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三菱MEMORY CARD
静态RAM卡
13.电气特性
(大= 0 55 ° C, VCC = 4.50 5.25V ,除非另有说明)
符号
参数
测试条件
范围
分钟。
典型值。
马克斯。
V
OH
高输出电压
I
OH
= -1.0mA
2.4
V
OL
低输出电压
I
OL
=2mA
0.4
I
IH
高输入电流
V
I
= VCC V
10
I
IL
低输入电流
V
I
= 0V # CE1 , CE2 # , WE# , OE # , # REG
-10
-70
其他投入
-10
I
OZH
高输出电流
CE1#=CE2#=V
IH
或OE # = V
IH
WE# = V
IH
,
10
在关闭状态
V
O
-vcc
I
OZL
低输出电流
CE1#=CE2#=V
IH
或OE # = V
IH
WE# = V
IH
,
-10
在关闭状态
V
O
=0V
ICC 1 1
主动供应
CE1#=CE2#=V
IL
,
64KB~
16bit
170
目前1
其他输入= V
IH
或V
IL
512KB
8bit
115
输出=开放
1MB~
16bit
230
4MB
8bit
155
ICC 1 2
主动供应
64KB~
16bit
160
CE1#=CE2#
0.2V
目前2
512KB
8bit
110
其他投入
0.2V或
1MB~
16bit
220
Vcc-0.2V
输出=开放
4MB
8bit
150
ICC 2 1
备用电源
CE1#=CE2#=V
IH
64KB~4MB
10
目前1
其他输入= V
IH
或V
IL
ICC 2 2
备用电源
64KB~512KB
0.15
0.45
CE1#=CE2#
Vcc-0.2V
目前2
1MB~4MB
0.30
0.65
其他投入
0.2V或
Vcc-0.2V
VBDET1
电池检测
VCC = 5V , TA = 25℃
2.27
2.37
2.47
参考电压
VBDET2
电池检测
VCC = 5V , TA = 25℃
2.55
2.65
2.75
参考电压
注2:流入卡电流取为正(无符号) 。
3 :典型值均在Vcc = 5V时测得的,TA = 25 ℃。
14.电容
符号
C
I
参数
输入电容
单位
V
V
A
A
A
A
mA
mA
mA
mA
V
V
测试条件
V
I
= GND ,V
i
=25mVrms
f=1MH
Z
, TA = 25℃
VO = GND , VO = 25mVrms
F = 1MHz时, TA = 25℃
分钟。
范围
典型值。
马克斯。
30
单位
pF
C
O
输出电容
20
pF
注4 :这些参数不是100 %测试。
三菱
6/14
1999年4月修订版1.2

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