三菱N沟道功率MOSFET
FS10SM-14A
高速开关使用
导通电压VS.
栅源电压
（典型值）
50
漏极 - 源极导通状态
电压V
DS （ ON）
(V)
T
C
= 25°C
脉冲测试
通态电阻VS.
漏电流
（典型值）
2.0
漏极 - 源极导通状态
电阻R
DS （ ON）
()
T
C
= 25°C
脉冲测试
V
GS
= 10V
40
I
D
= 20A
1.6
20V
30
1.2
20
10A
0.8
10
5A
0.4
0
10
–1
2 3 5 7 10
0
2 3 5 7 10
1
2 3 5 7 10
2
漏电流I
D
(A)
0
0
4
8
12
16
20
栅极 - 源极电压V
GS
(V)
传输特性
（典型值）
20
T
C
= 25°C
V
DS
= 50V
脉冲测试
正向转移导纳
VS.DRAIN CURRENT
（典型值）
10
1
V
DS
= 10V
7
脉冲测试
5
正向传递
导纳
y
fs
(S)
T
C
= 25°C
漏电流I
D
(A)
16
3
2
10
0
7
5
3
2
125°C
75°C
12
8
4
0
0
4
8
12
16
20
10
–1 –1
10
2 3
5 7 10
0
2 3
5 7 10
1
栅极 - 源极电压V
GS
(V)
漏电流I
D
(A)
电容与
漏源电压
（典型值）
10
4
7
5
3
2
10
3
7
5
3
2
10
3
7
5
西塞
开关特性
（典型值）
TCH = 25°C
V
DD
= 200V
V
GS
= 10V
R
根
= R
GS
= 50
切换时间（纳秒）
电容
西塞，科斯，的Crss （PF ）
3
2
t
D（关闭）
10
2
7
5
3
TCH = 25°C
2
F = 1MH
Z
10
1
V
GS
= 0V
科斯
10
2
7
5
3
2
10
1 0
10
2 3
t
f
t
r
t
D（上）
CRSS
2 3 5 7 10
0
2 3 5 7 10
1
2 3 5 7 10
2
2
漏源电压V
DS
(V)
5 7 10
1
2 3
5 7 10
2
漏电流I
D
(A)
Feb.1999
