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HYS72D[128/256][300/320/321/500][GBR/HR]-[5/6/7/7F]-B
录得双数据速率SDRAM模块
电气特性
表10
I
DD
规范-6
HYS72D128300GBR–6–B
HYS72D128321GBR–6–B
HYS72D256320GBR–6–B
单位
记
1)2)
编号&组织
1GB
×72
1级
–6
典型值。
2350
2620
484
880
736
628
1096
2620
2710
4690
475
6310
马克斯。
2710
2980
502
970
862
700
1222
2980
3070
5500
523.6
7300
1 GB
×72
2点
–6
典型值。
1873
2008
484
880
736
628
1096
2008
2053
3043
475
3853
马克斯。
2116
2251
502
970
862
700
1222
2251
2296
3511
523.6
4411
2 GB
×72
2点
–6
典型值。
3016
3286
538
1330
1042
826
1762
3286
3376
5356
520
6976
马克斯。
3502
3772
574
1510
1294
970
2014
3772
3862
6292
617.2
8092
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
3)
3)4)
5)
5)
5)
5)
5)
3)4)
3)
3)
5)
3)4)
符号
I
DD0
I
DD1
I
DD2P
I
DD2F
I
DD2Q
I
DD3P
I
DD3N
I
DD4R
I
DD4W
I
DD5
I
DD6
I
DD7
只有1人） DRAM元件的电流
2 ）为最大值测试条件：
V
DD
= 2.7 V,
T
A
= 10 °C
3）模块
I
DDX
值被从该组件计算
I
DDX
数据表值：
m
×
I
DDX
[成分] +
n
×
I
DD3N
与[成分]
m
和
n
秩1和2的组件数量;
n=0
1级
模块
4 ） DQ I / O（
I
DDQ
）电流不纳入计算：模块
I
DD
值将被测量的不同，具体取决于
负载条件
5）模块
I
DDX
值从corrponent计算
I
DDX
数据表中数值为： （M +
n)
×
I
DDX
[成分]
数据表
18
修订版0.5 ， 2003-12
