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K9F5608U0B-VCB0,VIB0,FCB0,FIB0
K9F5608Q0B-DCB0,DIB0,HCB0,HIB0
K9F5608U0B-YCB0,YIB0,PCB0,PIB0
K9F5608U0B-DCB0,DIB0,HCB0,HIB0
K9F5616Q0B-DCB0,DIB0,HCB0,HIB0
K9F5616U0B-YCB0,YIB0,PCB0,PIB0
K9F5616U0B-DCB0,DIB0,HCB0,HIB0
FL灰内存
文档标题
32M ×8位， 16M x 16位NAND闪存
修订历史
修订历史号
0.5
1.添加卢比VS TR ， TF &卢比VS ibusy图的1.8V器件（第33页）
2.添加了数据保护的Vcc guidence为1.8V器件 - 低于约
1.1V 。 （第34页）
最小。 VCC值1.8V器件被改变。
K9F56XXQ0B ： Vcc的1.65V 1.95V --> 1.70V 1.95V
无铅封装添加。
K9F5608U0B-FCB0,FIB0
K9F5608Q0B-HCB0,HIB0
K9F5616U0B-HCB0,HIB0
K9F5616U0B-PCB0,PIB0
K9F5616Q0B-HCB0,HIB0
K9F5608U0B-HCB0,HIB0
K9F5608U0B-PCB0,PIB0
无效的块的数目的新定义加入。
（最低
1004块有效的保证了每个连续的128Mb
存储器空间）。
的TBGA A3球引脚分配发生变化。
（前） N.C --> （后） Vss的
草案日期
十一月22.2002
备注
0.6
三月6.2003
0.7
三月第13 2003
0.8
2003年4月4日
0.9
五月。第24届2003
注：欲了解更多详细的功能以及规格，包括常见问题解答，请参考三星的Flash网站。
s
http://www.intl.samsungsemi.com/Memory/Flash/datasheets.html
所附的说明书准备和批准三星电子。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。保留权利
改变规格。三星电子将评估和回复您的要求和有关设备的问题。如果你有
有任何疑问，请联系三星分支机构靠近你。
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