【特点80C52兼容- 8051指令兼容- 6个8位I / O端口（ 64引脚或68引脚版本）- 4个】,IC型号AT89C51ED2-SMSIM,AT89C51ED2-SMSIM PDF资料,AT89C51ED2-SMSIM经销商,ic,电子元器件-51电子网

特点

80C52兼容

- 8051指令兼容

- 6个8位I / O端口（ 64引脚或68引脚版本）

- 4个8位I / O端口（ 44引脚版）

- 3个16位定时器/计数器

- 256字节便签RAM

- 9中断源， 4个优先级

综合电力监控（ POR / PFD ）监督内部电源

ISP （在系统编程）使用标准的V

电源

2048字节的引导ROM包含低级别闪存编程程序和默认

系列装载机

高速架构

- 在标准模式：

40兆赫（VCC为2.7V至5.5V ，内部和外部代码执行）

60兆赫（VCC为4.5V至5.5V，内部代码执行只）

- 在X2模式（ 6时钟/机器周期）

20兆赫（VCC为2.7V至5.5V ，内部和外部代码执行）

30兆赫（VCC为4.5V至5.5V，内部代码执行只）

64K字节片上闪存程序/数据存储器

- 字节和页（ 128字节）的擦除和写入

- 100K的写周期

片上1792字节扩展RAM （ XRAM ）

- 软件可选尺寸（ 0 ， 256 ， 512 ， 768 ， 1024 ， 1792字节）

- 768字节复位入选T89C51RD2兼容性

片上2048字节EEPROM的块数据存储（ AT89C51ED2只）

- 100K的写周期

双数据指针

可变长度MOVX慢速RAM /外设

有独立选择的CPU和每个外设改善X2模式

键盘中断接口的端口1

SPI接口（主/从模式）

8位时钟预分频器

16位可编程计数器阵列

- 高速输出

- 比较/捕获

- 脉冲宽度调制器

- 看门狗定时器功能

异步端口复位

全双工增强型UART与内部专用波特率发生器

低EMI （禁止ALE ）

硬件看门狗定时器（一次性启用带有复位输出），断电标志

功率控制模式：空闲模式，掉电模式

单电源范围： 2.7V至5.5V

工业级温度范围（-40℃至+ 85°C ）

封装： PLCC44 ， VQFP44 ， PLCC68 ， VQFP64 ， PDIL40

8位闪存

微控制器

AT89C51RD2

AT89C51ED2

描述

AT89C51RD2 / ED2是高性能CMOS Flash版本的8051 CMOS赎罪的

GLE芯片8位微控制器。它包含一个64字节闪存块的代码和

供的数据。

64 KB闪存存储器可以通过并行方式或串行编程

方式与ISP能力或与软件。编程电压为内部

从标准的V产生

引脚。

牧师4235E - 8051-04 / 04

该AT89C51RD2 / ED2保留了所有的Atmel公司80C52的功能，具有256字节

内部RAM ， 9源4级中断控制器和3个定时器/计数器。该

AT89C51ED2提供2048字节的EEPROM非易失性数据存储。

此外， AT89C51RD2 / ED2具有可编程计数器阵列，一个XRAM

1792字节，一个硬件看门狗定时器， SPI接口，键盘，更灵活

便于多机通信（ EUART ）和高速串行通道

改进机制（ X2模式）。

在AT89C51RD2 / ED2的全静态设计使得降低系统功率变

消耗通过将时钟频率降低到任何值，包括直流，而不损失

的数据。

该AT89C51RD2 / ED2有2个软件可选减少活动模式和一个8

位时钟预分频器进一步降低功耗。在空闲模式下， CPU

被冻结而外围模块和中断系统仍在运行。在上电

关断模式的RAM保存等所有功能都不起作用。

在AT89C51RD2 / ED2的附加功能，使其功能更强大的应用程序

这种需要脉宽调制，高速I / O和计数功能，如

报警器，电机控制，有绳电话，而智能卡读卡器。

表1中。

内存容量和I / O引脚

包

PLCC44/VQFP44/DIL40

PLCC68/VQFP64

闪存（字节）

64K

XRAM （字节）

1792

总RAM （字节）

2048

I / O

AT89C51RD2/ED2

4235E–8051–04/04

AT89C51RD2/ED2

框图

图1 。

框图

T2EX

键盘

(1)

VCC

PCA

RXD

TXD

VSS

ECI

(2) (2)

