCE
无铅包可用
最大额定值
等级
漏源电压
漏极 - 栅极电压
栅源电压
正向栅电流
符号
V
DS
V
DG
V
GS
I
G（ F）
价值
30
30
30
50
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
1
3
门
1 DRAIN
3
热特性
特征
器件总功耗FR- 5局
（注1 ）T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，结到环境
结温和存储温度范围
符号
P
D
225
1.8
R
qJA
T
J
, T
英镑
556
-55到+150
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
最大
单位
2
SOT23
CASE 318
10风格
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
1， FR - 5 = 1.0

0.75

0.062英寸
标记图
6X M
G
G
1
6x
M
G
=具体设备守则
=日期代码*
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
*日期代码的方向和/或横线可能
这取决于制造地点而有所不同。
器件标识信息
查看该设备一般标识信息标识
节本数据手册的第2页。
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第2页。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
1
2006年1月 - 修订版5
出版订单号：
MMBF4391LT1/D
MMBF4391LT1 ， MMBF4392LT1 ， MMBF4393LT1
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
栅源击穿电压
(I
G
= 1.0
MADC ，
V
DS
= 0)
门反向电流
(V
GS
= 15 VDC ，V
DS
= 0, T
A
= 25°C)
(V
GS
= 15 VDC ，V
DS
= 0, T
A
= 100°C)
门源截止电压
(V
DS
= 15 VDC ，我
D
= 10 NADC ）
MMBF4391LT1
MMBF4392LT1
MMBF4393LT1
I
D（关闭）
1.0
1.0
NADC
MADC
V
（ BR ） GSS
I
GSS
V
GS （ OFF ）
4.0
2.0
0.5
10
5.0
3.0
1.0
0.20
NADC
MADC
VDC
30
VDC
符号
民
最大
单位
断态漏电流
(V
DS
= 15 VDC ，V
GS
= -12伏直流）
(V
DS
= 15 VDC ，V
GS
= -12伏直流，T
A
= 100°C)
基本特征
零栅极电压漏电流
(V
DS
= 15 VDC ，V
GS
= 0)
I
DSS
MMBF4391LT1
MMBF4392LT1
MMBF4393LT1
V
DS （ ON）
MMBF4391LT1
MMBF4392LT1
MMBF4393LT1
r
DS （ ON）
MMBF4391LT1
MMBF4392LT1
MMBF4393LT1
30
60
100
0.4
0.4
0.4
50
25
5.0
150
75
30
MADC
漏源电压
(I
D
= 12 MADC ，V
GS
= 0)
(I
D
= 6.0 MADC ，V
GS
= 0)
(I
D
= 3.0 MADC ，V
GS
= 0)
静态漏源导通电阻
(I
D
= 1.0 MADC ，V
GS
= 0)
VDC
W
小信号特性
输入电容
(V
DS
= 15 VDC ，V
GS
= 0中，f = 1.0 MHz）的
反向传输电容
(V
DS
= 0, V
GS
= 12 VDC， F = 1.0兆赫）
C
国际空间站
C
RSS
14
3.5
pF
pF
订购信息
设备
MMBF4391LT1
MMBF4391LT1G
MMBF4392LT1
MMBF4392LT1G
MMBF4393LT1
MMBF4393LT1G
记号
6J
6J
6K
6K
6G
6G
包
SOT23
SOT23
（无铅）
SOT23
SOT23
（无铅）
SOT23
SOT23
（无铅）
3000 /磁带&卷轴
航运
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
http://onsemi.com
2
MMBF4391LT1 ， MMBF4392LT1 ， MMBF4393LT1
典型特征
吨D（ ON） ，导通延迟时间（纳秒）
1000
500
200
100
50
20
10
5.0
2.0
1.0
0.5 0.7 1.0
R
K
= 0
R
K
= R
D’
1000
T
J
= 25°C
500
200
吨R，上升时间（ NS ）
100
50
20
10
5.0
2.0
1.0
0.5 0.7 1.0
T
J
= 25°C
R
K
= R
D’
MMBF4391
MMBF4392
MMBF4393
V
GS （ OFF ）
= 12 V
= 7.0 V
= 5.0 V
MMBF4391
MMBF4392
MMBF4393
V
GS （ OFF ）
= 12 V
= 7.0 V
= 5.0 V
R
K
= 0
2.0 3.0 5.0 7.0 10
I
D
，漏极电流（毫安）
20
30
50
2.0 3.0 5.0 7.0 10
I
D
，漏极电流（毫安）
20
30
50
图1.开启延迟时间
图2.上升时间
1000
500
五六，下降时间（ NS ）
200
100
50
20
10
5.0
2.0
1.0
0.5 0.7 1.0
R
K
= 0
吨D（关闭） ，关闭延迟时间（纳秒）
1000
500
200
100
50
20
10
5.0
2.0
1.0
0.5 0.7 1.0
R
K
= 0
R
K
= R
D’
T
J
= 25°C
MMBF4391
MMBF4392
MMBF4393
V
GS （ OFF ）
= 12 V
= 7.0 V
= 5.0 V
R
K
= R
D’
T
J
= 25°C
MMBF4391
MMBF4392
MMBF4393
V
GS （ OFF ）
= 12 V
= 7.0 V
= 5.0 V
2.0 3.0 5.0 7.0 10
I
D
，漏极电流（毫安）
20
30
50
2.0 3.0 5.0 7.0 10
20
I
D
