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HYS64D128021[H/G]BDL–[5/6]–B
小外形封装DDR SDRAM模块
概观
表2
TYPE
PC3200 （CL = 3）的
HYS64D128021GBDL–5–B
PC2700 （CL = 2.5）
HYS64D128021GBDL–6–B
PC2700S-2533–0–Z
两个职级1 GB SO- DIMM
512兆位（ × 8 ）
PC3200S–3033–1–Z
两个职级1 GB SO- DIMM
512兆位（ × 8 ）
订购信息
合规守则
描述
SDRAM
技术
PC3200 （CL = 3）的
HYS64D128021HBDL–5–B
PC2700 （CL = 2.5）
HYS64D128021HBDL–6–B
注意：
1.所有部件号结束与一个地方的代码指定的硅芯片版本。可参考信息
请求。例如： HYS64D32020GDL -6 -B中，表示转速。乙模具被用于SDRAM的组件。
2.符合代码打印在描述速度的排序（例如，“ PC2700 ” ）的模块的标签，该
延迟和SPD代码定义（例如“ 2033-0 ”指的2.0个时钟， RCD CAS等待时间
1)
潜伏期
3个时钟，排3个时钟预充电延迟，以及JEDEC SPD代码definiton版本0 ） ，和原卡
用于该模块。
PC2700S-2533–0–Z
两个职级1 GB SO- DIMM
512兆位（ × 8 ）
PC3200S–3033–1–Z
两个职级1 GB SO- DIMM
512兆位（ × 8 ）
1 ） RCD ：行，列延时
数据表
7
修订版0.5 ， 2003-12
