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M48Z2M1 ， M48Z2M1Y
表2.绝对最大额定值
(1)
符号
T
A
T
英镑
T
BIAS
T
SLD
V
IO
V
CC
(2)
参数
工作环境温度
存储温度（V
CC
OFF ）
在偏置温度
无铅焊接温度，持续10秒
输入或输出电压
电源电压
价值
0到70
-40到85
-40到85
260
-0.3 7
-0.3 7
单位
°C
°C
°C
°C
V
V
注意事项：
1.强调大于下"Absolute最大Ratings"可能会对设备造成永久性损坏。这是一个
值仅为器件在这些或以上的任何其他条件的功能操作在操作说明
本规范的部分，是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下的时间过长，则可能
影响可靠性。
2.焊接温度不超过260 ℃，10秒（总热预算不超过150℃的时间超过30秒）。
注意事项：
负下冲低于-0.3伏，而在电池备份模式下的引脚是不允许的。
表3.操作模式
模式
DESELECT
写
读
读
DESELECT
DESELECT
V
SO
到V
PFD
（分钟）
≤
V
SO
4.75V至5.5V
or
4.5V至5.5V
V
CC
E
V
IH
V
IL
V
IL
V
IL
X
X
G
X
X
V
IL
V
IH
X
X
W
X
V
IL
V
IH
V
IH
X
X
DQ0-DQ7
高Z
D
IN
D
OUT
高Z
高Z
高Z
动力
待机
活跃
活跃
活跃
CMOS待机
电池备份模式
注意事项：
X = V
IH
或V
IL
; V
SO
=电池备份切换电压。
图2. DIP引脚连接
NC
A20
A18
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
VSS
36
1
35
2
34
3
33
4
32
5
31
6
30
7
29
8
M48Z2M1
9 M48Z2M1Y 28
27
10
26
11
25
12
24
13
23
14
22
15
21
16
20
17
19
18
AI02049
VCC
A19
NC
A15
A17
W
A13
A8
A9
A11
G
A10
E
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
描述
（续）
该M48Z2M1 / 2M1Y有自己的电源故障检测
电路。控制电路持续监控
单5V电源是否超出公差情况。
当V
CC
是出公差，电路写
保护的SRAM ，提供数据的一个高度
安全不可预测的系统之中OP-
操作低V带来的
CC
。由于V
CC
瀑布下方
约3V，所述控制电路连接的
电池，支持数据，直到有效的权力重新
转弯。
读取模式
该M48Z2M1 / 2M1Y是在读取模式而当时─
以往W（写使能）高， E（芯片使能）
是低的。该器件的架构允许ripple-
通过数据的从16777216 8访问
位置的静态存储阵列中。因此，该
由21地址输入指定的唯一地址
定义了的2,097,152字节的数据中的一个是
被访问。有效数据将可在所述
地址访问时间内，数据I / O引脚（T
AVQV
)
之后的最后一个地址输入信号是稳定的， provid-
荷兰国际集团的E（芯片使能）和G （输出使能）
访问时间还纳。如果E和G
访问时间得不到满足，有效数据将是可用
警告：
NC =未连接。
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