，漏极电流（毫安）
30
50
图3.关闭延迟时间
图4.下降时间
http://onsemi.com
3
MMBF4391LT1 ， MMBF4392LT1 ， MMBF4393LT1
注1
V
DD
R
D
集V
DS （关闭）
= 10 V
输入
R
K
R
GG
50
W
V
GG
R
T
产量
R
根
50
W
V
根
输入脉冲
t
r
≤
0.25纳秒
t
f
≤
0.5纳秒
脉冲宽度= 2.0
ms
占空比
≤
2.0%
50
W
R
GG
＆ GT ;
K
R
D’
= R
D
(R
T
+ 50)
R
D
+ R
T
+ 50
图5.开关时间测试电路
使用上面所示的开关特性进行测定
一个测试电路类似于图5.在切换的开始
间隔中，栅极电压处于门电源电压（ -V
GG
） 。该
漏源极电压（V
DS
）比漏极供应略低
电压（V
DD
）由于分压器。因此，反向传输
电容（C
RSS
）的栅 - 漏电容（C
gd
）被充电到
V
GG
+ V
DS
.
在导通时间，栅源电容（C
gs
)
排出至R的串联组合
根
和R
K
. C
gd
必须
放电V
DS （ ON）
通过研究
G
和R
K
串联并联
有效负载阻抗相结合（ R'
D
）和漏源
电阻（R
DS
） 。在关断时，该电荷流是相反的。
预测的导通时间是作为信道有点困难
电阻R
DS
是栅极 - 源极电压的函数。而C
gs
放电，V
GS
趋近于零和R
DS
减小。由于C
gd
排放到R
DS
，导通时间是非线性的。在关断时，
这种情况是有R逆转
DS
增加为C
gd
收费。
上述的开关曲线显示2阻抗条件; 1 ）
R
K
是等于R
D’
它模拟的转换行为
级联级，其中所述驱动源阻抗通常是
前一阶段的2负载阻抗，并）R
K
= 0（低
阻抗）的驱动源阻抗是发电机。
V FS ，正向转移导纳（毫姆欧）
20
MMBF4392
15
MMBF4391
10
C，电容（pF ）
7.0
5.0
3.0
2.0
1.5
1.0
0.03 0.05 0.1
C
gs
10
MMBF4393
7.0
5.0
3.0
2.0
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20
30
50
T
通道
= 25°C
V
DS
= 15 V
C
gd
T
通道
= 25°C
(C
ds
可以忽略不计
I
D
，漏极电流（毫安）
0.3 0.5 1.0
3.0 5.0 10
V
R
，反向电压（伏）
30
图6.典型正向转移导纳
50毫安
75毫安百毫安
图7.典型电容
R DS（ON ） ，漏极 - 源极导通状态
电阻（标准化）
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
70
40
10
20
50
80
110
140
170
I
D
= 1.0毫安
V
GS
= 0
200
R DS（ON ） ，漏极 - 源极导通状态
电阻（欧姆）
I
DSS
25毫安
= 10
160
mA
125毫安
120
80
40
T
通道
= 25°C
0
0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
V
GS
，栅源电压（伏）
8.0
T
通道
，路温度（ ℃）
的栅源电压图8.影响
在漏源电阻
温度对漏源图9.影响
导通状态电阻
http://onsemi.com
4
MMBF4391LT1 ， MMBF4392LT1 ， MMBF4393LT1
注2
R DS（ON ） ，漏极 - 源极导通状态
电阻（欧姆）
V GS ，栅源电压
（伏）
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
T
通道
= 25°C
10
9.0
8.0
7.0
6.0
V
GS （ OFF ）
r
DS （ ON）
@ V
GS
= 0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 110 120 130 140 150
I
DSS
零栅极电压漏极电流（毫安）
我图10.影响
DSS
在漏源
电阻与栅源电压
在零栅极电压漏极电流（I
DSS
）是
其他J- FET特性的原则决定。
图10示出了栅源之间的关系关
电压（V
GS （ OFF ）
）和漏源导通电阻
(r
DS （ ON）
）到我
DSS
。大部分设备将内
±10%
在图10所示的值的该数据将
是有用的预测的特性离散为
一个给定的零件号。
例如：
未知
r
DS （ ON）
和V
GS
范围为MMBF4392
电气特性表指示的
MMBF4392具有I
DSS
范围为25 75毫安。身材
10显示为R
DS （ ON）
= 52
W
对于我
DSS
= 25 mA和30
W
为
I
DSS
= 75 mA的电流。相应的V
GS
值是2.2 V
和4.8 V.
http://onsemi.com
5
查看更多MMBF4391LT1PDF信息
推荐型号
M38036F3L-XXXSP
M38191E4-XXXFP
MI-P22J-MYX
MKW1023
MCP9800A0T-M/OTG
MBRA3045N
MI-P6JZ-IXX
MF-27WTA-M01MA021
MAX6327UR45-T
MAX6737XKT
MSR004
MLL4118CTR-1
MRSE-2-6KGRA
MAX3657D
M27C1001-45N1X
MC14529BD
ML9092-02TB
M39012/56-3007
MRBA-1-5SKXRA
MC74LVXU04MEL
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    MMBF4391LT1
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
深圳市华美锐科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2850388356 复制 点击这里给我发消息 QQ：2850388351 复制
电话：0755-83039139
联系人：邓小姐
地址：深圳市福田区福华路29号16G(深圳市华美锐科技有限公司)
MMBF4391LT1
MOT
+
8000
SOT-23
公司原装现货 实单可谈
深圳市翔哲科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：346072800 复制 点击这里给我发消息 QQ：735585398 复制

