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IDT71L024
低功耗3V CMOS静态RAM 1 MEG （ 128K ×8位）
商用和工业温度范围
读循环中没有时序波形。 1
(1)
t
RC
地址
t
AA
OE
t
OE
CS1
t
OLZ
(5)
CS2
t
ACS
(3)
t
CLZ
(5)
数据
OUT
高阻抗
t
OHZ
(5)
t
CHZ
(5)
数据
OUT
有效
3778 DRW 06
读循环中没有时序波形。 2
(1, 2, 4)
t
RC
地址
t
AA
t
OH
数据
OUT
以前的数据
OUT
有效
t
OH
数据
OUT
有效
3778 DRW 07
注意事项：
1.
WE
为高的读周期。
2.设备被连续地选择;
CS1
为低和CS2为高。
3.地址必须是之前或重合有效用的后
CS1
过渡LOW和CS2的过渡HIGH ;否则吨
AA
是限制参数。
4.
OE
是低的。
5.转换测量
±200mV
从稳定状态。
6
