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三菱MEMORY CARD
静态RAM卡
10.功能表
模式
REG ＃ CE1 ＃
待机
X
H
阅读A（ 16位）
H
L
常见
写一个（ 16位）
H
L
常见
H
L
阅读B
(8bit)
常见
写B
(8bit)
常见
阅读C（ 8位）
常见
写C（ 8位）
常见
输出禁用
阅读A（ 16位）
属性
阅读B
(8bit)
属性
H
H
H
H
H
X
L
L
L
阅读C（ 8位）
属性
L
L
L
L
H
H
X
L
L
L
H
CE2#
H
L
L
H
H
H
H
L
L
X
L
H
H
L
OE ＃
X
L
H
L
L
H
H
L
H
H
L
L
L
L
WE＃
X
H
L
H
H
L
L
H
L
H
H
H
H
H
A0
X
X
X
L
H
L
H
X
X
X
X
L
H
X
I / O （ D15 D8 ）
高阻抗
奇字节
数据输出
奇字节
DATA IN
高阻抗
高阻抗
高阻抗
高阻抗
奇字节
数据输出
奇字节
DATA IN
高阻抗
数据输出
（未知）
高阻抗
高阻抗
数据输出
（未知）
I / O （ D7 D0 ）
ICC
高阻抗
待机
偶字节
活跃
数据输出
偶字节
活跃
DATA IN
偶字节
活跃
数据输出
奇字节
活跃
数据输出
即使字节数据在Active
在Active奇字节数据
高阻抗
活跃
高阻抗
高阻抗
数据输出
（ FFH ）
数据输出
（ FFH ）
数据输出
（未知）
高阻抗
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
注1 ：H = V
IH
中，L = V
白细胞介素，
X = V
IH
或V
IL
11.绝对最大额定值
符号
参数
VCC
电源电压
V
I
输入电压
V
O
输出电压
Topr1
工作温度1
Topr2
工作温度2
TSTG
储存温度
条件
相对于GND
读，写操作
数据保留
不包括数据保留
评级
-0.3~6.0
-0.3~Vcc+0.3
0~Vcc
0~60
0~60
-20~70
单位
V
V
V
°C
°C
°C
12.推荐工作条件
（大= 0 55 ° C，除非另有说明）
范围
参数
符号
分钟。
典型值。
VCC
VCC电源电压
4.50
5.0
GND
系统接地
0
V
IH
高输入电压
3.5
V
IL
低输入电压
0
马克斯。
5.25
VCC
0.8
单位
V
V
V
V
三菱
电
5/14
1999年4月修订版1.2
