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K9F5608U0B-VCB0,VIB0,FCB0,FIB0
K9F5608Q0B-DCB0,DIB0,HCB0,HIB0
K9F5608U0B-YCB0,YIB0,PCB0,PIB0
K9F5608U0B-DCB0,DIB0,HCB0,HIB0
K9F5616Q0B-DCB0,DIB0,HCB0,HIB0
K9F5616U0B-YCB0,YIB0,PCB0,PIB0
K9F5616U0B-DCB0,DIB0,HCB0,HIB0
FL灰内存
文档标题
32M ×8位， 16M x 16位NAND闪存
修订历史
修订历史号
0.0
0.1
首次发行。
在X16设备Read2则操作
: A
3
~ A
7
有别照顾== >一
3
~ A
7
是"L"
t
1. I
OL
1.8V装置（R / B）的改变。
-min 。价值： 7毫安-->3mA
-typ 。价值： 8毫安-->4mA
2.交流参数变化。
激进党（分钟） ： 30ns的-->为25ns
3. WP引脚提供了硬件保障，并建议保留
在V
IL
在上电期间最低和断电和恢复时间
1μs的是内部电路之前，需要准备好对任何命令
在图15所示的序列作为。
--- > WP引脚提供了硬件保障，并推荐为
保持在V
IL
中电和断电和恢复时间
最低10微秒的内部电路之前，需要准备好对任何
命令序列如图15所示。
0.3
1. X16 TSOP1销被改变。
： ＃ 36引脚从VCCQ改为N.C 。
1.在X16设备，坏块信息的位置是从256变
字节和256字节261th 。
2. TAR1 ， TAR2合并焦油。 （第12页）
（修改前）分钟。 TAR1 = 20ns的，分钟。 TAR2 = 50ns的
（修订后）分钟。间tAR = 10ns的
三分钟。 TCLR从50ns的改变为10ns 。 （第12页）
4分钟。 TREA从为35ns改为30ns的。 （第12页）
5分钟。 TWC从50ns的改变为45nS 。 （第12页）
6.独特的ID为版权保护提供
-The设备包括一个块大小的OTP （一次性可编程）
这可以用来提高系统的安全性，或提供
识别能力。详细信息可以通过获得
与三星联系。
7. tRHZ是分为tRHZ和TOH 。 （第12页）
- tRHZ ： RE高到输出高阻
- TOH ： RE高到输出保持
8. tCHZ均分为下，tCHZ和TOH 。 （第12页）
- 下，tCHZ ： CE高到输出高阻
- TOH ： CE高到输出保持
草案日期
五月。 2001年第15届
2001年9月20日
备注
ADVANCE
0.2
2001年11月5日
2002年2月15日
0.4
2002年4月15日
注：欲了解更多详细的功能以及规格，包括常见问题解答，请参考三星的Flash网站。
s
http://www.intl.samsungsemi.com/Memory/Flash/datasheets.html
所附的说明书准备和批准三星电子。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。保留权利
改变规格。三星电子将评估和回复您的要求和有关设备的问题。如果你有
有任何疑问，请联系三星分支机构靠近你。
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