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指数
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IRGB420UD2
电气特性@ T = 25°C （除非另有说明）
J
V
（ BR ） CES
V
（ BR ） CES
/
T
J
V
CE （ON）的
参数
集电极 - 发射极击穿电压
温度。 COEFF 。击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
V
GE （日）
V
GE （日）
/T
J
g
fe
I
CES
V
FM
I
GES
栅极阈值电压
温度。 COEFF 。阈值电压
正向跨导
零栅极电压集电极电流
二极管的正向压降
门极 - 发射极漏电流
分钟。典型值。马克斯。单位
条件
500
—
—
V
V
GE
= 0V时，我
C
= 250A
— 0.47 —
V /°C， V
GE
= 0V时，我
C
= 1.0毫安
—
2.4
2.9
I
C
= 7.5A
V
GE
= 15V
—
3.1
—
V
I
C
= 14A
参见图。 2,5
—
2.7
—
I
C
= 7.5A ，T
J
= 150°C
3.0
—
5.5
V
CE
= V
GE
, I
C
= 250A
—
-10
- 毫伏/°C， V
CE
= V
GE
, I
C
= 250A
1.2 2.0
—
S
V
CE
= 100V ，我
C
= 7.5A
—
—
250
A
V
GE
= 0V, V
CE
= 500V
—
— 1700
V
GE
= 0V, V
CE
= 500V ，T
J
= 150°C
—
1.4
1.7
V
I
C
= 8.0A
参见图。 13
—
1.3
1.6
I
C
= 8.0A ，T
J
= 150°C
—
- ±100 nA的
V
GE
= ±20V
开关特性@ T = 25°C （除非另有说明）
J
Q
g
Q
ge
Q
gc
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on
E
关闭
E
ts
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
ts
L
E
C
IES
C
OES
C
水库
t
rr
I
rr
Q
rr
di
（ REC ）M
/ DT
参数
总栅极电荷（导通）
门 - 发射极电荷（导通）
门 - 收集电荷（导通）
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关损耗
关断开关损耗
总开关损耗
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总开关损耗
内置发射器电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
二极管的反向恢复时间
二极管的峰值反向恢复电流
二极管的反向恢复电荷
回收秋季二极管峰值速率
在t
b
分钟。
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值。
15
3.7
6.5
65
44
140
110
0.25
0.25
0.50
60
44
230
220
0.8
7.5
330
47
5.9
37
55
3.5
4.5
65
124
240
210
MAX 。单位
条件
23
I
C
= 7.5A
5.6
nC
V
CC
= 400V
9.8
参见图。 8
—
T
J
= 25°C
—
ns
I
C
= 7.5A ，V
CC
= 400V
210
V
GE
= 15V ，R
G
= 50
160
能量损失包括"tail"和
—
二极管的反向恢复。
—
mJ
参见图。 9 ， 10 ， 11 ， 18
0.80
—
T
J
= 150°C,
参见图。 9 ， 10 ， 11 ， 18
—
ns
I
C
= 7.5A ，V
CC
= 480V
—
V
GE
= 15V ，R
G
= 50
—
能量损失包括"tail"和
—
mJ
二极管的反向恢复。
—
nH
从包装测量5毫米
—
V
GE
= 0V
—
pF
V
CC
= 30V
参见图。 7
—
= 1.0MHz的
55
ns
T
J
= 25°C见图
90
T
J
= 125°C
14
I
F
= 8.0A
5.0
A
T
J
= 25°C见图
8.0
T
J
= 125°C
15
V
R
= 200V
138
nC
T
J
= 25°C见图
360
T
J
= 125°C
16
的di / dt = 200A / μs的
—
A / μs的牛逼
J
= 25°C见图
—
T
J
= 125°C
17
脉冲宽度5.0μs ，
单发射击。
注意事项：
重复评价; V
GE
= 20V，脉冲宽度
受到最大。结温。
（参见图20）
V
CC
=80%(V
CES
), V
GE
= 20V ， L = 10μH ，
R
G
= 50Ω ， （参见图19）
脉冲宽度
≤
为80μs ;占空比
≤
0.1%.
C-618
TO ORDER
