位置：首页 > IC型号导航 > 首字符K型号页 > 首字符K的型号第189页 > K5A3380YBC-T755 > K5A3380YBC-T755 PDF资料 > K5A3380YBC-T755 PDF资料2第21页
K5A3x80YT(B)C
表12.常见的闪存接口代码
描述
地址
（字模式）
10H
11H
12H
13H
14H
15H
16H
17H
18H
19H
1AH
1BH
1CH
1DH
1EH
1FH
20H
21H
22H
23H
24H
25H
26H
27H
28H
29H
2AH
2BH
2CH
2DH
2EH
2FH
30H
31H
32H
33H
34H
35H
36H
37H
38H
39H
3AH
3BH
3CH
初步
MCP内存
地址
（字节模式）
20H
22H
24H
26H
28H
2AH
2CH
2EH
30H
32H
34H
36H
38H
3AH
3CH
3EH
40H
42H
44H
46H
48H
4AH
4CH
4EH
50H
52H
54H
56H
58H
5AH
5CH
5EH
60H
62H
64H
66H
68H
6AH
6CH
6EH
70H
72H
74H
76H
78H
数据
0051H
0052H
0059H
0002H
0000H
0040H
0000H
0000H
0000H
0000H
0000H
0027H
0036H
0000H
0000H
0004H
0000H
000AH
0000H
0005H
0000H
0004H
0000H
0016H
0002H
0000H
0000H
0000H
0002H
0007H
0000H
0020H
0000H
003EH
0000H
0000H
0001H
0000H
0000H
0000H
0000H
0000H
0000H
0000H
0000H
查询独特的ASCII字符串"QRY"
初级OEM命令集
地址初级扩展表
备用OEM命令集（ 00H =不存在）
地址备用OEM扩展表（ 00H =不存在）
VCC最小值。 （写入/擦除）
D7 - D4 ：伏， D3 - D0 ： 100毫伏
VCC最大。 （写入/擦除）
D7 - D4 ：伏， D3 - D0 ： 100毫伏
VPP最小。电压（ 00H =无Vpp脚存在）
VPP最大。电压（ 00H =无Vpp脚存在）
每单字节/字典型超时写2
N
us
典型的超时最小。大小缓冲区写2
N
美国（ 00H =不支持）
每个单独的块擦除2典型的超时
N
ms
典型的超时整片擦除2
N
MS （ 00H =不支持）
马克斯。超时字节/字写2
N
时代典型
马克斯。超时缓冲区写2
N
时代典型
马克斯。每个单独的块擦除2超时
N
时代典型
马克斯。超时整片擦除2
N
时代典型（ 00H =不支持）
器件尺寸= 2
N
字节
闪存设备接口说明
马克斯。在多字节写入字节的数目= 2的
N
擦除块区域内的设备数
擦除块区域1信息
擦除块的区域2信息
擦除块的区域3信息
擦除块区域信息4
- 21 -
修订版0.0
2002年11月
