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HYS72D[128/256][300/320/321/500][GBR/HR]-[5/6/7/7F]-B
录得双数据速率SDRAM模块
电气特性
表9
I
DD
规范-7
HYS72D128500HR–7–B
HYS72D128300GBR–7–B
HYS72D128321GBR–7–B
HYS72D256320GBR–7–B
HYS72D128500HR–7F–B
单位
记
1)2)
编号&组织
1 GB
×72
1级
–7F
典型值。
2158
2354
430
736
646
538
934
2179
2273
4499
414
5493
马克斯。
2452
2746
448
808
754
610
1042
2460
2554
5263
468
6376
1 GB
×72
1级
–7
典型值。
2028
2208
430
736
646
538
934
2118
2208
4278
414
5088
马克斯。
2298
2568
448
808
754
610
1042
2388
2478
4998
468
5898
1 GB
×72
2点
–7
典型值。
1587
1677
430
736
646
538
934
1632
1677
2712
414
3117
马克斯。
1776
1911
448
808
754
610
1042
1821
1866
3126
468
3576
2 GB
×72
2点
–7
典型值。
2586
2766
484
1096
916
700
1492
2676
2766
4836
451
5646
马克斯。
2964
3234
520
1240
1132
844
1708
3054
3144
5664
560
6564
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
3)
3)4)
5)
5)
5)
5)
5)
3)4)
3)
3)
5)
3)4)
符号
I
DD0
I
DD1
I
DD2P
I
DD2F
I
DD2Q
I
DD3P
I
DD3N
I
DD4R
I
DD4W
I
DD5
I
DD6
I
DD7
只有1人） DRAM元件的电流
2 ）为最大值测试条件：
V
DD
= 2.7 V,
T
A
= 10 °C
3）模块
I
DDX
值被从该组件计算
I
DDX
数据表值：
m
×
I
DDX
[成分] +
n
×
I
DD3N
与[成分]
m
和
n
秩1和2的组件数量;
n=0
1级模块
4 ） DQ I / O（
I
DDQ
）电流不纳入计算：模块
I
DD
值将被测量的不同，具体取决于负载
条件
5）模块
I
DDX
值从corrponent计算
I
DDX
数据表中数值为： （M +
n)
×
I
DDX
[成分]
数据表
17
修订版0.5 ， 2003-12