电话：18026926850/0755-83247709/0755-83247721
联系人：朱
地址：福田区振兴西路华康大厦2栋315室
MMBF4391LT1
ON
23+
1400
SOT-23
原装正品，价优
深圳市壹芯创科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

电话：0755-82780082
联系人：朱先生
地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层
MMBF4391LT1
ON(安森美)
23+
21829
N/A
只做原装 正品现货
上海熠富电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：892174007 复制 点击这里给我发消息 QQ：2300949663 复制 点击这里给我发消息 QQ：2719079875 复制

电话：15821228847 // 13764057178 // 15026993318
联系人：销售部
地址：门市：上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
MMBF4391LT1
ON/安森美
2024
16880
SOT-23
原装现货上海库存，欢迎咨询
深圳市昭兴微电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：575915585 复制

电话：0755-23991909
联系人：林裕忠
地址：深圳市福田区中航路国利大厦新亚洲电子市场二期N4C478房间
MMBF4391LT1
ON
24+
1400
SOT-23
全新原装正品，热卖价优
北京元坤国际科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ：2881290686 复制

电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人：何小姐
地址：海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
MMBF4391LT1
ON/安森美
22+
32570
SOT23-3
全新原装正品/质量有保证
深圳市涛能电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：474618840 复制 点击这里给我发消息 QQ：1091508947 复制
电话：13537790913
联系人：朱成平
地址：深圳市龙岗区平湖街道良安田社区茗萃园三期12号楼，13号楼12楼B座401
MMBF4391LT1
ON
21+
6000
原装国内现货
深圳市宇创芯科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：867007660 复制

电话：0755-82799659/83220081/83223317
联系人：李
地址：福田区南光捷佳1727
MMBF4391LT1
ON
24+
19800
SOT-23
全新原装现货，量大从优，可开13%税票！
深圳市晶美隆科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2885348339 复制 点击这里给我发消息 QQ：2885348317 复制

电话：0755- 82519391 0755-83209630
联系人：李林
地址：深圳市福田区华强北电子科技大夏A座36楼C09
MMBF4391LT1
MOTOROLA/摩托罗拉
24+
11631
SOT-23
全新原装正品现货热卖
深圳市金嘉锐电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2581021098 复制

电话：0755-22929859
联系人：朱先生
地址：深圳福田区振兴路华康大厦211
MMBF4391LT1
ON
2025+
26820
TO-236-3
【原装优势★★★绝对有货】
查询更多MMBF4391LT1供应信息
深圳市碧威特网络技术有限公司
 复制成功！