LM2727/LM2737
应用信息
（续）
在本实施例中，为了维持在2％的峰 - 峰
输出电压纹波和40％的峰 - 峰值电感电流
纹波，所需的最大ESR为6MΩ 。三三洋
并联10MV5600AX电容器会给出一个等效
ESR 6MΩ的。 16.8mF的总体积电容
足以满足甚至是严重的负载瞬变。使用
对于输入和输出电容器一样也保持了法案
材料很简单。
MOSFET的
MOSFET，任何开关控制器的关键部分，并
对系统效率有直接影响。在这种情况下
在目标效率为85 ％ ，这是变量，将
确定哪个设备是可以接受的。从钙流失
pacitors ，电感器和所述LM2727本身中有详细的
效率的部分，并提出约0.54W 。为了满足
目标效率，这会使1.45W的FET导通
损耗，栅极充电损耗和开关损耗。开关损耗
特别难于估计，因为它取决于
许多因素。当负载电流大于约1或
2安培，导通损耗大于开关和门
充电损耗。这允许基于FET的选择
R
DSON
的场效应晶体管。加在FET开关和栅极
充电损耗等式叶1.2W用于传导
损失。该方程为导通损耗是：
P
来电显示
= D （I
2o
* R
DSON
* k）的1 +（1 -D）， （Ⅰ
2o
* R
DSON
*k)
该系数k是其中加入占所述恒定
加大研发
DSON
FET的由于加热。这里，k = 1.3 。该
Si4442DY具有典型
DSON
的4.1mΩ 。当插入
根据上面的公式P
来电显示
结果为0.533W的损失。如果这
设计分别为5V至2.5V的电路，同样数量的
上的高侧和低侧FET将是最好的解决办法。
与占空比D = 0.24 ，很明显，该
低侧FET携带时的负载电流的76％。
增加一个第二FET在平行于底场效应管可以
通过降低有效提高效率
DSON
。该
低占空比，更有效的第二或甚至
第三FET即可。对于栅极充电的最小增幅
损耗（ 0.054W ）的导通损耗的降低是0.15W 。
什么是一个85％的设计提高86％的添加
一个SO- 8 MOSFET的成本。
控制环路元件
该电路是这样设计的示例，并且在示出的另
该示例电路部分都得到了补偿，以
改善他们的直流增益和带宽。这样的结果
补偿是更好的电压和负载瞬态响应。
对于LM2727 ，顶部的反馈分压电阻， RFB2 ，是
还补偿的一部分。为10A ， 5V至1.2V
设计时，这些值是：
CC1 = 4.7pF的10％ ， Cc2的= 1nF的10％中，R c = 229kΩ 1％。这些
值给出的63的相位裕量和带宽
29.3kHz.
支持电容和电阻
该Cinx电容高频旁路器件，
设计的滤波器与开关频率的谐波和
输入噪声。两个1μF的陶瓷电容具有足够
额定电压（ 10V为巡回
图3）
将工作做好
几乎在任何情况下。
www.national.com
12
Rbypass醉倒，并有标准的滤波器元件DE-
签名，以确保该芯片供应平滑的直流电压和
于引导结构，如果它被使用。使用10Ω的
电阻和一个2.2μF的陶瓷盖。 Cb为自举
电容器，而且应该是0.1μF 。 （在一个单独的情况下，
供应高到BOOTV脚，这0.1μF帽可以用
绕过供应。）使用一个肖特基器件的自举
举二极管允许高和低的最小压降
侧驱动器。安森美半导体BAT54或MBR0520
很好地工作。
Rp为一个标准的上拉电阻器的开路漏极功率
良好的信号，并且应为10kΩ 。如果这个功能是不是
必要时，它可以省略。
R
CS
是用于设置电流限制电阻。自从
对于峰值电流幅度设计电话（ IO + 0.5 *
I
o
）的
如图12A所示，一个安全设置将是15A 。 （这远低于
输出电感器，它是图25A的饱和电流）。
继电流限部分的方程，用
3.3kΩ的电阻。
R
FADJ
用于设置芯片的开关频率。
下面的公式中的工作原理部分，
最接近的1 ％容差电阻来获得F
SW
= 300kHz的是
88.7k.
C
SS
取决于用户的需求。基于该
方程对C
SS
在工作原理部分，对于
3毫秒的延迟，一个12nF电容就足够了。
效率计算的
交换效率的合理估计
可以通过添加在一起的损失是可以得到控制
每个电流承载元件和用公式：
以下显示了一个效率计算，以补充
的电路
网络连接gure 3 。
输出功率该电路为1.2V X
10A = 12W 。
芯片的工作损失
P
IQ
= I
Q- VCC
*V
CC
2毫安X 5V = 0.01W
FET的栅极充电损耗
P
GC
= N * V
CC
* Q
GS
* f
OSC
该值n是所使用的FET的总数。该Si4442DY
有一个典型的总栅极电荷，Q
GS
， 36nC和一个为r的
DS -ON
of
4.1mΩ 。对顶部和底部单个FET ：
2*5*36E
-9
*300,000 = 0.108W
FET开关损耗
P
SW
= 0.5 * V
in
* I
O
* (t
r
+ t
f
)* f
OSC
该Si4442DY具有典型上升时间t
r
和下降时间t
f
11
和47ns ，分别。 0.5 * 5 * 10 * 58E
-9
*300,000 = 0.435W
