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IDT71L024
低功耗3V CMOS静态RAM 1 MEG （ 128K ×8位）
商用和工业温度范围
数据保持特性在所有温度范围
(V
LC
= 0.2V, V
HC
= V
DD
- 0.2V)
符号
V
DR
I
CCDR
t
CDR(3)
t
R(3)
参数
V
CC
数据保留
数据保持电流
芯片取消到数据
保留时间
手术恢复时间
测试条件
—
1)
CS1
≥
V
HC
和CS2
≥
V
HC
or
2 ） CS2
≤
VLC
分钟。
1.5
—
0
t
RC(2)
典型值。
(1)
—
<1
—
—
马克斯。
—
5
—
—
单位
V
A
ns
ns
3778 TBL 09
注意事项：
1. T
A
= +25°C.
2. t
RC
=读周期时间。
3.此参数是由设备特性保证，但未经生产测试。
低V
DD
数据保存波形
数据
保留
模式
V
DD
t
CDR
2.7V
V
DR
≥
1.5V
V
IH
V
IH
3778 DRW 05
2.7V
t
R
CS
V
DR
AC测试条件
输入脉冲电平
输入上升/下降时间
输入定时基准水平
输出参考电平
AC测试负载
GND到2.5V
3ns
1.5V
1.5V
见图1
3778 TBL 10
AC测试负载
V
DD
3070
数据
OUT
50pF*
3150
3778 DRW 04
*包括夹具和范围电容。
图1. AC测试负载
4
