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HIGH -SPEED 3.3V 512K ×18
同步
银行可切换
双口静态RAM
3.3V或2.5V接口
产品特点：
x
IDT70V7339S
x
x
x
x
x
x
512K ×18的同步银行可切换双端口
SRAM架构
–
64个独立的8K ×18银行
- 内存芯片上的9兆
通过银行地址引脚银行存取控制
高速数据存取
- 商业： 3.4ns （ 200MHz的） /3.6ns （ 166MHz的） /
4.2ns （ 133MHz的） （最大）
- 工业： 3.6ns （ 166MHz的） /4.2ns （ 133MHz的） （最大）
可选流水线或流通输出模式
计数器使能和重复功能
双芯片能够允许深度扩展，而不
附加逻辑
在两个端口全同步操作
- 5ns的周期时间， 200MHz的运行（ 14Gbps带宽）
- 快速3.4ns的时钟到数据输出
x
x
x
x
x
x
- 1.5ns设置时钟和0.5ns的持有所有控制，数据和
地址输入@ 200MHz的
- 数据输入，地址，字节使能和控制寄存器
- 自定时写允许快速循环时间
对于复用总线和总线独立控制字节
匹配的兼容性
LVTTL-兼容， 3.3V （ ± 150mV的）电源
对于核心
LVTTL兼容，可选择的3.3V （ ± 150mV的）或2.5V
（ ± 100mV的）的I / O和控制信号的电源
每个端口
工业级温度范围（-40 ° C至+ 85°C ）是
可在166MHz的133MHz的和
可在一个144引脚薄型四方扁平封装（ TQFP ）
208引脚细间距球栅阵列（引脚fpBGA ）和256引脚球
栅阵列（ BGA ）
支持JTAG功能符合IEEE 1149.1
- 由于有限的引脚数， JTAG是不支持
144引脚TQFP封装。
功能框图
PL / FT
L
选择
L
CLK
L
ADS
L
CNTEN
L
重复
L
读/写
L
CE
0L
CE
1L
UB
L
LB
L
OE
L
PL / FT
R
选择
R
CLK
R
ADS
R
CNTEN
R
重复
R
读/写
R
CE
0R
CE
1R
UB
R
LB
R
OE
R
控制
逻辑
MUX
8Kx18
内存
ARRAY
（ BANK 0 ）
MUX
控制
逻辑
I / O
0L-17L
I / O
控制
MUX
8Kx18
内存
ARRAY
（ BANK 1 ）
MUX
I / O
控制
I / O
0R-17R
A
12L
A
0L
BA
5L
BA
4L
BA
3L
BA
2L
BA
1L
BA
0L
地址
解码
地址
解码
A
12R
A
0R
BA
5R
BA
4R
BA
3R
BA
2R
BA
1R
BA
0R
银行
解码
MUX
8Kx18
内存
ARRAY
（ BANK 63 ）
银行
解码
注意：
1.银行可切换的双端口采用的是真正的SRAM
芯代替传统的双端口SRAM核心。
其结果是，它具有独特的操作特性。
请参阅功能说明第19页
了解详细信息。
MUX
,
TDI
TDO
JTAG
TMS
TCK
TRST
5628 DRW 01
2002年12月
1
DSC 6分之5628
2002集成设备技术有限公司
