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三菱N沟道功率MOSFET
FS10SM-14A
高速开关使用
栅源电压
VS.GATE CHARGE
(典型值)
源极 - 漏极二极管
正向特性
(典型值)
40
V
GS
= 0V
脉冲测试
栅极 - 源极电压V
GS
(V)
20
TCH = 25°C
I
D
= 10A
16
源电流我
S
(A)
32
12
V
DS
= 250V
400V
600V
24
T
C
= 125°C
8
16
75°C
25°C
4
8
0
0
20
40
60
80
100
0
0
0.8
1.6
2.4
3.2
4.0
栅极电荷q
g
( NC )
源极 - 漏极电压V
SD
(V)
漏源通态电阻R
DS ( ON)
(25°C)
漏源通态电阻R
DS ( ON)
(T ° C)
通态电阻VS.
通道温度
(典型值)
10
1
7
5
3
2
10
0
7
5
3
2
10
–1
–50
0
50
100
150
V
GS
= 10V
I
D
= 1/2I
D
脉冲测试
阈值电压 -
通道温度
(典型值)
5.0
V
DS
= 10V
I
D
= 1毫安
门极 - 源
电压V
GS ( TH)
(V)
4.0
3.0
2.0
1.0
0
–50
0
50
100
150
沟道温度Tch ( ° C)
沟道温度Tch ( ° C)
漏源击穿电压V
( BR ) DSS
(25°C)
瞬态热阻抗Z
TH( CH-C )
( ° C / W)
漏源击穿电压V
( BR ) DSS
(T ° C)
击穿电压VS.
通道温度
(典型值)
1.4
V
GS
= 0V
I
D
= 1毫安
瞬态热阻抗
特征
10
1
7
5
3
2
10
0
7
5
3
2
10
–1
7
5
3
2
D = 1.0
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
–50
0
50
100
150
10
–2 –4
10 2 3 5710
–3
2 3 5710
–2
2 3 5710
–1
2 3 5710
0
2 3 5710
1
2 3 5710
2
脉冲宽度t
w
(s)
Feb.1999
沟道温度Tch ( ° C)
4
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