(1)

(1) (1)

(1)

XTALA1

XTALA2

EUART

内存

256x8

FL灰

64K ×8

XRAM

1792 x 8

PCA

Timer2

键盘

观看

-DOG

EEPROM *

2K ×8

(AT89C51ED2)

C51

CORE

IB总线

ALE / PROG

PSEN

(2)

中央处理器

并行I / O端口&

定时器0

定时器1

INT

CTRL

外部总线

端口0端口1

端口2

端口3端口4端口5

SPI

BOOT稳压器

2K ×8 POR / PFD

只读存储器

(2) (2)

RESET

(2) (2)

INT0

INT1

(1) (1) (1)(1)

MISO

MOSI

SCK

（ 1 ）：端口1复用功能

（ 2 ）：端口3复用功能

4235E–8051–04/04

SFR映射

特殊功能寄存器（SFR ）的AT89C51RD2 / ED2落进下面

类别：

C51内核寄存器： ACC ， B， DPH ， DPL ， PSW ， SP

I / O端口寄存器： P0 ， P1 ， P2 ， P3 ， PI2

定时器寄存器： T2CON ， T2MOD ， TCON ， TH0 ， TH1 ， TH2 ， TMOD ， TL0 ， TL1 ， TL2 ，

RCAP2L ， RCAP2H

串行I / O端口寄存器： SADDR ， SADEN ， SBUF ， SCON

PCA （可编程计数器阵列）寄存器CCON ， CCAPMx ， CL ， CH ， CCAPxH ，

CCAPxL （其中x： 04）

电源和时钟控制寄存器： PCON

硬件看门狗定时器寄存器： WDTRST ， WDTPRG

中断系统寄存器： IE0 ， IPL0 ， IPH0 ， IE1 ， IPL1 ， IPH1

键盘接口寄存器： KBE ， KBF ， KBLS

SPI寄存器： SPCON ， SPSTR ， SPDAT

BRG （波特率发生器）寄存器： BRL ， BDRCON

时钟分频寄存器： CKRL

其他： AUXR ， AUXR1 ， CKCON0 ， CKCON1

AT89C51RD2/ED2

4235E–8051–04/04

AT89C51RD2/ED2

表2中。

C51核心的SFR

助记符

加

PSW

DPL

DPH

添加

E0h

F0h

D0h

81h

82h

83h

名字

累加器

B注册

程序状态字

堆栈指针

数据指针低字节

数据指针高字节

RS1

RS0

表3中。

系统管理的SFR

助记符

PCON

AUXR

AUXR1

CKRL

CKCKON0

CKCKON1

添加

87h

8Eh

A2h

97h

8Fh

AFH

名字

功率控制

辅助寄存器0

辅助寄存器1

时钟重载寄存器

时钟控制寄存器0

时钟控制寄存器1

SMOD1

DPU

SMOD0

WDTX2

ENBOOT

POF

XRS2

SIX2

GF1

XRS1

GF3

T2X2

GF0

XRS0

T1X2

EXTRAM

T0X2

IDL

DPS

SPIX2

PCAX2

表4 。

中断的SFR

助记符

IEN0

IEN1

IPH0

IPL0

IPH1

IPL1

添加

A8h

B1h

B7h

B8h

B3h

B2h

名字

中断允许控制0

中断使能控制1

中断优先级控制高0

中断优先级控制低0

中断优先级控制高1

中断优先级控制最低1

PPCH

PPCL

ET2

PT2H

PT2L

小灵通

PLS

ET1

PT1H

PT1L

EX1

ESPI

PX1H

PX1L

SPIH

矽品

PT0H

PT0L

ET0

EX0

大骨节病

PX0H

PX0L

KBDH

KBDL

表5 。

口的SFR

助记符

添加

80h

90h

A0h

B0h

C0h

名字

8位端口0

8位端口1

8位端口2

8位端口3

8位端口4

4235E–8051–04/04

AT89C51RD2 / AT89C51ED2 QualPack

资质包

AT89C51ED2

FLASH的8位单片机C51

64 KB闪存， 2 KB的EEPROM

AT89C51RD2 / AT89C51ED2

2003年7月

第0版 - 2003年7月

AT89C51RD2 / AT89C51ED2 QualPack

1目录

桌子， CONTENTS............................................................................................................................................. 2

一般INFORMATION...................................................................................................................................... 3

科技信息............................................................................................................................ 4

