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K9F5608U0B-VCB0,VIB0,FCB0,FIB0
K9F5608Q0B-DCB0,DIB0,HCB0,HIB0
K9F5608U0B-YCB0,YIB0,PCB0,PIB0
K9F5608U0B-DCB0,DIB0,HCB0,HIB0
K9F5616Q0B-DCB0,DIB0,HCB0,HIB0
K9F5616U0B-YCB0,YIB0,PCB0,PIB0
K9F5616U0B-DCB0,DIB0,HCB0,HIB0
FL灰内存
产品介绍
该K9F56XXX0B是528 （ X8设备）或264 （ X16设备）组织为65,536行（页）一个264Mbit （ 276824064位）内存
列。备用八列分别位于512 527 （ X8设备）或256 263 （ X16设备）的列地址。 528字节（ X8
设备）或264个字（ X16的装置）的数据寄存器被连接到存储器单元阵列容纳我之间的数据传输/输出
在页面读取和页编程操作的缓冲区和内存。存储器阵列由16个单元是串联CON-的
已连接以形成NAND结构。每16个单元的驻留在不同的页面。一个块由两个NAND结构。与非门
结构由16个细胞组成。总16896 NAND单元驻留在一个块中。阵列组织如图2-1,2-2 。亲
克和读操作都在一个页面基础上执行的，而擦除操作以块为基础执行。在存储器阵列
由2048分别可擦除16K字节（ X8设备）或8K字（ X16器件）模块。这表明，点点滴滴的擦除操作
值，我们禁止在K9F56XXX0B 。
该K9F56XXX0B有地址复用为8个I / O （ X16设备情况：低8个I / O ） 。 K9F5616X0B允许16位宽的数据
运进和流出的页面寄存器。该方案极大地减少引脚数，同时提供高性能和可
通过保持系统板设计的一致性的系统升级到未来的密度。命令，地址和数据都被写入
通过I / O的通过将WE低，而CE为低。数据锁定在WE的上升沿。命令锁存使能（ CLE ）和
地址锁存使能（ ALE ）用于复分别命令和地址，通过I / O引脚。某些命令需要一个
总线周期。例如，复位命令，读命令，状态读取命令，等需要的只是一个周期的总线。其他一些的COM
像页编程和复制回计划和块擦除mands ，需要两个周期：一个周期用于设置和其他周期
执行。的32M字节（X8设备）或16M字（ X16设备）物理空间要求24的地址，因此需要三个周期
对于词级寻址：列地址，低行地址和高的行地址，按照该顺序。页面读取和页编程
需要同样的三个地址周期下所需要的指令输入。在块擦除操作，但是，只有两排
地址周期被使用。设备操作都通过写入特定的命令到命令寄存器选择。表1定义
该K9F56XXX0B的特定命令。
该装置包括一个块大小的OTP（一次性可编程），它可用来提高系统的安全性，或提供
识别能力。详细信息可以通过与三星接触得到。
表1.命令集
功能
阅读1
阅读2
读取ID
RESET
页编程
复制回收计划
块擦除
阅读状态
1日。周期
00h/01h
(1)
50h
90h
FFH
80h
00h
60h
70h
第2位。周期
-
-
-
-
10h
8Ah
D0h
-
O
O
在繁忙接受命令
记
1. 01H命令只能在X8设备（ K9F5608X0B ） 。
小心
：任何未定义的命令输入被禁止的，除了表1中的上述命令集。
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