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4兆ROM + 1兆比特/ 256千比特SRAM ，ROM / RAM组合
SST30VR041 / SST30VR043
初步规格
TRC
地址
TAA
TOH
数据输出
以前的数据有效
数据有效
381 ILL F04.0
图6 ： SRAM
EAD
C
YCLE
T
即时通信
D
IAGRAM
(A
地址H1
C
ONTROLLED
） （ OE ＃ / RAMCS ＃ = V
IL
， WE＃ = V
IH
)
TRC
地址
TAA
OE ＃ / ＃ RAMCS
TCO
TLZ(2)
高-Z
数据输出
数据有效
381 ILL F05.0
THZ(1,2)
TOH
注：1. THZ和TOHZ被定义为在所述输出达到开路状态的时间
并引用到VOH或VOL 。
2.在任何给定的温度和电压条件下的THZ （max）是小于TLZ （分钟）都对于给定的
设备和从设备到设备。
3. WE＃高读周期。
图7 ： SRAM
EAD
C
YCLE
T
即时通信
D
IAGRAM
（ OE ＃ / RAMCS ＃
ONTROLLED
)
2001硅存储技术公司
S71134-02-000 4/01
381
7