3.1

3.2

3.3

AFER

ROCESS

童占梅

.............................................................................................................................. 4

RODUCT

ESIGN

................................................................................................................................................... 5

EVICE截面

.......................................................................................................................................... 6

资格...................................................................................................................................................... 7

4.1

UALIFICATION

ETHODOLOGY

............................................................................................................................ 7

4.2

UALIFICATION

美东时间

编制方法

............................................................................................................................. 8

4.3

AFER

伊维尔基尼

ELIABILITY

................................................................................................................................... 9

4.3.1电迁移............................................................................................................................................... 9

4.3.2热载体注入..................................................................................................................................... 11

4.3.3时间相关介质击穿............................................................................................................ 12

4.3.4 FLASH Characteristics.................................................................................................................................... 14

4.4

EVICE

ELIABILITY

............................................................................................................................................ 18

4.4.1工作寿命Testing..................................................................................................................................... 18

4.4.2防静电/ Latch-up................................................................................................................................................ 18

4.4.3 FLASH和EEPROM数据保留和耐力自行车....................................... ................................. 18

4.4.4 AT89C51ED2运行可靠性Calculation.............................................................................................. 20

4.5

AT89C51ED2 P

ACKAGING可靠性

............................................................................................................... 21

4.6

AT89C51ED2 Q

UALIFICATION状态

................................................................................................................ 21

环境信息.................................................................................................................... 22

其他数据.......................................................................................................................................................... 23

6.1

6.2

6.3

ISO / TS16949：2002

ERTIFICATE

..................................................................................................................... 23

ATA

OOK

指南

...................................................................................................................................... 24

EVISION

ISTORY

.............................................................................................................................................. 24

第0版 - 2003年7月

AT89C51RD2 / AT89C51ED2 QualPack

2一般资料

产品名称：

功能：

产品名称：

功能：

AT89C51RD2

8位微控制器，带有64 KB闪存

SPI接口

AT89C51E2

8位微控制器，带有64 KB闪存， 2 KB的EEPROM

SPI接口

晶圆工艺：

可用封装类型

其他表格：

地点：

工艺开发，

产品开发

晶片厂

质量责任

探针测试

装配

最终测试

很多发布

发货控制

质量保证

可靠性测试

故障分析

逻辑CMOS 0.35微米嵌入式闪存

PLCC 44 ， VQFP 44 ， PLCC 68 ， VQFP 68 ， PDIL 40

死，晶圆

爱特梅尔科罗拉多斯普林斯，美国

爱特梅尔法国南特

爱特梅尔科罗拉多斯普林斯，美国

爱特梅尔法国南特

爱特梅尔科罗拉多斯普林斯，美国

根据包

爱特梅尔TSTI马尼拉，菲律宾

爱特梅尔法国南特

全球物流中心，菲律宾

爱特梅尔法国南特

质量管理

爱特梅尔法国南特

签名：帕斯卡LECUYER

第0版 - 2003年7月

AT89C51RD2 / AT89C51ED2 QualPack

3技术信息

3.1

晶圆制程技术

嵌入式FLASH 0.35微米逻辑（ AT56800 ）

Epitaxied硅

475微米

150 mm

流程类型（名称）：

基础材料：

硅片厚度（决赛）

晶圆直径

口罩数量

栅氧化层（逻辑晶体管）

材料

厚度

栅氧化层（ EPROM单元格）

材料

厚度

二氧化硅

68A

二氧化硅

390A

多晶硅

层数

保利厚1

保利厚2

金属

层数

材质：

1层厚度

第2层厚度

3层厚度

钝化

材料

厚度

1400A无定形

3200A

铝铜

5000A

8000A

HDP氧化物/氧氮化物

21000A

第0版 - 2003年7月

AT89C51RD2 / AT89C51ED2 QualPack

3.2

产品设计

17,9 mm

66微米* 66微米/ 111微米

0.35

0.42

0.49

0.56

0.49

0.56

0.49

0.35

0.42

模具尺寸

垫开口尺寸/间距

逻辑有效沟道长度

多晶硅栅宽度（分钟）

多晶硅栅间隔（分钟）

金属1

金属2

金属3

宽度

间距

宽度

间距

宽度

间距

联系尺码

触点间距

通过1大小

通过2个尺寸

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资质包

AT89C51ED2

FLASH的8位单片机C51

64 KB闪存， 2 KB的EEPROM

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2003年7月

第0版 - 2003年7月

AT89C51RD2 / AT89C51ED2 QualPack

1目录

桌子， CONTENTS............................................................................................................................................. 2

