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AT89C51RD2 / AT89C51ED2 QualPack
4.3.4 FLASH特性
4.3.4.1电池续航能力
用途：
来评价存储单元的承受高数编程/擦除周期的未经变化的能力
电气特性。
测试参数：
测量已经完成的很多0R5414 。
2细胞中的一个字节进行测试：
-
附近的字节选择晶体管，被称为第0位单元（ 1
st
列）
-
细胞接近VSS接触，被称为第7位（ 8
th
列）。
骑自行车是各种编程电压进行：
- 写：
13.5V的BL / 15.6V的选择 - 明确： 13.5V的意义上的/ 15.6V
@5ms
在选择14.5V的BL / 16.6V的选择@ 5ms的14.5V的感觉/ 16.6V
15.5V的BL / 17.6V的选择
在选择15.5V的感觉/ 17.6V
16.5V的BL / 17.6V的选择
在选择16.5V的感觉/ 17.6V
MP044 0R5414 ＃ 01
VSEL = VBL + 2.1 0位（近字节SEL ）
0
0
MP044 0R5414 ＃ 01
VSEL = VBL + 2.1第7位（近VSS）
-0.5
13.5V
Vt_wrt （ V）
Vt_wrt （ V）
-0.5
13.5V
-1
14.5V
15.5V
16.5V
-1.5
-1
14.5V
15.5V
16.5V
-1.5
-2
-2
-2.5
1
10
100
＃周期
-2.5
1000
10000
100000
1
10
100
＃周期
1000
10000
100000
MP044 0R5414 ＃ 01
VSEL = VSEN + 2.1 0位（近字节SEL ）
7
6.5
6
5.5
Vt_clr （ V）
5
4.5
4
3.5
3
2.5
2
1
10
100
＃周期
MP044 0R5414 ＃ 01
VSEL = VSEN + 2.1第7位（近VSS）
7
6.5
6
13.5V
14.5V
15.5V
16.5V
5.5
Vt_clr （ V）
5
4.5
4
3.5
3
2.5
13.5V
14.5V
15.5V
16.5V
1000
10000
100000
2
1
10
100
＃周期
1000
10000
100000
14
第0版 - 2003年7月
