LM2727/LM2737
应用信息
（续）
直到V
CC
高于4.2V 。如同关机，软启动
电容器是通过场效应管排出，确保下一
启动会顺利。
电流限制
电流限制通过检测的电压来实现
低边FET同时开启。第r
DSON
FET的是一个已知的
值，因此，通过的电流的FET可以被确定
如：
V
DS
= I * R
DSON
电流限制是通过一个外部电阻，R确定
CS
,
连接在开关节点和ISEN针之间。一
50μA的恒定电流通过RCS强制，造成了
固定的电压降。此固定电压相比较
V
DS
如果是后者越高，芯片的电流限制具有
已经达到。
CS
可以发现通过使用下面的：
R
CS
= R
DSON
（ LOW ） * I
LIM
/50A
例如，一个保守的15A的电流在10A限
设计以最小
DSON
为10mΩ的将需要
3.3kΩ的电阻。因为电流检测横跨完成
低边FET ，没有最低偏高的时间是必要的。在
在电流限制模式的LM2727 / 37将转向偏多
关闭，并且保持低侧上，只要有必要的。该
芯片还通过一个固定的放电软启动电容
95μA来源。以这种方式，平滑斜坡上升的输出
电压与通常的软启动的确保。的输出
的LM2727 / 37内部误差放大器由电压不限
年龄上的软启动电容。因此，放电软
启动电容减小的最大占空比D
控制器。在严峻的电流限制，本次减持税
循环会降低输出电压，如果电流限制CON-
ditions持续延长的时间。
在低侧栅极后的前几个纳秒
导通时，低侧FET体二极管导通。这将导致
在V额外的0.7V下降
DS
。 Ⅴ的范围
DS
通常
低得多。例如，若R
DSON
分别为10mΩ和
电流通过FET为10A ，V
DS
是0.1V 。该
电流限制会看到0.7V为70A的电流和输入
马上电流限制。因此，电流限制被屏蔽能很好地协同
荷兰国际集团需要的高边开关时间关闭，
低压侧开关打开。
UVP / OVP
输出欠压保护，过压保护
化机制接合于70 ％，并且目标的118％
输出电压分别为。在两种情况下， LM2727将
关闭高侧开关，并打开所述低侧开关，
并通过MOSFET放电软启动电容
开关。该芯片将保持这种状态，直到关断引脚
已被拉到逻辑低电平，然后释放。该UVP
功能是软的第一充电过程中仅被屏蔽
启动电容器，当电压首先施加于V
CC
引脚。在
相比之下， LM2737被设计为继续运行很好地协同
荷兰国际集团UVP和OVP条件，并恢复正常运行
一旦故障被清除。作为与LM2727 ，该
电源良好标志在此期间变为低电平，使逻辑电平
预警信号。
关闭
如果关断引脚SD被拉为低电平时， LM2727 / 37显示
通过MOSFET开关充电软启动电容。
高压侧开关关断和低侧开关是
接通。该LM2727 / 37保持这种状态，直到SD是
释放。
MOSFET栅极驱动器
该LM2727 / 37具有专为驱动两个栅极驱动器
N沟道MOSFET的同步模式。功率为
司机通过BOOTV引脚提供。对于高边
栅极（HG）充分打开顶部场效应管， BOOTV电压
必须至少有一个V
GS （ TH）
比输入电压更高。 （ BOOTV
≥
2 * Vin）和该电压可以通过一个单独的供给，更高
电压源，或从本地电荷泵供给struc-
真实存在。在一个系统中，如台式计算机， 5V和
12V通常是可用的。因此，如果输入电压是5V ， 12V的
供应可用于BOOTV 。 12V大于2 * Vin的，所以
在HG将正常运行。对于12V的的BOOTV
初始栅极充电电流为2A ，初始栅显示
充电电流通常为6A 。
20049402
图1. BOOTV由电荷泵提供
在没有单独的，更高电压的系统中，一个电荷
泵（自举）可以用一个二极管和小钙建
pacitor ，
图1 。
电容器用于保持足够
顶端FET的栅极和源极，以控制之间的电压
设备即使在顶部FET是其源已上升
到输入电压电平。
该LM2727 / 37栅极驱动采用BiCMOS工艺设计。与
其他一些双极性控制IC ，栅极驱动器具有轨到
轨摆动，确保不误导通，由于电容
耦合。
电源良好信号
电源良好信号是或门控标志代表
过电压和欠电压保护。如果输出电压
年龄为18 ％，比它的标称值，V
FB
= 0.7V ，或下降30 ％
低于该值，V
FB
= 0.41V ，电源良好标记将变低。
该转换器然后关闭高侧栅极，并开启
低侧栅极。不同于输出（ LM2727只）的功率
良好的标志不会被锁存关闭。它会返回到逻辑高
每当反馈引脚电压为70 ％之间
118 ％的0.6V 。
UVLO
4.2V的导通阈值的V
CC
有一个内置的滞后
的0.6V 。因此，若V
CC
下降到低于3.6V，芯片进入
UVLO模式。 UVLO由关断顶部FET的，
打开底部的FET ，并保留在该条件下
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