一般INFORMATION...................................................................................................................................... 3

科技信息............................................................................................................................ 4

3.1

3.2

3.3

AFER

ROCESS

童占梅

.............................................................................................................................. 4

RODUCT

ESIGN

................................................................................................................................................... 5

EVICE截面

.......................................................................................................................................... 6

资格...................................................................................................................................................... 7

4.1

UALIFICATION

ETHODOLOGY

............................................................................................................................ 7

4.2

UALIFICATION

美东时间

编制方法

............................................................................................................................. 8

4.3

AFER

伊维尔基尼

ELIABILITY

................................................................................................................................... 9

4.3.1电迁移............................................................................................................................................... 9

4.3.2热载体注入..................................................................................................................................... 11

4.3.3时间相关介质击穿............................................................................................................ 12

4.3.4 FLASH Characteristics.................................................................................................................................... 14

4.4

EVICE

ELIABILITY

............................................................................................................................................ 18

4.4.1工作寿命Testing..................................................................................................................................... 18

4.4.2防静电/ Latch-up................................................................................................................................................ 18

4.4.3 FLASH和EEPROM数据保留和耐力自行车....................................... ................................. 18

4.4.4 AT89C51ED2运行可靠性Calculation.............................................................................................. 20

4.5

AT89C51ED2 P

ACKAGING可靠性

............................................................................................................... 21

4.6

AT89C51ED2 Q

UALIFICATION状态

................................................................................................................ 21

环境信息.................................................................................................................... 22

其他数据.......................................................................................................................................................... 23

6.1

6.2

6.3

ISO / TS16949：2002

ERTIFICATE

..................................................................................................................... 23

ATA

OOK

指南

...................................................................................................................................... 24

EVISION

ISTORY

.............................................................................................................................................. 24

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2一般资料

产品名称：

功能：

产品名称：

功能：

AT89C51RD2

8位微控制器，带有64 KB闪存

SPI接口

AT89C51E2

8位微控制器，带有64 KB闪存， 2 KB的EEPROM

SPI接口

晶圆工艺：

可用封装类型

其他表格：

地点：

工艺开发，

产品开发

晶片厂

质量责任

探针测试

装配

最终测试

很多发布

发货控制

质量保证

可靠性测试

故障分析

逻辑CMOS 0.35微米嵌入式闪存

PLCC 44 ， VQFP 44 ， PLCC 68 ， VQFP 68 ， PDIL 40

死，晶圆

爱特梅尔科罗拉多斯普林斯，美国

爱特梅尔法国南特

爱特梅尔科罗拉多斯普林斯，美国

爱特梅尔法国南特

爱特梅尔科罗拉多斯普林斯，美国

根据包

爱特梅尔TSTI马尼拉，菲律宾

爱特梅尔法国南特

全球物流中心，菲律宾

爱特梅尔法国南特

质量管理

爱特梅尔法国南特

签名：帕斯卡LECUYER

第0版 - 2003年7月

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3技术信息

3.1

晶圆制程技术

嵌入式FLASH 0.35微米逻辑（ AT56800 ）

Epitaxied硅

475微米

150 mm

流程类型（名称）：

基础材料：

硅片厚度（决赛）

晶圆直径

口罩数量

栅氧化层（逻辑晶体管）

材料

厚度

栅氧化层（ EPROM单元格）

材料

厚度

二氧化硅

68A

二氧化硅

390A

多晶硅

层数

保利厚1

保利厚2

金属

层数

材质：

1层厚度

第2层厚度

3层厚度

钝化

材料

厚度

1400A无定形

3200A

铝铜

5000A

8000A

HDP氧化物/氧氮化物

21000A

第0版 - 2003年7月

AT89C51RD2 / AT89C51ED2 QualPack

3.2

产品设计

17,9 mm

66微米* 66微米/ 111微米

0.35

0.42

0.49

0.56

0.49

0.56

0.49

0.35

0.42

模具尺寸

垫开口尺寸/间距

逻辑有效沟道长度

多晶硅栅宽度（分钟）

多晶硅栅间隔（分钟）

金属1

金属2

金属3

宽度

间距

宽度

间距

宽度

间距

联系尺码

触点间距

通过1大小

通过2个尺寸

第0版 - 2003年7月