位置：首页 > IC型号导航 > 首字符I型号页 > 首字符I的型号第245页 > IDT70V7339S133BCI > IDT70V7339S133BCI PDF资料 > IDT70V7339S133BCI PDF资料1第8页
IDT70V7339S
高速512K ×18的同步行切换的双端口静态RAM
工业和商业温度范围
电容
(1)
符号
C
IN
C
OUT
(3)
(T
A
= + 25 ° C，F = 1.0MH
Z
） PQFP ONLY
参数
输入电容
输出电容
条件
(2)
V
IN
= 3DV
V
OUT
= 3DV
马克斯。
8
10.5
单位
pF
pF
5628 TBL 07
注意事项：
1.这些参数由器件特性决定的，但不
生产测试。
2. 3DV引用插电容时的输入和输出开关
从0V到3V或3V至0V 。
3. C
OUT
还引用
I / O
.
DC电气特性在工作
温度和电源电压范围
(V
DD
= 3.3V ± 150mV的）
70V7339S
符号
|I
LI
|
|I
LO
|
V
OL
(3.3V)
V
OH
(3.3V)
V
OL
(2.5V)
V
OH
(2.5V)
参数
输入漏电流
(1)
输出漏电流
(1)
输出低电压
(2)
输出高电压
(2)
输出低电压
(2)
输出高电压
(2)
测试条件
V
DDQ
=最大，V
IN
= 0V至V
DDQ
CE
0
= V
IH
或CE
1
= V
IL
, V
OUT
= 0V至V
DDQ
I
OL
= + 4毫安，V
DDQ
=最小值。
I
OH
= -4mA ，V
DDQ
=最小值。
I
OL
= + 2毫安，V
DDQ
=最小值。
I
OH
= -2mA ，V
DDQ
=最小值。
分钟。
___
马克斯。
10
10
0.4
___
单位
A
A
V
V
V
V
5628 TBL 08
___
___
2.4
___
0.4
___
2.0
注意事项：
1. V
DD
< 2.0V泄漏是不确定的。
2. V
DDQ
可选（ 3.3V / 2.5V ），通过OPT引脚。参见第5页的详细信息。
6.42
8
