位置：首页 > IC型号导航 > 首字符K型号页 > 首字符K的型号第45页 > K9K1G08U0M-YCB0 > K9K1G08U0M-YCB0 PDF资料 > K9K1G08U0M-YCB0 PDF资料2第1页
K9K1G08U0M - YCB0 ， K9K1G08U0M - YIB0
文档标题
128M ×8位NAND闪存
修订历史
版本号
0.0
0.1
0.2
FL灰内存
历史
1.初始发行
1. [第31页]设备代码（ 76H ） -->设备代码（ 79H ）
1.Powerup序列添加
：内部电路得到之前需要1μs的最小恢复时间
准备好所有的命令序列
草案日期
2001年4月7日
2001年7月3日
备注
2001年7月23日
2.5V
V
CC
高
≈
2.5V
W
P
W
E
2.交流参数TCLR （ CLE到RE延迟，最小为50ns ）加入。
3. [第28页]只有一个地址
14
到A
25
有效而A
9
到A
13
被忽略
-->只有一个地址
14
到A
26
有效而A
9
到A
13
被忽略
0.3
（第30页）
A14和A15必须是源和目标页之间的相同
--> A14， A15和A26必须是源和目标页之间的相同
2001年9月13日
注：欲了解更多详细的功能以及规格，包括常见问题解答，请参考三星的Flash网站。
http://www.intl.samsungsemi.com/Memory/Flash/datasheets.html
所附的数据表准备并批准三星电子。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。保留
右来改变规格。三星电子将评估和回复您的要求和有关设备的问题。如果您
有任何问题，请联系三星分公司附近的办公室。
≈
1
≈
1
