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K5A3x80YT(B)C
DQ3 ：块擦除定时器
初步
MCP内存
可以通过DQ3球来检测所述多块擦除操作的状态。 DQ3会高，如果块擦除时间为50μs win-
道指到期。在这种情况下，内部擦除程序将启动擦除operation.Therefore ，该设备将不接受进一步的写
指令直到擦除操作完成。 DQ3是低，如果块擦除时间窗口没有过期。在块擦除
时间窗口中，一个额外的块擦除命令（ 30H）可以接受的。以确认该块擦除命令已
接受时，软件可以检查DQ3的以下各块擦除命令的状态。
DQ2 ：触发位2
该装置产生的反复脉冲在DQ2只有一个内部擦除例程或擦除暂停正在进行中。当该装置
执行内部擦除程序， DQ2切换只有在擦除块被读出。虽然内部擦除程序是在
超过时限之时， DQ2切换只有在超出时间限制的擦除块被读出。当该装置处于擦除
挂起模式， DQ2切换只有在擦除块中的地址被读出。如果一个非擦除块地址的擦除期间读
暂停模式，然后DQ2将产生有效的数据。如果用户试图编写一个非擦除暂停块，而DQ2变高
设备在擦除挂起模式。在DQ6和DQ2的状态组合，可用于区分的擦除操作
从程序的操作。
RY / BY ：就绪/忙
闪速存储器具有就绪/忙输出，指示或者在完成一个操作或内部算法的状态。如果
的输出为低电平时，该设备正忙于任一个程序或擦除操作。如果输出为高，该装置已准备好接受
任何读/写或擦除操作。当RY / BY球低时，该装置将不接受任何额外的编程或擦除命令
除擦除的暂停命令。如果闪速存储器被放置在一个擦除挂起模式时， RY / BY输出将
高。用于编程， RY / BY是有效的（ RY / BY = 0 ）之后的第4个WE脉冲的四个写入脉冲的上升沿
序列。芯片擦除， RY / BY也有效WE的上升沿之后的6写入脉冲序列脉冲。对于块擦除，
RY / BY也是后6个WE脉冲的上升沿有效。
这个球是一个开漏输出，允许两个或更多就绪/忙输出为OR挂钩。一个适当的上拉电阻是必需
正确操作。
Rp
VCC
F
Rp
=
READY / BUSY
开漏输出
VCC
F
（最大值） - V
OL
（ MAX 。 ）
I
OL
+
2.9V
=
2.1毫安+
Σ
I
L
Σ
I
L
哪里
Σ
I
L
是所有设备的输入电流的总和绑
就绪/忙球。
VSS
设备
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修订版0.0
2002年11月
